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碳化硅二极管参数
碳化硅二极管介绍及优势

碳化硅(gui)JFET有着(zhe)高(gao)输入阻(zu)抗、低噪声和(he)线性(xing)度(du)好(hao)等特(te)点，是目(mu)前发展(zhan)较快(kuai)的(de)(de)(de)(de)碳化硅(gui)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)之一(yi)，并且(qie)率(lv)先实现(xian)了商业化。与(yu)MOSFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)相比，JFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)不存在栅氧层缺陷(xian)造成的(de)(de)(de)(de)可靠性(xing)问(wen)题和(he)载(zai)流子(zi)(zi)迁移率(lv)过低的(de)(de)(de)(de)限制，同(tong)时单极(ji)性(xing)工(gong)作(zuo)特(te)性(xing)使(shi)其保持(chi)了良(liang)好(hao)的(de)(de)(de)(de)高(gao)频工(gong)作(zuo)能(neng)力(li)(li)。另外，JFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)具有更佳的(de)(de)(de)(de)高(gao)温工(gong)作(zuo)稳定(ding)性(xing)和(he)可靠性(xing)。碳化硅(gui)JFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)门极(ji)的(de)(de)(de)(de)结(jie)型结(jie)构使(shi)得通(tong)常(chang)(chang)JFET的(de)(de)(de)(de)阈值电(dian)(dian)(dian)压大多(duo)为负，即常(chang)(chang)通(tong)型器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)，这对于电(dian)(dian)(dian)力(li)(li)电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)应用极(ji)为不利，无法与(yu)目(mu)前通(tong)用的(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路兼(jian)容。美(mei)国Semisouth公(gong)司和(he)Rutgers大学(xue)通(tong)过引入沟槽注入式或者台面沟槽结(jie)构(TIVJFET)的(de)(de)(de)(de)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)工(gong)艺(yi)，开发出常(chang)(chang)断工(gong)作(zuo)状态的(de)(de)(de)(de)增强型器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)。但是增强型器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)往(wang)往(wang)是在牺牲一(yi)定(ding)的(de)(de)(de)(de)正向(xiang)导通(tong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)特(te)性(xing)的(de)(de)(de)(de)情(qing)况下形成的(de)(de)(de)(de)，因此常(chang)(chang)通(tong)型(耗尽型)JFET更容易(yi)实现(xian)更高(gao)功率(lv)密(mi)度(du)和(he)电(dian)(dian)(dian)流能(neng)力(li)(li)，而耗尽型JFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)可以通(tong)过级联(lian)(lian)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法实现(xian)常(chang)(chang)断型工(gong)作(zuo)状态。级联(lian)(lian)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法是通(tong)过串联(lian)(lian)一(yi)个(ge)低压的(de)(de)(de)(de)Si基(ji)MOSFET来实现(xian)。级联(lian)(lian)后的(de)(de)(de)(de)JFET器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路与(yu)通(tong)用的(de)(de)(de)(de)硅(gui)基(ji)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路自然(ran)兼(jian)容。级联(lian)(lian)的(de)(de)(de)(de)结(jie)构非常(chang)(chang)适用于在高(gao)压高(gao)功率(lv)场(chang)合替(ti)代原有的(de)(de)(de)(de)硅(gui)IGBT器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)，并且(qie)直接回(hui)避了驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)(de)(de)兼(jian)容问(wen)题。

目前，碳化(hua)硅JFET器件(jian)以(yi)及实现(xian)一(yi)定(ding)程度的(de)产(chan)业化(hua)，主要由Infineon和SiCED公(gong)(gong)司推出的(de)产(chan)品为(wei)主。产(chan)品电(dian)(dian)压(ya)等(deng)级(ji)在(zai)1200V、1700V，单(dan)管(guan)(guan)电(dian)(dian)流等(deng)级(ji)最高可以(yi)达20A，模块(kuai)(kuai)(kuai)的(de)电(dian)(dian)流等(deng)级(ji)可以(yi)达到(dao)100A以(yi)上。2011年，田纳西大学报到(dao)了50kW的(de)碳化(hua)硅模块(kuai)(kuai)(kuai)，该(gai)模块(kuai)(kuai)(kuai)采用(yong)1200V/25A的(de)SiC  JFET并(bing)联(lian)，反并(bing)联(lian)二(er)极(ji)管(guan)(guan)为(wei)SiCSBD。2011年，GlobalPowerElectronics研制了使用(yong)SiCJFET制作的(de)高温条(tiao)件(jian)下SiC三相(xiang)逆(ni)变器的(de)研究，该(gai)模块(kuai)(kuai)(kuai)峰值功率(lv)为(wei)50kW(该(gai)模块(kuai)(kuai)(kuai)在(zai)中等(deng)负载等(deng)级(ji)下的(de)效率(lv)为(wei)98.5%@10kHz、10kW，比起Si模块(kuai)(kuai)(kuai)效率(lv)更(geng)高。2013年Rockwell  公(gong)(gong)司采用(yong)600V /5A  MOS增强型JFET以(yi)及碳化(hua)硅二(er)极(ji)管(guan)(guan)并(bing)联(lian)制作了电(dian)(dian)流等(deng)级(ji)为(wei)25A的(de)三相(xiang)电(dian)(dian)极(ji)驱动模块(kuai)(kuai)(kuai)，并(bing)与现(xian)今较(jiao)(jiao)为(wei)先进的(de)IGBT、pin二(er)极(ji)管(guan)(guan)模块(kuai)(kuai)(kuai)作比较(jiao)(jiao)：在(zai)同等(deng)功率(lv)等(deng)级(ji)下(25A/600V)，面(mian)积减(jian)少到(dao)60%，该(gai)模块(kuai)(kuai)(kuai)旨在(zai)减(jian)小通态损耗以(yi)及开(kai)关损耗以(yi)及功率(lv)回(hui)路当中的(de)过压(ya)过流。

碳(tan)(tan)化硅（SiC）是目前(qian)发(fa)展(zhan)最成熟的(de)宽禁(jin)带(dai)半导(dao)(dao)体材料，世界各国(guo)对SiC的(de)研究非常(chang)重视(shi)，纷纷投入大量(liang)的(de)人力物力积极发(fa)展(zhan)，美国(guo)、欧洲、日本等不仅从国(guo)家层面上制(zhi)定了相应的(de)研究规划，而(er)且(qie)一些(xie)国(guo)际电子业巨(ju)头也都投入巨(ju)资发(fa)展(zhan)碳(tan)(tan)化硅半导(dao)(dao)体器(qi)件。

碳化硅二极管供应商

KIA半导体根据日益严苛(ke)的(de)(de)行(xing)业(ye)标准和市场对(dui)高能(neng)效产品的(de)(de)需求，推出新型600V-1700V碳化硅(gui)二极管，可帮助制造商满足(zu)这些不(bu)断(duan)上升的(de)(de)能(neng)效需求，提供更好的(de)(de)可靠性、耐用性和成(cheng)本效率(lv)。

碳化硅二极管产品特点

碳化(hua)硅(gui)二(er)极(ji)管的(de)产(chan)品(pin)特点，KIA半导体设计(ji)生产(chan)的(de)碳化(hua)硅(gui)二(er)极(ji)管具有较短(duan)的(de)恢复时(shi)(shi)间、温(wen)度(du)对于(yu)开关(guan)行为的(de)影(ying)响较小、标准(zhun)工作温(wen)度(du)范围为-55℃到(dao)175℃，大(da)大(da)降低(di)散热器的(de)需求。碳化(hua)硅(gui)二(er)极(ji)管的(de)主要优(you)势在于(yu)它具有超快的(de)开关(guan)速度(du)且无反向(xiang)恢复电流(liu)，与硅(gui)器件(jian)相(xiang)比，它能(neng)够大(da)大(da) 降低(di)开关(guan)损(sun)耗并实现(xian)卓越的(de)能(neng)效(xiao)。更快的(de)开关(guan)速度(du)同时(shi)(shi)也能(neng)让制造商减小产(chan)品(pin)电磁线圈以及相(xiang)关(guan)无源组件(jian)的(de)尺寸(cun)，从而提(ti)高组装(zhuang)效(xiao)率，减轻系统重量，并降低(di)物料（BOM）成(cheng)本(ben)。

碳化硅二极管应用领域

1、太阳能(neng)逆(ni)变器

2、不间(jian)断电源(yuan)

3、电(dian)动车

4、HID照明

5、功率因数校正(zheng)

6、开关模式电源

碳化硅二极管参数

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