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高耐压场效应管厂家

高(gao)耐压(ya)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)厂家(jia)介绍，深圳市利盈娱乐(le)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)科技有限公司主营半(ban)导(dao)(dao)体(ti)产品(pin)丰富，是(shi)一家(jia)国产MOS管(guan)(guan)厂家(jia)。专业从(cong)事中(zhong)、大、功率场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(MOSFET)、超结场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)、碳(tan)化硅二极管(guan)(guan)、碳(tan)化硅场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)、快速恢复二极管(guan)(guan)、三端稳压(ya)管(guan)(guan)开发设计，集研发、生产和销(xiao)售为(wei)一体(ti)的(de)国家(jia)高(gao)新技术企业。

强大的研发(fa)平台，使得KIA在工艺制造、产(chan)品设计方面拥有知识(shi)产(chan)权35项(xiang)，并掌握多项(xiang)场效应管核心制造技术。自(zi)主研发(fa)已经成为了企业(ye)的核心竞争力。

KIA半导体(ti)的(de)产(chan)品(pin)(pin)涵盖工业、新能(neng)源、交通运输、绿色照明(ming)四大领(ling)域(yu)，不仅包括(kuo)光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能(neng)源，也(ye)涉及汽车配件、LED照明(ming)等家(jia)庭用品(pin)(pin)。KIA专注于(yu)产(chan)品(pin)(pin)的(de)精细化与革新，力求为(wei)客(ke)户提(ti)供最具行业领(ling)先、品(pin)(pin)质(zhi)上乘的(de)科技产(chan)品(pin)(pin)。

公司成立初期就明确立足本(ben)市(shi)场，研(yan)发(fa)为先导，了解客(ke)户需求，运用创(chuang)新(xin)的(de)集成电(dian)路设计方案和国际同(tong)步研(yan)发(fa)技术，结合中国市(shi)场的(de)特点(dian)，向市(shi)场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电(dian)源相关产品，产品的(de)稳定性(xing)，高性(xing)价比，良好的(de)服务，以及和客(ke)户充(chong)分的(de)技术，市(shi)场沟通的(de)严谨(jin)态度.在移(yi)动(dong)数(shu)码，LCE,HID,LED,电(dian)动(dong)车(che)，开关电(dian)源，逆(ni)变器(qi)，节(jie)能灯等领域深得(de)客(ke)户认可(ke)。

高耐压场效应管封装

高耐压场效应管参数型号

注：这里列出了部分型号，需了解更多，请联系我们！

高耐压场效应管工作原理

场效应管工作原理(li)用一句话说，就是(shi)(shi)“漏(lou)极(ji)(ji)(ji)-源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)间(jian)流(liu)经沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)(de)ID，用以栅极(ji)(ji)(ji)与沟(gou)道(dao)间(jian)的(de)(de)(de)(de)pn结形成的(de)(de)(de)(de)反偏的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)电压控制ID”。更正确地说，ID流(liu)经通路的(de)(de)(de)(de)宽度(du)，即(ji)沟(gou)道(dao)截(jie)面积(ji)，它是(shi)(shi)由pn结反偏的(de)(de)(de)(de)变(bian)(bian)化，产生(sheng)耗尽层(ceng)扩(kuo)(kuo)展变(bian)(bian)化控制的(de)(de)(de)(de)缘故。在VGS=0的(de)(de)(de)(de)非(fei)饱和区(qu)域，表示的(de)(de)(de)(de)过渡层(ceng)的(de)(de)(de)(de)扩(kuo)(kuo)展因(yin)为不(bu)很大(da)，根(gen)据(ju)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)-源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)间(jian)所加VDS的(de)(de)(de)(de)电场，源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)区(qu)域的(de)(de)(de)(de)某些电子被(bei)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)拉去，即(ji)从(cong)(cong)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)向源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)有电流(liu)ID流(liu)动。从(cong)(cong)门极(ji)(ji)(ji)向漏(lou)极(ji)(ji)(ji)扩(kuo)(kuo)展的(de)(de)(de)(de)过度(du)层(ceng)将沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)(de)一部分构成堵塞(sai)型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层(ceng)将沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)(de)一部分阻挡，并不(bu)是(shi)(shi)电流(liu)被(bei)切断。

在过(guo)(guo)(guo)渡层(ceng)由于没有电子(zi)、空穴的(de)自由移动，在理想状态下(xia)几乎具有绝缘特性，通(tong)常电流也难流动。但是此(ci)时漏(lou)极-源(yuan)极间(jian)的(de)电场(chang)(chang)，实际上是两(liang)个过(guo)(guo)(guo)渡层(ceng)接触漏(lou)极与门极下(xia)部(bu)附近，由于漂(piao)移电场(chang)(chang)拉(la)(la)去的(de)高(gao)速电子(zi)通(tong)过(guo)(guo)(guo)过(guo)(guo)(guo)渡层(ceng)。因漂(piao)移电场(chang)(chang)的(de)强度几乎不变(bian)产生ID的(de)饱和现象(xiang)。其次(ci)，VGS向负的(de)方(fang)(fang)向变(bian)化，让VGS=VGS(off)，此(ci)时过(guo)(guo)(guo)渡层(ceng)大(da)致成为(wei)覆盖全区域的(de)状态。而(er)且VDS的(de)电场(chang)(chang)大(da)部(bu)分(fen)加到过(guo)(guo)(guo)渡层(ceng)上，将电子(zi)拉(la)(la)向漂(piao)移方(fang)(fang)向的(de)电场(chang)(chang)，只有靠近源(yuan)极的(de)很(hen)短部(bu)分(fen)，这更(geng)使电流不能流通(tong)。

1、MOS场效应管电源开关电路

MOS场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)也被称(cheng)(cheng)为(wei)金属(shu)氧(yang)化(hua)物半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有(you)耗尽(jin)型(xing)和增强型(xing)两种。增强型(xing)MOS场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)可分为(wei)NPN型(xing)PNP型(xing)。NPN型(xing)通常称(cheng)(cheng)为(wei)N沟(gou)道(dao)(dao)型(xing)，PNP型(xing)也叫(jiao)P沟(gou)道(dao)(dao)型(xing)。对(dui)于N沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)其源(yuan)极和漏(lou)极接(jie)在(zai)N型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)上，同(tong)样对(dui)于P沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)其源(yuan)极和漏(lou)极则接(jie)在(zai)P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)上。场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)输出电(dian)流(liu)是由输入(ru)的(de)(de)(de)电(dian)压（或称(cheng)(cheng)电(dian)场(chang)(chang)(chang)）控制(zhi)，可以认为(wei)输入(ru)电(dian)流(liu)极小或没有(you)输入(ru)电(dian)流(liu)，这使得该器件有(you)很高的(de)(de)(de)输入(ru)阻(zu)抗，同(tong)时这也是我们(men)称(cheng)(cheng)之为(wei)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)原因(yin)。

在二极(ji)管(guan)(guan)加(jia)上正(zheng)向电压（P端接正(zheng)极(ji)，N端接负极(ji)）时，二极(ji)管(guan)(guan)导通(tong)，其PN结有(you)电流通(tong)过。

这是因为(wei)在(zai)P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)为(wei)正(zheng)电(dian)压(ya)时(shi)(shi)，N型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体内的(de)负电(dian)子(zi)(zi)被吸引而涌向加有(you)正(zheng)电(dian)压(ya)的(de)P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)，而P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)内的(de)正(zheng)电(dian)子(zi)(zi)则朝N型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)运动，从而形成(cheng)导(dao)(dao)通(tong)电(dian)流(liu)(liu)。同理，当二(er)(er)极(ji)管加上反向电(dian)压(ya)（P端(duan)(duan)接(jie)负极(ji)，N端(duan)(duan)接(jie)正(zheng)极(ji)）时(shi)(shi)，这时(shi)(shi)在(zai)P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)为(wei)负电(dian)压(ya)，正(zheng)电(dian)子(zi)(zi)被聚(ju)集在(zai)P型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)，负电(dian)子(zi)(zi)则聚(ju)集在(zai)N型(xing)半(ban)导(dao)(dao)体端(duan)(duan)，电(dian)子(zi)(zi)不移动，其PN结没(mei)(mei)有(you)电(dian)流(liu)(liu)通(tong)过，二(er)(er)极(ji)管截(jie)(jie)止。在(zai)栅极(ji)没(mei)(mei)有(you)电(dian)压(ya)时(shi)(shi)，由前面分析可知，在(zai)源极(ji)与漏(lou)极(ji)之间不会有(you)电(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)过，此时(shi)(shi)场效应管处(chu)与截(jie)(jie)止状态(tai)。

当(dang)有一(yi)个正电(dian)(dian)压(ya)(ya)加(jia)在N沟道的(de)(de)(de)(de)(de)MOS场(chang)效(xiao)应(ying)管栅极上(shang)时，由于(yu)(yu)电(dian)(dian)场(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作用，此(ci)时N型(xing)半导(dao)体(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)源极和(he)漏极的(de)(de)(de)(de)(de)负电(dian)(dian)子(zi)被吸引出来而涌向(xiang)栅极，但由于(yu)(yu)氧化膜的(de)(de)(de)(de)(de)阻挡(dang)，使得电(dian)(dian)子(zi)聚(ju)集在两个N沟道之(zhi)(zhi)间(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)P型(xing)半导(dao)体(ti)中，从而形成电(dian)(dian)流，使源极和(he)漏极之(zhi)(zhi)间(jian)(jian)导(dao)通。可以想(xiang)像为两个N型(xing)半导(dao)体(ti)之(zhi)(zhi)间(jian)(jian)为一(yi)条沟，栅极电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)立相当(dang)于(yu)(yu)为它们之(zhi)(zhi)间(jian)(jian)搭了(le)一(yi)座桥梁，该桥的(de)(de)(de)(de)(de)大小(xiao)由栅压(ya)(ya)的(de)(de)(de)(de)(de)大小(xiao)决定。

2、C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）

电(dian)路将(jiang)一(yi)(yi)个增强型(xing)P沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)和(he)一(yi)(yi)个增强型(xing)N沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)组合在(zai)一(yi)(yi)起使用。当输入(ru)(ru)端(duan)为低电(dian)平时，P沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)导通，输出端(duan)与(yu)电(dian)源(yuan)正(zheng)极接通。当输入(ru)(ru)端(duan)为高电(dian)平时，N沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)导通，输出端(duan)与(yu)电(dian)源(yuan)地(di)接通。在(zai)该电(dian)路中(zhong)，P沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)和(he)N沟(gou)(gou)道(dao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)总是(shi)在(zai)相反(fan)的状态下工作，其(qi)相位输入(ru)(ru)端(duan)和(he)输出端(duan)相反(fan)。

通过(guo)这种工作方(fang)式我们(men)可以获得较大的电(dian)流输出。同(tong)时由于漏(lou)电(dian)流的影响，使(shi)得栅压(ya)在还没(mei)有到0V，通常(chang)在栅极电(dian)压(ya)小于1到2V时，MOS场效应管既被(bei)关(guan)断。不(bu)同(tong)场效应管其关(guan)断电(dian)压(ya)略有不(bu)同(tong)。也正因(yin)为(wei)如此，使(shi)得该电(dian)路(lu)不(bu)会因(yin)为(wei)两(liang)管同(tong)时导通而(er)造成(cheng)电(dian)源短路(lu)。

场效应管的作用详解

1.场效应(ying)(ying)管(guan)可应(ying)(ying)用(yong)于(yu)放大。由于(yu)场效应(ying)(ying)管(guan)放大器的输入阻抗很(hen)高，因此耦合电容可以容量(liang)较小，不(bu)必使用(yong)电解电容器。

2.场效(xiao)应管很高(gao)的输入(ru)阻抗(kang)非常适合作阻抗(kang)变(bian)换(huan)。常用于多级放大器的输入(ru)级作阻抗(kang)变(bian)换(huan)。

3.场(chang)效应(ying)管可以用作(zuo)可变电(dian)阻(zu)。

4.场效应管可(ke)以方便地用作恒流源。

5.场(chang)效应管可以用作电子开(kai)关。

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