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逆(ni)变器mos管(guan),500v15a,​KNX6650A场效(xiao)应管(guan)中文资料-KIA MOS管(guan)

信息来源:本站 日期:2024-10-23 

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逆变(bian)器mos管,500v15a,KNX6650A场效应管中文资料-KIA MOS管


500v15a,KNX6650A场效应管参数引脚图

KNX6650A场效(xiao)应管采用专有平(ping)面新技术,漏源电压500V,漏极电流15A,为高(gao)(gao)压、高(gao)(gao)速功(gong)率开关应用而(er)设(she)计,RDS(ON)为0.33Ω;低栅电(dian)(dian)荷最小(xiao)开(kai)关损耗、快(kuai)速恢(hui)复体二极管(guan),保(bao)证电(dian)(dian)源的(de)稳(wen)定和可靠(kao)性(xing);KNX6650A高压MOS管(guan)常用于(yu)逆变器,以(yi)及高效开(kai)关电(dian)(dian)源、有源功率因数(shu)校正(zheng)、电(dian)(dian)子灯镇流(liu)器;封装(zhuang)形式:TO-220、TO-220F。

500v15a,KNX6650A场效应管

500v15a,KNX6650A场效应管参数

漏源电压(ya):500V

漏极电流:15A

漏(lou)源通态电阻:0.33Ω

栅(zha)源电压:±30V

雪崩能量单脉冲(chong):1000MJ

功率耗散:60W

总(zong)栅极(ji)电荷:46nC

输入电容:2148PF

输出电容(rong):208PF

开通延(yan)迟时间(jian):13nS

关断延(yan)迟(chi)时间:44nS

上升时间:28ns

下(xia)降时间:35ns

500v15a,KNX6650A场效应管规(gui)格书

500v15a,KNX6650A场效应管

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