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储能(neng)电源mos管(guan),650v场效应管(guan),KIA12N65H参(can)数引脚图-KIA MOS管(guan)

信(xin)息来源:本站 日期:2024-10-31 

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储能电源mos管,650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图-KIA MOS管


650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图

KIA12N65H场(chang)效应管(guan)漏(lou)源电(dian)(dian)(dian)压(ya)650V,漏(lou)极电(dian)(dian)(dian)流12A,导通电(dian)(dian)(dian)阻RDS(ON)0.63Ω,高效低(di)耗;低(di)栅(zha)极电(dian)(dian)(dian)荷(典型(xing)值52nC),最小化开关损耗,快速(su)(su)切换能(neng)(neng)力在电(dian)(dian)(dian)路中能(neng)(neng)够迅速(su)(su)响应信(xin)号变化,确(que)保信(xin)号传输的准(zhun)确(que)性(xing)、雪崩能(neng)(neng)量规定和(he)改进的dv/dt能(neng)(neng)力增强了稳(wen)定性(xing)及安全性(xing);专为高压(ya)、高速(su)(su)功率(lv)开关应用(yong)而(er)设计,如高效开关电(dian)(dian)(dian)源、有源功率(lv)因数校正(zheng)、基于(yu)半桥拓扑的电(dian)(dian)(dian)子灯镇流器;封装形式:TO-220F。

650v场效应管,KIA12N65H

650v场效应管,KIA12N65H参数

漏源电压(ya):650V

漏(lou)极电(dian)流:12A

漏源通态(tai)电阻:0.63Ω

栅(zha)源电压:±30V

脉(mai)冲漏电流:48A

雪崩(beng)能量:865mJ

耗(hao)散功率:54W

总栅极电(dian)荷:52nC

输(shu)入电容:1850 PF

输(shu)出电容:180 PF

开通延(yan)迟时间:30nS

关断延迟时间:140nS

上升时间:90ns

下降时间:90ns

650v场效应管,KIA12N65H规格书

650v场效应管,KIA12N65H

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