保护板专用(yong)mos管(guan),40v100a,KND3204A场效应管(guan)参数引脚图-KIA MOS管(guan)
信息(xi)来源(yuan)：本站 日期：2024-09-27
KND3204A场效应管采用专有新型(xing)沟槽技术，漏源(yuan)电压40V，漏极电流100A，是锂电池保护板(ban)专用MOS管，RDS（ON），典(dian)型值(zhi)=VGS=10V时为4mΩ（典(dian)型值(zhi)），极低导(dao)通电(dian)阻减少(shao)导(dao)通损(sun)耗，低栅极电荷最小化开关损耗，快(kuai)速恢复体二极管，提高稳定性和可靠性；封装形式：TO-252。
漏源电压(ya)：40V
漏(lou)极电流：100A
漏源通态电(dian)阻：4mΩ
栅源(yuan)电压：±20V
脉冲漏电流(liu)：480A
雪崩能(neng)量(liang)单脉冲：500MJ
功(gong)率耗散：137W
总栅极(ji)电荷：51nC
输(shu)入电容：3000PF
输出电(dian)容：425PF
开通延迟时(shi)间：15nS
关(guan)断延迟时间：75nS
上升时间：60ns
下降时间：40ns
联系方式：邹先生(sheng)
座机(ji)：0755-83888366-8022
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