快恢复(fu)二极管(guan)如何应(ying)用解析-快恢复(fu)二极管(guan)注意(yi)事(shi)项-KIA MOS管(guan)
信息来(lai)源:本站 日期:2020-03-24
快(kuai)恢复二极(ji)(ji)管(guan)如何应用(yong)(yong),快(kuai)恢复二极(ji)(ji)管(guan)(简称FRD )是一种具有开(kai)(kai)关(guan)特性好、反向恢复时(shi)间短(duan)特点的半导体二极(ji)(ji)管(guan),主(zhu)要应用(yong)(yong)于开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)源、PWM脉宽调制器、变频器等(deng)电(dian)(dian)子电(dian)(dian)路中,作为高(gao)频整流(liu)=二极(ji)(ji)管(guan)、续流(liu)=极(ji)(ji)管(guan)或(huo)阻尼二极(ji)(ji)管(guan)使(shi)用(yong)(yong)。下面(mian)我们就来说说快(kuai)恢复二极(ji)(ji)管(guan)在电(dian)(dian)源电(dian)(dian)路中的应用(yong)(yong)。
(1)在基极驱动电路中应用
如果晶体(ti)管(guan)(guan)基(ji)极驱动电路(lu)的电源电压较低, 例如6V , 则(ze)基(ji)极电流(liu)上升(sheng)缓慢.如果影(ying)响到(dao)晶体(ti)管(guan)(guan)集(ji)电极电流(liu)的上升(sheng)率,增加了功率晶体(ti)管(guan)(guan)的开(kai)通(tong)损耗。在(zai)这种应用场(chang)合,为了避免基(ji)极电流(liu)上升(sheng)缓慢,在(zai)图1所示电路(lu)中(zhong)的二极管(guan)(guan)D1选(xuan)用导通(tong)峰压UFP低的二极管(guan)(guan)是很有好处的。
图(tu)1 基极驱(qu)动电路中串联(lian)的(de)二极管(guan)对晶体管(guan)开通性(xing)能的(de)影响(xiang)
(2)达林顿组合电路中的应用
如图(tu)2所示(shi)的(de)(de)达林顿组(zu)合(he)电(dian)(dian)路中(zhong)(zhong),加(jia)速(su)(su)-极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)D为晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)T2中(zhong)(zhong)的(de)(de)存贮电(dian)(dian)荷(he)提供一条快(kuai)速(su)(su)低(di)阻的(de)(de)的(de)(de)泄放电(dian)(dian)路。这里对加(jia)速(su)(su)二 极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)一个(ge)要求(qiu)是:正向恢复(fu)时(shi)(shi)间(jian)(jian)tfr要短。如果tfr时(shi)(shi)间(jian)(jian)较(jiao)长(zhang),则晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)T2基(ji)极(ji)(ji)发(fa)射极(ji)(ji)间(jian)(jian)的(de)(de)反向偏压过低(di)。导(dao)致晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)存贮时(shi)(shi)间(jian)(jian)ts及集电(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流的(de)(de)下(xia)降时(shi)(shi)间(jian)(jian)f增(zeng)长(zhang)。关断损(sun)耗增(zeng)加(jia)。
(3)双正激变换器中作去磁二极管
如图3所示,双正激(ji)变(bian)换器中,二极管(guan)D1、D2的(de)作用(yong)是在晶(jing)(jing)体管(guan)T1、T2关断后对(dui)变(bian)压(ya)器去磁(ci)(变(bian)压(ya)器存储的(de)磁(ci)场能量通(tong)过二极管(guan)送回到(dao)电源(yuan))。晶(jing)(jing)体管(guan)关断时, - -极管(guan)导(dao)通(tong)。二极管(guan)导(dao)通(tong)风峰压(ya)Ufp和电源(yuan)电压(ya)Ua相加施加到(dao)关断的(de)晶(jing)(jing)体管(guan)上,晶(jing)(jing)体管(guan)必(bi)须能承受这个电压(ya)。
( 4 )在续流电路中的应用
在图(tu)4所示(shi)的斩波(bo)器中(zhong),晶(jing)体(ti)管(guan)关断时(shi)(shi),负载(zai)电(dian)流通(tong)过二极管(guan)续流。t0时(shi)(shi) ,晶(jing)体(ti)管(guan)再次导(dao)通(tong),集电(dian)极电(dian)流以(yi)晶(jing)体(ti)管(guan)限定的上升率(lv)增长;同时(shi)(shi)二极管(guan)电(dian)流也以(yi)同样的速率(lv)衰(shuai)减, t1时(shi)(shi)等于零, t2时(shi)(shi)达(da)到(dao)反向最大(da)值IRM。
t1~t2期间,反(fan)向恢(hui)复(fu)电流从二(er)极管中消除存贮电荷(he),到t2时,可(ke)以认为(wei)这(zhei)个工作(zuo)已完(wan)成,二(er)极管已做好(hao)了关断准备。
如下图,在继(ji)(ji)电器两端(duan)(duan)并(bing)联一个(ge)(ge)UF4007,它的(de)(de)反(fan)(fan)向(xiang)重复峰值电压1000V、正向(xiang)浪涌电流30A。继(ji)(ji)电器线(xian)(xian)圈(quan)(quan)是可(ke)以储存能(neng)量的(de)(de),一旦线(xian)(xian)圈(quan)(quan)断(duan)电,它两端(duan)(duan)就(jiu)会产生(sheng)很大的(de)(de)反(fan)(fan)向(xiang)电动势,如果在线(xian)(xian)圈(quan)(quan)两端(duan)(duan)并(bing)联一个(ge)(ge)快恢复二极管,使(shi)它产生(sheng)一个(ge)(ge)回路,电动势通(tong)过这个(ge)(ge)回路使(shi)线(xian)(xian)圈(quan)(quan)储存的(de)(de)能(neng)量泄放。
如下图是电磁炉全桥(qiao)控制的LC振荡(dang)电路,Q1-Q4相(xiang)互导(dao)(dao)通(tong),在导(dao)(dao)通(tong)-关断过程中,会产生能(neng)量,这个二(er)极(ji)(ji)管经常被称为寄生二(er)极(ji)(ji)管或(huo)者续流二(er)极(ji)(ji)管,IGBT作为开关用时候(hou)一(yi)般电压达到(dao)上千伏,因此肖特基二(er)极(ji)(ji)管不适合。
1)如下(xia)图(tu)是(shi)BOOST升压电路,FR154为400V/1.5A快恢复二极管,起(qi)到防(fang)止电流倒灌作用
2)在RCD等钳位(wei)吸收回路(lu)应用,如(ru)下图D1/UF4007与R1、C2组(zu)成(cheng)吸收回路(lu)。
1)有些单管(guan),共(gong)三个引脚(jiao)(jiao),中(zhong)间的为(wei)空(kong)脚(jiao)(jiao),一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。
2)若对管中有一只管子损(sun)坏,则可(ke)作为单管使用。
3)测(ce)正(zheng)向导通(tong)压(ya)降时,必须(xu)使用R×1档。若(ruo)用R×1k档,因(yin)测(ce)试电(dian)流太小,远低于管子的正(zheng)常工作电(dian)流,故(gu)测(ce)出的VF值将明(ming)显偏低。在上面例子中(zhong),如果选择R×1k档测(ce)量,正(zheng)向电(dian)阻就等(deng)于2.2kΩ,此(ci)时n′=9格。由此(ci)计算出的VF值仅0.27V,远低于正(zheng)常值(0.6V)。
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