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逆变(bian)器(qi)场效应管,500vmos管,KNF7650A参数(shu),原厂现货-KIA MOS管

信息来源:本(ben)站 日(ri)期(qi):2024-10-24 

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逆变器场效应管,500vmos管,KNF7650A参数,原厂现货-KIA MOS管


逆变器场效应管,KNF7650A参数引脚图

逆变(bian)(bian)器场效应管(guan)KNF7650A采(cai)用高级平面(mian)工艺制造(zao),加(jia)固(gu)多晶硅栅(zha)极(ji)结构,能够提升设备性能,提高系统(tong)效率;KNF7650A漏(lou)源电压500V,漏(lou)极(ji)电流(liu)25A,RDS(ON)为170mΩ;低栅(zha)极(ji)电荷最小(xiao)化开(kai)关(guan)损(sun)耗(hao),稳定可靠;是(shi)一(yi)款高效开(kai)关(guan)电源、调光器模块、逆变(bian)(bian)器专(zhuan)用MOS管(guan);封装形式:TO-220F。

逆变器场效应管,KNF7650A参数

逆变器场效应管,KNF7650A参数

漏(lou)源电压(ya):500V

漏极电流:25A

栅源电压:±30V

脉(mai)冲漏电流:100A

雪崩能量单脉冲:1800MJ

最大(da)功耗:105W

输(shu)入电容:4280pF

输出(chu)电(dian)容(rong):1400pF

反向(xiang)转移电(dian)容:185pF

开通延迟时间:24nS

关断延迟时间:100nS

上升时(shi)间(jian):40ns

下降(jiang)时间(jian):35ns

逆变器场效应管,KNF7650A参数规格书

逆变器场效应管,KNF7650A参数

逆变器场效应管,KNF7650A参数


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