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适配器充电器mos管(guan),500V13A高压mos管(guan),KNX6450B-KIA MOS管(guan)

信息来源:本(ben)站 日期(qi):2024-10-22 

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适配器充电器mos管,500V13A高压mos管,KNX6450B-KIA MOS管


充电器mos管,KNX6450B参数引脚图

KNX6450B是一款高压MOS管,漏源电(dian)压500V,漏极电(dian)流13A,RDS(ON)为0.35Ω;具备快(kuai)速切换特性,实现(xian)快(kuai)速切换电(dian)源,减少损耗;低(di)(di)栅极电(dian)荷、低(di)(di)反向传(chuan)输电(dian)容、100%单脉(mai)冲雪(xue)崩能量测试,确保器(qi)(qi)件工作高效(xiao)低(di)(di)耗,稳定可靠;KNX6450B场效(xiao)应管在适配器(qi)(qi)和充(chong)电(dian)器(qi)(qi)的电(dian)源开关电(dian)路中提供卓(zhuo)越(yue)的性能表现(xian);封装形式(shi):TO-220、TO-220F。

充电器mos管,KNX6450B参数

充电器mos管,KNX6450B参数

漏源电压:500V

漏极电流(liu):13A

漏源(yuan)通(tong)态电阻:0.35Ω

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:52A

雪(xue)崩能量单脉(mai)冲(chong):900MJ

功率耗散(san):150W

总栅极电荷:46nC

输入电(dian)容:2155PF

输出电(dian)容(rong):25PF

开通延迟时间(jian):16nS

关断延迟时间:46nS

上升时(shi)间(jian):26ns

下降时间:36ns

充电器mos管,KNX6450B参数规格书

充电器mos管,KNX6450B参数

充电器mos管,KNX6450B参数


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