KNX6450B是一款高压(ya)(ya)MOS管(guan)(guan)，漏源电(dian)压(ya)(ya)500V，漏极电(dian)流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具(ju)...KNX6450B是一款高压(ya)(ya)MOS管(guan)(guan)，漏源电(dian)压(ya)(ya)500V，漏极电(dian)流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具(ju)备快速切换特性，实(shi)现快速切换电(dian)源，减少损(sun)耗；低(di)栅(zha)极电(dian)荷、低(di)反向传输电(dian)容(rong)、100%单...
KNX6450A场(chang)效应(ying)管专(zhuan)为高压、高速功率开(kai)(kai)(kai)关(guan)应(ying)用(yong)设计(ji)，在(zai)逆(ni)(ni)变(bian)(bian)器(qi)领域(yu)热销，漏源电压...KNX6450A场(chang)效应(ying)管专(zhuan)为高压、高速功率开(kai)(kai)(kai)关(guan)应(ying)用(yong)设计(ji)，在(zai)逆(ni)(ni)变(bian)(bian)器(qi)领域(yu)热销，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.40Ω；具备低栅极电荷(he)，最(zui)小化开(kai)(kai)(kai)关(guan)损耗，稳定可靠(kao)...
KNP4540A具有(you)优(you)异的性能和(he)稳(wen)定性，是一款逆变(bian)器专用MOS管，漏源击(ji)穿电压400V，...KNP4540A具有(you)优(you)异的性能和(he)稳(wen)定性，是一款逆变(bian)器专用MOS管，漏源击(ji)穿电压400V，漏极(ji)电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极(ji)电荷最(zui)小化(hua)开(kai)关(guan)损耗(hao)，快速恢复体二极(ji)管，符...
KNH9130A采用(yong)专有新平面技(ji)术，是一款逆变器(qi)专用(yong)MOS管(guan)，漏(lou)源击穿电(dian)(dian)压(ya)300V，漏(lou)极...KNH9130A采用(yong)专有新平面技(ji)术，是一款逆变器(qi)专用(yong)MOS管(guan)，漏(lou)源击穿电(dian)(dian)压(ya)300V，漏(lou)极电(dian)(dian)流40A，RDS（ON）值为(wei)100mΩ，低栅(zha)极电(dian)(dian)荷最小化开(kai)关损耗，快速恢(hui)复体二极管(guan)，高效...
KIA3510A是一款逆(ni)变器(qi)专用MOS管(guan)，漏(lou)(lou)源(yuan)击穿电(dian)压100V，漏(lou)(lou)极(ji)电(dian)流(liu)75A，RDS（ON）值...KIA3510A是一款逆(ni)变器(qi)专用MOS管(guan)，漏(lou)(lou)源(yuan)击穿电(dian)压100V，漏(lou)(lou)极(ji)电(dian)流(liu)75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电(dian)阻(zu)最(zui)大限度地(di)减少导通损耗(hao)，最(zui)小化开关(guan)损耗(hao)；低栅极(ji)电(dian)荷、100%雪崩...
KNX2910B采用先进的沟(gou)槽技(ji)术，漏源(yuan)击(ji)穿电(dian)压100V, 漏极电(dian)流130A ，提(ti)供(gong)优(you)异的Rd...KNX2910B采用先进的沟(gou)槽技(ji)术，漏源(yuan)击(ji)穿电(dian)压100V, 漏极电(dian)流130A ，提(ti)供(gong)优(you)异的Rdson，RDS（ON）值为(wei)9mΩ，超低导通(tong)电(dian)阻，最大限(xian)度地减少导通(tong)损(sun)耗(hao)，最小(xiao)化开关损(sun)耗(hao)；...
