逆变器(qi)场管(guan)(guan)型号大全-逆变器(qi)采用(yong)场效应管(guan)(guan)MOSFET选型指南-KIA MOS管(guan)(guan)
信息来源：本站 日(ri)期：2018-05-26
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Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（V） |
RDS（ON）（Ω） |
ciss |
专用 |
|
pF |
|||||
|
KIA50N06 |
50 |
60 |
12.5 |
2060 |
防反接保护 |
|
KNP9120 |
40 |
200 |
65 |
2800 |
防反接保护 |
|
KIA75NF75 |
80 |
80 |
9 |
3100 |
防反接保护 |
|
KNP9120 |
40 |
200 |
65 |
2800 |
前级 |
|
KIA3205S |
130 |
60 |
7 |
3100 |
前级 |
|
KIA2806A |
160 |
60 |
4.5 |
4376 |
前级 |
|
KIA2808 |
150 |
80 |
4.5 |
6109 |
前级 |
|
KIA75NF75 |
80 |
80 |
9 |
3110 |
前级 |
|
KIA730 |
6 |
400 |
1000 |
520 |
后级 |
|
KNP6140 |
10 |
400 |
500 |
1254 |
后级 |
|
KIA13N50H |
13 |
500 |
480 |
1600 |
后级 |
|
KIA16N50H |
16 |
500 |
380 |
2200 |
后级 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
320 |
2500 |
后级 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
260 |
2700 |
后级 |
|
KIA20N40H |
20 |
400 |
250 |
2135 |
后级 |
|
KNH8150 |
30 |
500 |
200 |
4150 |
后级 |
|
KIA8N60H |
7.5 |
600 |
1.2 |
1300 |
|
|
KIA740 |
10 |
400 |
0.5 |
1254 |
|
|
KIA2906A |
130 |
60 |
0.007 |
3100 |
|
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.73 |
1570 |
|
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.75 |
1650 |
|
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
1.1 |
2230 |
|
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.65 |
1850 |
|
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.75 |
1850 |
|
备注(zhu)：标注(zhu)的(de)Id电(dian)(dian)流(liu)(liu)是MOS芯片(pian)的(de)最(zui)(zui)大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)，实(shi)际使用时(shi)的(de)最(zui)(zui)大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)还要受封(feng)装(zhuang)的(de)最(zui)(zui)大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)限制(zhi)。客(ke)(ke)户(hu)设(she)(she)计产(chan)(chan)品时(shi)的(de)最(zui)(zui)大(da)使用电(dian)(dian)流(liu)(liu)设(she)(she)定要考虑封(feng)装(zhuang)的(de)最(zui)(zui)大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)限制(zhi)。建议客(ke)(ke)户(hu)设(she)(she)计产(chan)(chan)品时(shi)的(de)最(zui)(zui)大(da)使用电(dian)(dian)流(liu)(liu)设(she)(she)定更(geng)重要的(de)是要考虑MOS的(de)内阻参数。
产(chan)品特征（KNP9120）
专(zhuan)利(li)新平面技术
R DS（ON）=50mΩ（类型）@V GS=10V
低门电荷减小开关(guan)损耗
快速(su)恢复体二(er)极管
联(lian)系方式(shi)：邹先生（mos管厂(chang)家）
联系电(dian)话：0755-83888366-8022
手(shou)机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地(di)址：深圳市福田(tian)区车(che)公庙天安数码城天吉大(da)厦CD座5C1
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