储能电(dian)源场效应管(guan),650vmos管(guan),KIA65R190FS参(can)数规格书(shu)-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日(ri)期：2024-11-01
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)20A，导(dao)通(tong)电(dian)(dian)阻RDS（ON）0.16Ω，低(di)栅极电(dian)(dian)荷（典型(xing)值70nC），具有高(gao)坚固性(xing)(xing)、快速切换、100%雪(xue)崩测试、改进(jin)的(de)dv/dt功(gong)(gong)能(neng)增(zeng)强了稳定性(xing)(xing)及(ji)安(an)全性(xing)(xing)；65R190mos管专为高(gao)压、高(gao)速功(gong)(gong)率(lv)开(kai)关(guan)电(dian)(dian)源应用设(she)计，采(cai)用了先进(jin)的(de)超(chao)级(ji)结技术，最(zui)大限度地(di)减(jian)少传导(dao)损耗，提高(gao)开(kai)关(guan)性(xing)(xing)能(neng)，并在雪(xue)崩和换向模式(shi)下承受高(gao)能(neng)脉冲；封装形式(shi)：TO-220F。
漏源电(dian)压：650V
漏极电流：20A
漏源通态电阻(zu)：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：62A
单脉(mai)冲雪(xue)崩能量：485MJ
功率(lv)耗散：35W
总栅极(ji)电荷：70nC
输入电容：1440PF
输出电容(rong)：300PF
开通延迟时间(jian)：25nS
关断(duan)延迟时间：70nS
上(shang)升时间：55ns
下(xia)降(jiang)时间(jian)：40ns
联系方(fang)式：邹先生
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