利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

众所周知，当前电(dian)(dian)子技术的发展方向(xiang)是：应用技术高频化、硬件结构(gou)模块化、半导体器件智能(neng)化、控制技术数字(zi)化以(yi)及产品性能(neng)绿色化（对电(dian)(dian)网(wang)等(deng)无污染）。

模(mo)块(kuai)化结(jie)(jie)(jie)构(gou)提高(gao)了产品(pin)的(de)(de)(de)(de)(de)密集性、安全性和(he)(he)可(ke)靠(kao)性，同时(shi)也可(ke)降(jiang)低装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)生产成本(ben)，缩(suo)短(duan)产品(pin)进(jin)入市(shi)场(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)周(zhou)期(qi)，提高(gao)企业在市(shi)场(chang)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)竞争力。由于(yu)电(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)连(lian)线已在模(mo)块(kuai)内部完(wan)成，并采用与(yu)(yu)PCB一(yi)样(yang)可(ke)刻蚀出(chu)各种图形结(jie)(jie)(jie)构(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)陶瓷覆铜板(ban)（DBC板(ban)），因此，大(da)(da)大(da)(da)缩(suo)短(duan)了模(mo)块(kuai)内元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)之间(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)连(lian)线，可(ke)实现优(you)化布(bu)线和(he)(he)对称(cheng)性结(jie)(jie)(jie)构(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)设计(ji)，使装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)寄生电(dian)感和(he)(he)电(dian)容值(zhi)大(da)(da)大(da)(da)降(jiang)低，有(you)利于(yu)实现装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)频(pin)化。此外，模(mo)块(kuai)化结(jie)(jie)(jie)构(gou)与(yu)(yu)同容量(liang)分立(li)器(qi)(qi)件(jian)结(jie)(jie)(jie)构(gou)相比(bi)，还具(ju)有(you)体(ti)(ti)积(ji)(ji)小(xiao)、重量(liang)轻、结(jie)(jie)(jie)构(gou)紧凑、连(lian)接线简(jian)单，便于(yu)维护(hu)和(he)(he)安装(zhuang)等优(you)点，因而大(da)(da)大(da)(da)缩(suo)小(xiao)变流装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)体(ti)(ti)积(ji)(ji)、降(jiang)低装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)重量(liang)和(he)(he)成本(ben)，提高(gao)了装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率和(he)(he)可(ke)靠(kao)性。且模(mo)块(kuai)的(de)(de)(de)(de)(de)主电(dian)极端子、控制端子和(he)(he)辅助端子与(yu)(yu)模(mo)块(kuai)铜底(di)板(ban)之间(jian)具(ju)有(you)2.5KV以上(shang)(shang)有(you)效(xiao)值(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)绝缘耐压，使之能与(yu)(yu)装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)内各种不同模(mo)块(kuai)共同安装(zhuang)在一(yi)个接地的(de)(de)(de)(de)(de)散热(re)器(qi)(qi)上(shang)(shang)，有(you)利于(yu)装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)体(ti)(ti)积(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)进(jin)一(yi)步缩(suo)小(xiao)，简(jian)化装(zhuang)置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)结(jie)(jie)(jie)构(gou)设计(ji)。

20世(shi)纪80年代(dai)初，绝缘栅双(shuang)极(ji)晶体(ti)管（IBGT）、功率(lv)MOS场(chang)效(xiao)应管（POWER MOSFET）和(he)(he)(he)集(ji)成门极(ji)换(huan)流(liu)(liu)(liu)(liu)晶闸管（IGCT）的(de)(de)(de)(de)研制成功，并得到急剧(ju)发(fa)(fa)展和(he)(he)(he)商品化(hua)(hua)，这(zhei)不(bu)仅对(dui)电(dian)(dian)(dian)(dian)力电(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)变(bian)流(liu)(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)(qi)向(xiang)高(gao)频(pin)化(hua)(hua)发(fa)(fa)展提(ti)供了(le)坚实的(de)(de)(de)(de)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)基础(chu)，同时，也(ye)为(wei)用电(dian)(dian)(dian)(dian)设(she)备(bei)高(gao)频(pin)化(hua)(hua)（20KHZ以(yi)上(shang)）和(he)(he)(he)高(gao)频(pin)设(she)备(bei)固态化(hua)(hua)、为(wei)高(gao)效(xiao)、节电(dian)(dian)(dian)(dian)、节能(neng)(neng)、节材，为(wei)实现机电(dian)(dian)(dian)(dian)一体(ti)化(hua)(hua)、小型化(hua)(hua)、轻量化(hua)(hua)和(he)(he)(he)智能(neng)(neng)化(hua)(hua)提(ti)供了(le)重要技(ji)术基础(chu)。与(yu)此同时，给IGBT、功率(lv)MOSFET以(yi)及IGCT等开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)配(pei)套(tao)的(de)(de)(de)(de)，且不(bu)可缺少(shao)的(de)(de)(de)(de)FRD和(he)(he)(he)FRED器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)也(ye)得到飞快发(fa)(fa)展。因为(wei)随着装置工作开(kai)(kai)关(guan)频(pin)率(lv)的(de)(de)(de)(de)提(ti)高(gao)，若没有FRD和(he)(he)(he)FRED给高(gao)频(pin)变(bian)频(pin)装置的(de)(de)(de)(de)开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)作续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)、吸收、箝位(wei)、隔离、输入整流(liu)(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)(qi)和(he)(he)(he)输出整流(liu)(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)配(pei)套(tao)，那(nei)么IGBT、功率(lv)MOSFET和(he)(he)(he)IGCT等高(gao)频(pin)开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)就不(bu)能(neng)(neng)发(fa)(fa)挥它们应有功能(neng)(neng)和(he)(he)(he)独特作用，这(zhei)是由于FRED的(de)(de)(de)(de)关(guan)断特性参数（反向(xiang)恢(hui)复时间trr、反向(xiang)恢(hui)复电(dian)(dian)(dian)(dian)荷Qrr和(he)(he)(he)反向(xiang)峰值(zhi)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)IRM）的(de)(de)(de)(de)作用所(suo)致，最佳和(he)(he)(he)合适参数的(de)(de)(de)(de)FRED、作为(wei)续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)二极(ji)管与(yu)高(gao)频(pin)开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)协调工作，使高(gao)频(pin)逆变(bian)电(dian)(dian)(dian)(dian)路内因开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)换(huan)流(liu)(liu)(liu)(liu)所(suo)引起(qi)的(de)(de)(de)(de)过电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)尖峰，高(gao)频(pin)干(gan)扰电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)以(yi)及EMI干(gan)扰可降至最低，也(ye)可降低功耗，使开(kai)(kai)关(guan)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)功能(neng)(neng)得到充(chong)分(fen)的(de)(de)(de)(de)发(fa)(fa)挥。

超(chao)快恢复二极(ji)管模块(kuai)(FRED)类型MEO，MEE，MEA和MEK(图1)是分(fen)立型DESEI向大电流(liu)的扩展，其特性不变(bian)。它可(ke)以用在所有MOSFET，IGBT或(huo)双极(ji)性达(da)林顿管电路中，工作频率(lv)要高(gao)于1kHz。

如(ru)果要(yao)用几个分立(li)二极管(guan)(guan)(guan)井(jing)联成小模(mo)块，换(huan)用这(zhei)些模(mo)块可减小安装时间和(he)设备尺寸。一般FRED可用作大电(dian)(dian)流(liu)的(de)IGBT或(huo)积极性达(da)林顿管(guan)(guan)(guan)的(de)续流(liu)二极管(guan)(guan)(guan)，或(huo)用作电(dian)(dian)源和(he)焊接(jie)机的(de)快(kuai)速(su)整流(liu)管(guan)(guan)(guan)。下(xia)面是(shi)一系列超快(kuai)恢复二极管(guan)(guan)(guan)模(mo)块(FRED)的(de)应(ying)用。

A. 用(yong)作拖动和(he)UPS系统中单(dan)相或三(san)相逆变器的(de)续(xu)流(liu)二极管，采用(yong)PWM控(kong)制，开(kai)关频率高(gao)于1kHz(图(tu)1)。

B. 用作(zuo)开(kai)关电(dian)源或伺服(fu)驱动的续(xu)流二极管(guan)

(a)使用MOSFET和肖特基阻断二极管的对称全侨电(dian)路(图2a))

(b)使(shi)用(yong)MOSFET的(de)正激变(bian)换器(qi)和直(zhi)流电机驱动的(de)不对称全桥图(图2b))

C. 用作电源(yuan)或焊接机的整流

全波(bo)整流(liu)电路(图(tu)4(a))中，根据负载电流(liu)的大小(xiao)，可选择几个MEO模块并联。

共阴极拓朴(图4(b))中，根据负载电流(liu)的大小，可选(xuan)择几个MEK模块井(jing)联。

 共阳极拓朴(图4(c))中(zhong)，根(gen)据负载电流(liu)的大(da)小，可(ke)选择几个MEA模(mo)块并联。

全桥整流(liu)电路(lu)(图4(d))中，根(gen)据负载电流(liu)的(de)大小，可选择几(ji)个MEE或(huo)MEO模块(kuai)并联。

高(gao)压输出的全桥(qiao)整(zheng)流电路(图(tu)4(e))中，可使用(yong)两个MEE模(mo)块串联获得高(gao)阻断电压。

所有的(de)(de)超快恢复(fu)二极管(guan)模(mo)块(FRED)中(zhong)连续直流电流IFAVM的(de)(de)数值(zhi)是在散热器温(wen)(wen)(wen)度TS=65℃，结(jie)温(wen)(wen)(wen)TVJM=125℃(温(wen)(wen)(wen)差60℃)的(de)(de)条(tiao)件(jian)下给(ji)出的(de)(de)。

如与(yu)别的产品(pin)比较，要确定两个(ge)模块的结芯与(yu)散热器温差(cha)相等，因为(wei)温差(cha)决定可流过的正向电流。

而且。超快(kuai)恢复二(er)极(ji)管模块(FRED)的电流定额和阻断损耗(hao)都是在TVJ=125℃和占空比d=50%条(tiao)件(jian)下的。

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。

关注「KIA半导体」，做优秀工程师！

长按二维码识别关注

阅读原文可一键关注+技术总汇