电(dian)子(zi)成(cheng)材(cai)器件(jian)以及(ji)如何(he)让电(dian)阻(zu)集成(cheng)的原因
信息(xi)来源(yuan):本站 日期:2017-07-05
◆14.1.1 集成电(dian)路电(dian)阻(zu)
为(wei)了构(gou)(gou)成集成电路电阻,可(ke)以(yi)淀积(ji)一层具有阻值(zhi)的(de)薄膜在硅(gui)(gui)衬底(di)上(shang),然(ran)后(hou)运用(yong)图(tu)形曝光技术和刻(ke)蚀定出其(qi)图(tu)样,也可(ke)以(yi)在生长(zhang)于硅(gui)(gui)衬底(di)上(shang)的(de)热(re)氧化(hua)层上(shang)开窗,然(ran)后(hou)写入(或(huo)是涣(huan)散)相反导电型(xing)杂质到晶片内,图(tu)14.3闪现运用(yong)后(hou)者方法构(gou)(gou)成的(de)两个(ge)电阻的(de)顶视图(tu)和截面(mian)图(tu),一个(ge)是曲折型(xing),另一个(ge)是直条型(xing).
首(shou)要考虑直条型电阻.在距表(biao)面深为(wei)х处、平行(xing)于表(biao)面厚度(du)dχ的p型材料薄膜(mo)层(ceng)的微分电导dG(如(ru)B-B截面所示)为(wei)式
中(zhong)w是(shi)直条的(de)(de)(de)(de)宽度,L是(shi)直条的(de)(de)(de)(de)长度(假定(ding)先(xian)忽略端点的(de)(de)(de)(de)触摸(mo)面(mian)积),μp是(shi)窄穴(xue)迁移率,p为掺杂的(de)(de)(de)(de)浓度,这个直条型电阻的(de)(de)(de)(de)悉(xi)数写入区的(de)(de)(de)(de)电导为
此处,一个正方形电阻的电导,也就是当L=w时,G=g.因此,电阻为(wei)
此处l/g通常用符(fu)号(hao)R口(kou)定义,称为薄(bo)(bo)层电阻(zu)(sheet resistance,又称为方(fang)块(kuai)电阻(zu)).薄(bo)(bo)层电阻(zu)的单位是Q,但习惯上以欧/方(fang)块(kuai)(Ω/口(kou))为单位.
由(you)如图(tu)(tu)14.3所示(shi)的(de)(de)(de)掩模版定义(yi)出不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)几何图(tu)(tu)样(yang),可(ke)同(tong)时在(zai)一个(ge)集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)路(lu)中(zhong)(zhong)制(zhi)造出许多不(bu)同(tong)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu).因(yin)为(wei)对所有电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)而(er)言工艺(yi)步骤是(shi)(shi)相同(tong)的(de)(de)(de),因(yin)此(ci)将电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)的(de)(de)(de)大小(xiao)分(fen)成(cheng)两部分(fen)是(shi)(shi)很方(fang)便的(de)(de)(de):由(you)离(li)子注入(或(huo)是(shi)(shi)扩散(san))工艺(yi)决定薄层(ceng)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)(R□);由(you)图(tu)(tu)样(yang)尺寸决定L/W 例(li).一旦(dan)R口已知(zhi),电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)可(ke)以由(you)L/W的(de)(de)(de)份额(e)得知(zhi),或(huo)是(shi)(shi)由(you)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)图(tu)(tu)样(yang)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)数(shu)目得知(zhi)(每个(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)面积(ji)为(wei)WXW).端(duan)点(dian)触摸面积(ji)会添加额(e)定的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)至集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)路(lu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)中(zhong)(zhong),就图(tu)(tu))4.3中(zhong)(zhong)类(lei)型的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu),每个(ge)端(duan)点(dian)触摸对应到大概(gai)o.65个(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai).对曲(qu)折型电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)而(er)言,在(zai)曲(qu)折处(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)线(xian)散(san)布(bu)不(bu)是(shi)(shi)均匀地(di)跨过电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)的(de)(de)(de)宽(kuan)度,而(er)是(shi)(shi)密布(bu)于内(nei)侧的(de)(de)(de)转(zhuan)角(jiao)处(chu).因(yin)此(ci)在(zai)曲(qu)折处(chu)的(de)(de)(de)一个(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)并不(bu)精确地(di)等(deng)于一个(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai),而(er)是(shi)(shi)约为(wei)o.65个(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai).
联系(xi)方式:邹(zou)先生
联(lian)系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系(xi)地(di)址:深圳市福(fu)田(tian)区车(che)公(gong)庙天(tian)安数码(ma)城天(tian)吉(ji)大厦CD座5C1
关(guan)注(zhu)KIA半(ban)导体工(gong)程专辑请搜微信(xin)(xin)号(hao):“KIA半(ban)导体”或点击本(ben)文下方图片扫(sao)一扫(sao)进(jin)入官(guan)方微信(xin)(xin)“关(guan)注(zhu)”
长(zhang)按二(er)维码识别关注