irf740场效应管脚接(jie)法及(ji)参数、封(feng)装(zhuang)规格书详情-KIA MOS管
信息来源:本站(zhan) 日期:2019-02-22
动(dong)态dv/dt率(lv)
可(ke)恢复性雪崩(beng)测定
快速转换速率
并行简易
仅需简单驱动
超低栅电荷 - IRF740LC
增强VGS等级 30 V - IRF740LC
极(ji)高(gao)工作频率 - IRF740LC
无铅环保
晶体管极(ji)性:N沟道
漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
电压(ya), Vgs 最大:20V
开态(tai)电阻, Rds(on): 典型(xing)值 0.48Ω
(Vgs=10V,Id=5.3A)
电压Vds 最高:400V
功耗:2.5W
功率温度(du):25°C
查看(kan)规格书详情,请点击(ji)下图。
联(lian)系方式(shi):邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址(zhi):深(shen)圳市(shi)福田区车公庙(miao)天(tian)安数码城天(tian)吉(ji)大厦CD座5C1
请搜微信公(gong)众号(hao)(hao):“KIA半导体”或扫一扫下图“关(guan)注”官方微信公(gong)众号(hao)(hao)
请(qing)“关注”官方微信(xin)公众号:提供 MOS管(guan) 技(ji)术帮助(zhu)