保护(hu)板mos管(guan),knb3306b场效应(ying)管(guan)参数(shu),68v80a中文(wen)资料-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站(zhan) 日期(qi)：2024-09-30
KNB3306B场(chang)效应管漏源击穿电(dian)(dian)压68V，漏极电(dian)(dian)流80A，是(shi)一款7-10串保(bao)护(hu)板(ban)专用(yong)MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电(dian)(dian)阻(zu)，最(zui)大限度地减少导电(dian)(dian)损(sun)耗(hao)，最(zui)小化开关(guan)损(sun)耗(hao)；开关(guan)速度快、耐(nai)冲击特(te)性(xing)好、高雪崩电(dian)(dian)流、提供无铅绿色设(she)备(bei)，性(xing)能稳定(ding)可靠，在(zai)无刷电(dian)(dian)机(ji)、逆变器(qi)、DC-DC转换器(qi)领域热销；封装形式：TO-263。
漏源(yuan)电(dian)压：68V
漏极(ji)电流：80A
漏源通态(tai)电阻：7mΩ
栅源(yuan)电压：±25V
脉冲漏电(dian)流：280A
雪崩能量单(dan)脉冲：400MJ
功率(lv)耗(hao)散：156W
总栅极(ji)电荷：104nC
输入电容：3080PF
输出电容：400PF
开通延迟(chi)时(shi)间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升(sheng)时间(jian)：13ns
下降(jiang)时间：7.5ns
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机(ji)：18123972950（微信(xin)同号）
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