场效应管工作原理图

这(zhei)是该(gai)装置的核心，在(zai)介绍(shao)该(gai)部分(fen)工作原(yuan)理之(zhi)前(qian)，先(xian)简单(dan)解(jie)释一下MOS场效应(ying)管工作原(yuan)理图。

MOS场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)也(ye)被称(cheng)为MOSFET， 既(ji)Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金(jin)属氧化物半(ban)导(dao)体场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)）的(de)(de)(de)(de)(de)缩(suo)写。它(ta)一般(ban)有耗尽型(xing)(xing)(xing)和增强型(xing)(xing)(xing)两种(zhong)。本文使用的(de)(de)(de)(de)(de)为增强型(xing)(xing)(xing)MOS 场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)，其内(nei)部结(jie)构见(jian)图(tu)(tu)5。它(ta)可分为NPN型(xing)(xing)(xing)PNP型(xing)(xing)(xing)。NPN型(xing)(xing)(xing)通常称(cheng)为N沟(gou)(gou)(gou)道型(xing)(xing)(xing)，PNP型(xing)(xing)(xing)也(ye)叫P沟(gou)(gou)(gou)道型(xing)(xing)(xing)。由(you)图(tu)(tu)可看出(chu)，对(dui)于N沟(gou)(gou)(gou)道的(de)(de)(de)(de)(de)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)其源极和漏极接在N型(xing)(xing)(xing)半(ban)导(dao)体上(shang)，同样对(dui)于P沟(gou)(gou)(gou)道的(de)(de)(de)(de)(de)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)其源极和漏极则(ze)接在P型(xing)(xing)(xing)半(ban)导(dao)体上(shang)。我(wo)们知道一般(ban)三极管(guan)(guan)(guan)是(shi)(shi)由(you)输(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)流控制输(shu)(shu)出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)流。但(dan)对(dui)于MOS场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)工作原理图(tu)(tu)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)，其输(shu)(shu)出(chu)电(dian)流是(shi)(shi)由(you)输(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)压（或称(cheng)电(dian)场(chang)(chang)(chang)）控制，可以认为输(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)电(dian)流极小或没(mei)有输(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)电(dian)流，这使得该器件有很高的(de)(de)(de)(de)(de)输(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)阻抗，同时这也(ye)是(shi)(shi)我(wo)们称(cheng)之为场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)原因。

为解释MOS

场(chang)效应管(guan)(guan)(guan)的工作(zuo)(zuo)原理(li)，我们(men)先了(le)解一(yi)下(xia)仅含有一(yi)个P—N结(jie)的二(er)(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)的工作(zuo)(zuo)过(guo)(guo)(guo)程。如图所示，我们(men)知道(dao)在(zai)二(er)(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)加(jia)上正(zheng)(zheng)(zheng)向电(dian)(dian)(dian)压(ya)（P端(duan)(duan)接(jie)(jie)正(zheng)(zheng)(zheng)极(ji)，N端(duan)(duan)接(jie)(jie)负极(ji)）时(shi)，二(er)(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)导(dao)(dao)通(tong)，其PN结(jie)有电(dian)(dian)(dian)流(liu)通(tong)过(guo)(guo)(guo)。这是因为(wei)(wei)在(zai)P型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)为(wei)(wei)正(zheng)(zheng)(zheng)电(dian)(dian)(dian)压(ya)时(shi)，N型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)内的负电(dian)(dian)(dian)子(zi)被吸引而涌向加(jia)有正(zheng)(zheng)(zheng)电(dian)(dian)(dian)压(ya)的P型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)，而P型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)内的正(zheng)(zheng)(zheng)电(dian)(dian)(dian)子(zi)则朝N型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)运动，从(cong)而形成导(dao)(dao)通(tong)电(dian)(dian)(dian)流(liu)。同(tong)理(li)，当二(er)(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)加(jia)上反向电(dian)(dian)(dian)压(ya)（P端(duan)(duan)接(jie)(jie)负极(ji)，N端(duan)(duan)接(jie)(jie)正(zheng)(zheng)(zheng)极(ji)）时(shi)，这时(shi)在(zai)P型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)为(wei)(wei)负电(dian)(dian)(dian)压(ya)，正(zheng)(zheng)(zheng)电(dian)(dian)(dian)子(zi)被聚集(ji)在(zai)P型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)，负电(dian)(dian)(dian)子(zi)则聚集(ji)在(zai)N型(xing)半(ban)(ban)导(dao)(dao)体(ti)端(duan)(duan)，电(dian)(dian)(dian)子(zi)不移动，其PN结(jie)没有电(dian)(dian)(dian)流(liu)通(tong)过(guo)(guo)(guo)，二(er)(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)截止。

对于(yu)(yu)MOS场(chang)效应(ying)管(guan)工作(zuo)原理(li)图(tu)(tu)（见(jian)图(tu)(tu)7），在(zai)(zai)栅极没有电(dian)压(ya)时，由(you)(you)前面分析(xi)可知，在(zai)(zai)源极与漏(lou)极之间(jian)(jian)不(bu)会有电(dian)流流过，此时场(chang)效应(ying)管(guan)处与截止状(zhuang)态（图(tu)(tu)7a）。当有一(yi)个(ge)正电(dian)压(ya)加在(zai)(zai)N沟道(dao)的(de)(de)(de)MOS场(chang)效应(ying)管(guan)栅极上时，由(you)(you)于(yu)(yu)电(dian)场(chang)的(de)(de)(de)作(zuo)用，此时N型(xing)(xing)半(ban)导体的(de)(de)(de)源极和漏(lou)极的(de)(de)(de)负电(dian)子被吸引(yin)出(chu)(chu)来而涌(yong)向栅极，但由(you)(you)于(yu)(yu)氧(yang)化(hua)膜的(de)(de)(de)阻挡，使得电(dian)子聚(ju)集在(zai)(zai)两个(ge)N沟道(dao)之间(jian)(jian)的(de)(de)(de)P型(xing)(xing)半(ban)导体中（见(jian)图(tu)(tu)7b），从而形成电(dian)流，使源极和漏(lou)极之间(jian)(jian)导通。我(wo)们也可以(yi)想像为(wei)两个(ge)N型(xing)(xing)半(ban)导体之间(jian)(jian)为(wei)一(yi)条沟，栅极电(dian)压(ya)的(de)(de)(de)建立相(xiang)当于(yu)(yu)为(wei)它们之间(jian)(jian)搭了(le)一(yi)座桥梁，该桥的(de)(de)(de)大小(xiao)由(you)(you)栅压(ya)的(de)(de)(de)大小(xiao)决定。图(tu)(tu)8给出(chu)(chu)了(le)P沟道(dao)的(de)(de)(de)MOS场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)工作(zuo)过程，其工作(zuo)原理(li)类似(si)这里不(bu)再重复。

下面简(jian)述一(yi)下用(yong)C-MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)（增强(qiang)(qiang)型(xing)MOS 场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)）组成的应(ying)用(yong)电(dian)(dian)路(lu)(lu)的工作(zuo)过程（见图9）。电(dian)(dian)路(lu)(lu)将一(yi)个增强(qiang)(qiang)型(xing)P沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)和(he)一(yi)个增强(qiang)(qiang)型(xing)N沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)组合在(zai)(zai)(zai)一(yi)起(qi)使(shi)用(yong)。当输入(ru)(ru)(ru)端(duan)(duan)为(wei)低电(dian)(dian)平时(shi)(shi)，P沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)导(dao)通(tong)(tong)(tong)，输出(chu)端(duan)(duan)与电(dian)(dian)源(yuan)正(zheng)极接通(tong)(tong)(tong)。当输入(ru)(ru)(ru)端(duan)(duan)为(wei)高电(dian)(dian)平时(shi)(shi)，N沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)导(dao)通(tong)(tong)(tong)，输出(chu)端(duan)(duan)与电(dian)(dian)源(yuan)地接通(tong)(tong)(tong)。在(zai)(zai)(zai)该(gai)电(dian)(dian)路(lu)(lu)中，P沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)和(he)N沟(gou)道(dao)MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)工作(zuo)原理图MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)总是在(zai)(zai)(zai)相反的状态下工作(zuo)，其相位输入(ru)(ru)(ru)端(duan)(duan)和(he)输出(chu)端(duan)(duan)相反。通(tong)(tong)(tong)过这种工作(zuo)方式我们可以获得(de)较大的电(dian)(dian)流(liu)输出(chu)。同(tong)时(shi)(shi)由于漏电(dian)(dian)流(liu)的影响，使(shi)得(de)栅(zha)压在(zai)(zai)(zai)还没(mei)有到0V，通(tong)(tong)(tong)常在(zai)(zai)(zai)栅(zha)极电(dian)(dian)压小于1到2V时(shi)(shi)，MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)既被关断(duan)。不同(tong)场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)其关断(duan)电(dian)(dian)压略(lve)有不同(tong)。也(ye)正(zheng)因为(wei)如(ru)此(ci)，使(shi)得(de)该(gai)电(dian)(dian)路(lu)(lu)不会因为(wei)两管(guan)同(tong)时(shi)(shi)导(dao)通(tong)(tong)(tong)而造成电(dian)(dian)源(yuan)短路(lu)(lu)。

场效应管三个极

效应(ying)管是(shi)只有一种载流子参与导电，用输(shu)入电压控制输(shu)出电流的半导体器(qi)件(jian)。有N沟(gou)道器(qi)件(jian)和(he)(he)P沟(gou)道器(qi)件(jian)。有结型(xing)(xing)场(chang)(chang)效应(ying)三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和(he)(he)绝(jue)缘(yuan)栅(zha)型(xing)(xing)场(chang)(chang)效应(ying)三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分(fen)。IGFET也称(cheng)金属-氧化(hua)物(wu)-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。MOS场(chang)(chang)效应(ying)管有增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)（Enhancement MOS 或EMOS）和(he)(he)耗尽型(xing)(xing)(Depletion)MOS或DMOS）两(liang)大类，每一类有N沟(gou)道和(he)(he)P沟(gou)道两(liang)种导电类型(xing)(xing)。

场效(xiao)应管有(you)三个电极：

D(Drain) 称为漏(lou)极(ji)，相当双极(ji)型(xing)三极(ji)管(guan)的集电极(ji)；

G(Gate) 称为栅极，相当于双极型(xing)三极管的基极；

S(Source) 称为(wei)源(yuan)极(ji)(ji)，相当于双极(ji)(ji)型三极(ji)(ji)管的发射极(ji)(ji)。

增强型MOS场效应管

道增(zeng)强(qiang)型MOSFET基本上是(shi)(shi)一(yi)种左右(you)对称(cheng)的(de)拓扑结构，它是(shi)(shi)在(zai)P型半(ban)导(dao)体上生成一(yi)层(ceng)SiO2 薄膜绝(jue)缘层(ceng)，然后用(yong)光刻工艺(yi)扩(kuo)散(san)两个(ge)高掺杂的(de)N型区(qu)，从(cong)N型区(qu)引出电极(ji)(ji)，一(yi)个(ge)是(shi)(shi)漏(lou)极(ji)(ji)D，一(yi)个(ge)是(shi)(shi)源极(ji)(ji)S。在(zai)源极(ji)(ji)和漏(lou)极(ji)(ji)之间的(de)绝(jue)缘层(ceng)上镀一(yi)层(ceng)金属铝作(zuo)为栅极(ji)(ji) G。P型半(ban)导(dao)体称(cheng)为衬(chen)底(substrat)，用(yong)符号B表示。

工作原理

1．沟道形成原理

当(dang)Vgs=0 V时(shi)，漏源之(zhi)间(jian)相当(dang)两个背靠背的二极(ji)管，在(zai)D、S之(zhi)间(jian)加上电压，不会在(zai)D、S间(jian)形成电流。

当栅(zha)极(ji)(ji)加(jia)有电压(ya)(ya)时，若(ruo)0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为(wei)开启(qi)电压(ya)(ya)），通过(guo)栅(zha)极(ji)(ji)和衬底间的(de)电容作用(yong)，将靠(kao)近栅(zha)极(ji)(ji)下方的(de)P型半导体中的(de)空(kong)穴向下方排(pai)斥(chi)，出(chu)现了(le)一薄层(ceng)负(fu)离(li)子的(de)耗(hao)尽层(ceng)。耗(hao)尽层(ceng)中的(de)少(shao)子将向表层(ceng)运动，但数量有限，不(bu)足(zu)以(yi)形成沟道，所以(yi)仍然不(bu)足(zu)以(yi)形成漏极(ji)(ji)电流ID。

进(jin)一步增加(jia)Vgs，当Vgs＞Vgs(th)时(shi)，由于此时(shi)的栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)压已经比较强，在靠近栅(zha)极(ji)(ji)下(xia)方的P型半导体(ti)表层(ceng)中(zhong)聚集较多的电(dian)子(zi)，可以(yi)形(xing)成沟道，将(jiang)漏(lou)极(ji)(ji)和源(yuan)极(ji)(ji)沟通。如(ru)果此时(shi)加(jia)有(you)漏(lou)源(yuan)电(dian)压，就可以(yi)形(xing)成漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)ID。在栅(zha)极(ji)(ji)下(xia)方形(xing)成的导电(dian)沟道中(zhong)的电(dian)子(zi)，因与P型半导体(ti)的载流(liu)子(zi)空穴极(ji)(ji)性(xing)相反(fan)，故称为反(fan)型层(ceng)（inversion layer）。随着Vgs的继续增加(jia)，ID将(jiang)不断增加(jia)。

在Vgs=0V时ID=0，只有(you)当Vgs＞Vgs(th)后才会出现(xian)漏极电流，这(zhei)种MOS管称为(wei)增强型MOS管。

VGS对漏极电流(liu)的控制关(guan)系可(ke)用iD=f(vGS)|VDS=const这一曲线(xian)描述，称为转移特性曲线(xian)，见图。

转移特性曲(qu)线斜率gm的大小(xiao)反映了栅源电压对漏极(ji)电流的控制作用。 gm 的量(liang)纲为mA/V，所(suo)以gm也称为跨导。

跨导的定义式如下：

gm=△ID/△VGS|(单位mS)

2． Vds对沟道导电能力的控制

当Vgs＞Vgs(th)，且固(gu)定为(wei)某一值(zhi)时，来(lai)分析漏(lou)源电压Vds对(dui)漏(lou)极(ji)电流(liu)ID的影响。Vds的不同变化(hua)对(dui)沟道的影响如图所示(shi)。

根(gen)据此图可以(yi)有如下关(guan)系:

VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS

VGD=VGS—VDS

当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟(gou)道呈斜线(xian)分布。在紧(jin)靠(kao)漏极(ji)处，沟(gou)道达到(dao)开启的程度以(yi)上，漏源之间有电流(liu)通过。

当(dang)VDS 增(zeng)加到使VGD=VGS(th)时，相(xiang)当(dang)于(yu)VDS增(zeng)加使漏(lou)极处沟道缩减到刚刚开启的(de)情(qing)况，称(cheng)为预(yu)夹(jia)断，此时的(de)漏(lou)极电流ID基本饱和(he)。

当VDS增加到 VGD

当VGS＞VGS(th)，且固(gu)定为某一值时，VDS对ID的(de)影响，即iD=f(vDS)|VGS=const这一关系(xi)曲(qu)线(xian)如(ru)图所示。

这一曲线称(cheng)为漏极(ji)输(shu)出特(te)性(xing)曲线。

伏安特性

1． 非饱和区

非饱和区（Nonsaturation Region）又称可变电阻区，是沟道未被预夹断的工作区。由不等式VGS>VGS(th)、VDS

2．饱和区

饱和区(qu)(Saturation Region)又称放大区(qu)，是沟道预夹断后所(suo)对应的(de)工作区(qu)。由不(bu)等式(shi)(shi)VGS>VGS(th)、VDS>VGS-VGS(th) 限定(ding)。漏极电(dian)流表达(da)式(shi)(shi)：

在这个工作区内，ID受VGS控制。考(kao)虑厄尔利效应的(de)ID表达(da)式：

3．截止区和亚阈区

VGS

4．击穿区

当VDS 增(zeng)大到足以使漏(lou)区(qu)与衬底间PN结引发雪崩击(ji)穿时，ID迅(xun)速(su)增(zeng)加，管子进入击(ji)穿区(qu)。

场效应管的主要参数

① 开启(qi)电压(ya)VGS(th) (或(huo)VT)

开启电压是MOS增强型管的(de)参(can)数，栅(zha)源(yuan)电压小于开启电压的(de)绝(jue)对值，场(chang)效应(ying)管不(bu)能导通。

② 夹断电压VGS(off) (或VP)

夹断电压是耗尽型(xing)FET的参数(shu)，当(dang)VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零。

③ 饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极(ji)管，当VGS=0时(shi)所对应的漏极(ji)电流。

④ 输入电阻RGS

场效应(ying)三(san)极(ji)管的栅源输入电阻(zu)的典型值，对于结型场效应(ying)三(san)极(ji)管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应(ying)三(san)极(ji)管，RGS约是(shi)109～1015Ω。

⑤ 低频跨导gm

低频(pin)跨(kua)导反(fan)映了栅(zha)压(ya)对漏极电流的控(kong)制作用，这(zhei)一点与电子(zi)(zi)管的控(kong)制作用十分(fen)相像(xiang)。gm可以(yi)在转移特性曲线上求取(qu)，单(dan)位是mS(毫西门子(zi)(zi))。

⑥ 最大漏极功耗PDM

最大漏极(ji)功耗可由(you)PDM=VDS ID决定，与双极(ji)型三极(ji)管的PCM相当

定性判断MOS型场效应管的好坏

先用(yong)万(wan)用(yong)表R×10kΩ挡(dang)(内置有9V或15V电池(chi))，把(ba)负(fu)表笔(bi)(黑)接(jie)栅(zha)极(G)，正(zheng)表笔(bi)(红)接(jie)源(yuan)极(S)。给栅(zha)、源(yuan)极之(zhi)间充电，此时万(wan)用(yong)表指针有轻微(wei)偏转。再改用(yong)万(wan)用(yong)表R×1Ω挡(dang)，将负(fu)表笔(bi)接(jie)漏极(D)，正(zheng)笔(bi)接(jie)源(yuan)极(S)，万(wan)用(yong)表指示值(zhi)若为几欧姆，则说明场效应管(guan)是好的。

定性判断结型场效应管的电极

将万用表拨(bo)至R×100档(dang)，红表笔任(ren)意(yi)接一(yi)个脚(jiao)(jiao)(jiao)管，黑表笔则接另一(yi)个脚(jiao)(jiao)(jiao)管，使第三脚(jiao)(jiao)(jiao)悬空。若(ruo)发(fa)现表针(zhen)有轻微摆(bai)动(dong)，就证明第三脚(jiao)(jiao)(jiao)为栅极。欲获得更明显的(de)观察效果，还可利用人体靠近或(huo)者用手(shou)指触摸悬空脚(jiao)(jiao)(jiao)，只(zhi)要看到表针(zhen)作大幅度(du)偏转(zhuan)，即说明悬空脚(jiao)(jiao)(jiao)是栅极，其余二脚(jiao)(jiao)(jiao)分别是源极和漏(lou)极。

判断理由：

JFET的输(shu)入电(dian)(dian)阻大(da)(da)于(yu)(yu)100MΩ，并且跨导(dao)很高，当栅(zha)极(ji)(ji)开(kai)路时空间(jian)电(dian)(dian)磁场很容(rong)易在(zai)栅(zha)极(ji)(ji)上(shang)感应(ying)(ying)出电(dian)(dian)压(ya)(ya)信(xin)号，使管子趋(qu)于(yu)(yu)截(jie)止(zhi)，或趋(qu)于(yu)(yu)导(dao)通(tong)。若将人体感应(ying)(ying)电(dian)(dian)压(ya)(ya)直接加(jia)在(zai)栅(zha)极(ji)(ji)上(shang)，由于(yu)(yu)输(shu)入干扰信(xin)号较(jiao)强，上(shang)述现(xian)象会更加(jia)明(ming)显。如表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)左侧大(da)(da)幅度偏转(zhuan)，就意味着管子趋(qu)于(yu)(yu)截(jie)止(zhi)，漏(lou)-源极(ji)(ji)间(jian)电(dian)(dian)阻RDS增大(da)(da)，漏(lou)-源极(ji)(ji)间(jian)电(dian)(dian)流减小(xiao)IDS。反之(zhi)，表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)右侧大(da)(da)幅度偏转(zhuan)，说明(ming)管子趋(qu)向(xiang)(xiang)导(dao)通(tong)，RDS↓，IDS↑。但表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)究竟向(xiang)(xiang)哪(na)个方向(xiang)(xiang)偏转(zhuan)，应(ying)(ying)视感应(ying)(ying)电(dian)(dian)压(ya)(ya)的极(ji)(ji)性(正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压(ya)(ya)或反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压(ya)(ya))及(ji)管子的工作点而(er)定。

注意事项：

(1)试(shi)验表(biao)明，当两手(shou)与D、S极(ji)绝缘，只摸栅极(ji)时(shi)，表(biao)针一(yi)般向左偏转。但是(shi)，如果两手(shou)分别(bie)接触(chu)D、S极(ji)，并且用手(shou)指摸住栅极(ji)时(shi)，有可(ke)能观(guan)察到(dao)表(biao)针向右偏转的情形。其原因是(shi)人体几(ji)个部位和(he)电(dian)阻对场(chang)效应管起(qi)到(dao)偏置(zhi)作(zuo)用，使之进入饱和(he)区(qu)。

(2)也可以用舌(she)尖舔住栅极，现象同上。

晶体三极管管脚判别

三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)是由管(guan)(guan)芯(两个(ge)PN结)、三(san)个(ge)电(dian)极(ji)(ji)和(he)管(guan)(guan)壳组成，三(san)个(ge)电(dian)极(ji)(ji)分别叫集电(dian)极(ji)(ji)c、发射(she)极(ji)(ji)e和(he)基极(ji)(ji)b，目(mu)前常见(jian)的三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)是硅(gui)平面管(guan)(guan)，又分PNP和(he)NPN型两类。现在锗合(he)金管(guan)(guan)已经少见(jian)了。

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