锂电(dian)池保(bao)护板(ban),85v100aMOS管,KNB3208A场效应管参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-10-09
KNB3208A场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)漏源(yuan)击穿(chuan)电(dian)(dian)压(ya)85V，漏极电(dian)(dian)流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有(you)新沟槽技术，超低电(dian)(dian)阻减少导电(dian)(dian)损耗(hao)，最(zui)小化(hua)开关损耗(hao)；低门电(dian)(dian)荷、快恢复体二极管(guan)(guan)提(ti)供(gong)卓越性能(neng)，稳定可靠；是10串-16串锂电(dian)(dian)池保护板专用MOS管(guan)(guan)；封装形式：TO-263。
漏源电压:85V
连续漏极电流:100A
输入电(dian)容：3420pF
输出电(dian)容：400pF
反向转移电(dian)容(rong)：120pF
栅极串联电阻：2.0Ω
脉冲源电流:400A
脉(mai)冲雪(xue)崩能量:612MJ
最大功耗：224W
阈值(zhi)电压：2.0V
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：100nS
上(shang)升时间：24ns
下(xia)降时间(jian)：32ns
联(lian)系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场(chang)2栋1902
搜索微信(xin)公众(zhong)号(hao):“KIA半导体”或扫码关注官方(fang)微信(xin)公众(zhong)号(hao)
关(guan)注(zhu)官(guan)方(fang)微信公众号(hao)：提供 MOS管 技术支持
免(mian)责(ze)声明：网站(zhan)部(bu)分图(tu)文来源其它出处(chu)，如有侵权请联(lian)系删除(chu)。
