10N80现货供应(ying)商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下载 -KIA官网
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期：2018-02-03
KIA10N80特点
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V
低(di)栅极电荷（典型的63nc）
高耐(nai)用性
快(kuai)速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力(li)
ESD能力提高
产品型号：KIA10N80
工作方式：10A/800V
漏源电压：800V
栅源电压：±25V
漏(lou)电流连续(xu)：10A
脉冲(chong)漏极电(dian)流：40A
雪崩能量(liang)：350mJ
耗散(san)功(gong)率：42W
热电(dian)阻(zu)：62.5℃/W
漏(lou)源(yuan)击穿电压：800V
温度系数：0.8V/℃
栅极阈值(zhi)电压(ya)：2.0V
输(shu)入电容：2230 PF
输(shu)出电容：135 PF
上升时间：35 ns
封装形式：TO-220F、TO-3P
 |
KIA10N80（10N80） |
| 产品编号 | KIA10N80/HF/HH |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用先(xian)进的(de)平面条形DMOS工(gong)艺生产(chan)的(de)起亚。这先(xian)进已特别(bie)定制，以尽(jin)量减少对国家(jia)的(de)阻力，提供优(you)越的(de)开关(guan)。性能，在(zai)雪崩和换(huan)流模式(shi)下承受高能量脉冲 |
| 产品特征 |
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低栅极电荷(he)（典型的(de)63nc） 高耐用性 快速(su)切换(huan)的能(neng)力 雪崩能量(liang) 改进的dt／dt能力 ESD能(neng)力提高 |
| 适用范围 |
主要适合于(yu)高效率(lv)(lv)开关电源，有(you)源功率(lv)(lv)因数校正(zheng)的基础上半(ban)桥拓扑(pu) |
| 封装形式 |
TO-220F、TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
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