整(zheng)流二极管(guan)的作用及其整(zheng)流电子电路图详解(jie)-KIA MOS管(guan)
信息来源(yuan):本站 日期:2020-01-13
一(yi)种将(jiang)交流电(dian)能(neng)转变(bian)为直流电(dian)能(neng)的半导体器件。通常它包含一(yi)个PN结(jie),有阳极和(he)阴极两个端(duan)子(zi)。
P区(qu)的载(zai)流(liu)子(zi)(zi)(zi)是空穴,N区(qu)的载(zai)流(liu)子(zi)(zi)(zi)是电(dian)子(zi)(zi)(zi),在P区(qu)和N区(qu)间形成一定(ding)的位(wei)(wei)垒。外加(jia)使P区(qu)相对N区(qu)为正的电(dian)压时,位(wei)(wei)垒降低,位(wei)(wei)垒两侧附近(jin)产生储存载(zai)流(liu)子(zi)(zi)(zi),能(neng)通过大电(dian)流(liu),具有(you)低的电(dian)压降(典型(xing)值为0.7V),称为正向导(dao)通状态(tai)。
若加(jia)相反(fan)的(de)(de)(de)电压,使位(wei)垒增加(jia),可(ke)承受高的(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电压,流过很小的(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电流(称(cheng)反(fan)向(xiang)漏电流),称(cheng)为反(fan)向(xiang)阻(zu)断状态。整流二极管(guan)具有明(ming)显(xian)的(de)(de)(de)单向(xiang)导(dao)电性。
整(zheng)(zheng)流二(er)极(ji)管可(ke)用(yong)半导体锗或硅(gui)等材料制(zhi)造。硅(gui)整(zheng)(zheng)流二(er)极(ji)管的(de)击(ji)穿电(dian)(dian)压高(gao)(gao),反(fan)向漏(lou)电(dian)(dian)流小,高(gao)(gao)温性(xing)能良好。通常高(gao)(gao)压大(da)功率整(zheng)(zheng)流二(er)极(ji)管都用(yong)高(gao)(gao)纯(chun)单晶硅(gui)制(zhi)造。这(zhei)种器(qi)件的(de)结面积较大(da),能通过较大(da)电(dian)(dian)流(可(ke)达上千安),但工作频率不(bu)高(gao)(gao),一般在几十千赫以下(xia)。整(zheng)(zheng)流二(er)极(ji)管主要用(yong)于各(ge)种低频整(zheng)(zheng)流电(dian)(dian)路。
图(tu)5-1、是一种(zhong)最简单的整(zheng)流电(dian)路。它(ta)由电(dian)源(yuan)变(bian)压(ya)(ya)器(qi)B 、整(zheng)流二极管D 和负载电(dian)阻Rfz ,组成。变(bian)压(ya)(ya)器(qi)把市(shi)电(dian)电(dian)压(ya)(ya)(多(duo)为220伏)变(bian)换为所需要的交变(bian)电(dian)压(ya)(ya)e2,D 再把交流电(dian)变(bian)换为脉动直流电(dian)。
变(bian)(bian)(bian)压(ya)(ya)(ya)器(qi)砍(kan)级(ji)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)e2,是一个方(fang)向和大小(xiao)都随时间(jian)(jian)变(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)正(zheng)弦(xian)波(bo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya),它的(de)(de)(de)(de)(de)波(bo)形如图5-2(a)所(suo)示(shi)(shi)。在(zai)0~K时间(jian)(jian)内,e2为(wei)正(zheng)半(ban)周即(ji)变(bian)(bian)(bian)压(ya)(ya)(ya)器(qi)上(shang)端(duan)为(wei)正(zheng)下(xia)端(duan)为(wei)负(fu)(fu)(fu)。此时二极管承(cheng)受(shou)正(zheng)向电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)面导(dao)通,e2通过它加在(zai)负(fu)(fu)(fu)载电(dian)(dian)阻Rfz上(shang),在(zai)π~2π 时间(jian)(jian)内,e2为(wei)负(fu)(fu)(fu)半(ban)周,变(bian)(bian)(bian)压(ya)(ya)(ya)器(qi)次级(ji)下(xia)端(duan)为(wei)正(zheng),上(shang)端(duan)为(wei)负(fu)(fu)(fu)。这(zhei)时D承(cheng)受(shou)反向电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya),不导(dao)通,Rfz,上(shang)无电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)。在(zai)π~2π时间(jian)(jian)内,重(zhong)复0~π 时间(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)过程,而(er)在(zai)3π~4π时间(jian)(jian)内,又重(zhong)复π~2π时间(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)过程…这(zhei)样反复下(xia)去,交流(liu)电(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)负(fu)(fu)(fu)半(ban)周就(jiu)被"削"掉了,只有(you)正(zheng)半(ban)周通过Rfz,在(zai)Rfz上(shang)获得了一个单一右(you)向(上(shang)正(zheng)下(xia)负(fu)(fu)(fu))的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya),如图5-2(b)所(suo)示(shi)(shi),达到了整流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)(de),但是,负(fu)(fu)(fu)载电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)Usc。以及(ji)负(fu)(fu)(fu)载电(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)大小(xiao)还随时间(jian)(jian)而(er)变(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua),因此,通常称它为(wei)脉动直(zhi)流(liu)。
这(zhei)种除去(qu)半(ban)周(zhou)、图下(xia)半(ban)周(zhou)的(de)整(zheng)流(liu)(liu)方法,叫半(ban)波整(zheng)流(liu)(liu)。不难看(kan)出,半(ban)波整(zheng)说是以"牺牲"一(yi)半(ban)交(jiao)流(liu)(liu)为代价(jia)而(er)换取整(zheng)流(liu)(liu)效(xiao)果的(de),电流(liu)(liu)利(li)用(yong)率很低(计算表明,整(zheng)流(liu)(liu)得(de)出的(de)半(ban)波电压在整(zheng)个周(zhou)期内的(de)平(ping)均值(zhi),即(ji)负载上的(de)直流(liu)(liu)电压Usc =0.45e2 )因(yin)此常用(yong)在高(gao)电压、小电流(liu)(liu)的(de)场合,而(er)在一(yi)般无线电装置(zhi)中(zhong)很少采用(yong)。
如果(guo)把(ba)整流电路(lu)的(de)结构作一些调整,可(ke)以得到一种能充(chong)分利用(yong)电能的(de)全波整流电路(lu)。图5-3是全波整流电路(lu)的(de)电原理(li)图。
全波(bo)(bo)(bo)整流电路(lu)(lu),可(ke)以看(kan)作是由两个(ge)半波(bo)(bo)(bo)整流电路(lu)(lu)组(zu)合(he)成的。变压(ya)器次级线圈中(zhong)间(jian)需要引(yin)(yin)出一个(ge)抽头,把次组(zu)线圈分成两个(ge)对称的绕(rao)组(zu),从而引(yin)(yin)出大小相等但极性相反的两个(ge)电压(ya)e2ae2aRfz与(yu)e2b、D2、Rfz ,两个(ge)通电回路(lu)(lu)。 D1、e2b,构成全波(bo)(bo)(bo)整流电路(lu)(lu)的工(gong)作原理,可(ke)用图(tu)5-4 所示(shi)的波(bo)(bo)(bo)形图(tu)说(shuo)明。
1、在0~π间内(nei),e2aD1导通(tong),在Rfz 上(shang)得到上(shang)正下负(fu)的电(dian)压(ya);e2b对(dui)D2为反向电(dian)压(ya),D2 不导通(tong)(见图5-4(b)。
2、 在π-2π时(shi)间内(nei),e2b 对D2为(wei)正(zheng)向电压,D2导通,在Rfz上得到的仍然(ran)是上正(zheng)下负(fu)的电压;e2aD1为(wei)反向电压,D1 不导通(见图5-4(C)。对Dl为(wei)正(zheng)向电压。
如此反复,由于两个整流(liu)(liu)元件D1、D2轮流(liu)(liu)导电(dian)(dian),结果(guo)负(fu)载电(dian)(dian)阻Rfz 上(shang)在正、负(fu)两个半(ban)周(zhou)作用(yong)期间,都(dou)有同(tong)一(yi)方向的电(dian)(dian)流(liu)(liu)通过(guo),如图5-4(b)所示的那样,因此称为全波(bo)整流(liu)(liu),全波(bo)整流(liu)(liu)不仅利用(yong)了正半(ban)周(zhou),而(er)且还巧(qiao)妙地(di)利用(yong)了负(fu)半(ban)周(zhou),从而(er)大(da)大(da)地(di)提高了整流(liu)(liu)效率(Usc=0.9e2,比半(ban)波(bo)整流(liu)(liu)时大(da)一(yi)倍)。
图5-3所示的(de)(de)全(quan)波整滤电(dian)路,需要变压器有一(yi)个使两端对称的(de)(de)次(ci)级中心抽头,这(zhei)给制作(zuo)上带来很多的(de)(de)麻烦。另(ling)外,这(zhei)种电(dian)路中,每只整流二极管承受的(de)(de)最大反向电(dian)压,是(shi)变压器次(ci)级电(dian)压最大值的(de)(de)两倍,因此需用能(neng)承受较(jiao)高电(dian)压的(de)(de)二极管。
图(tu)5-5(a )为(wei)(wei)桥式整(zheng)流电路图(tu),(b)图(tu)为(wei)(wei)其简化画法。
桥式整流(liu)电(dian)(dian)路(lu)(lu)是使(shi)用最多的一种整流(liu)电(dian)(dian)路(lu)(lu)。这种电(dian)(dian)路(lu)(lu),只要增加两只二极(ji)管口连接成"桥"式结构,便具有(you)全波整流(liu)电(dian)(dian)路(lu)(lu)的优点,而同时在一定(ding)程度上(shang)克服了它的缺点。
桥式整(zheng)流电(dian)(dian)路的工作原理如(ru)下:e2为正半(ban)周时,对(dui)D1、D3和方向(xiang)电(dian)(dian)压(ya),Dl,D3导通;对(dui)D2、D4加(jia)反向(xiang)电(dian)(dian)压(ya),D2、D4截止(zhi)。电(dian)(dian)路中构成(cheng)e2、Dl、Rfz 、D3通电(dian)(dian)回路,在(zai)(zai)Rfz ,上形(xing)成(cheng)上正下负的半(ban)波整(zheng)洗电(dian)(dian)压(ya),e2为负半(ban)周时,对(dui)D2、D4加(jia)正向(xiang)电(dian)(dian)压(ya),D2、D4导通;对(dui)D1、D3加(jia)反向(xiang)电(dian)(dian)压(ya),D1、D3截止(zhi)。电(dian)(dian)路中构成(cheng)e2、D2Rfz 、D4通电(dian)(dian)回路,同样在(zai)(zai)Rfz 上形(xing)成(cheng)上正下负的另外半(ban)波的整(zheng)流电(dian)(dian)压(ya)。
如此重复下去,结果在Rfz ,上(shang)便得到全波(bo)整流电压(ya)。其波(bo)形图(tu)和全波(bo)整流波(bo)形图(tu)是一(yi)样的(de)(de)。从图(tu)5-6中还不(bu)难看出,桥式电路(lu)中每(mei)只二极(ji)管承受的(de)(de)反(fan)向电压(ya)等于变压(ya)器次级(ji)电压(ya)的(de)(de)最大值,比全波(bo)整洗电路(lu)小一(yi)半!
需要特(te)别指出的(de)是,二极管(guan)作(zuo)为(wei)整(zheng)流元件,要根据不同的(de)整(zheng)流方(fang)式和(he)负载(zai)大小加以选择。如选择不当(dang),则或者不能(neng)安全工作(zuo),甚至烧了管(guan)子;或者大材小用(yong),造(zao)成浪(lang)费。表5-1 所列参(can)数(shu)可供选择二极管(guan)时参(can)考。
另外,在(zai)高(gao)电(dian)(dian)(dian)压或(huo)大电(dian)(dian)(dian)流的情况下,如(ru)果手头没(mei)有承受高(gao)电(dian)(dian)(dian)压或(huo)整定大电(dian)(dian)(dian)滤的整流元件,可以把(ba)二极管(guan)串联或(huo)并联起来使用。
图5-7 示出了二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian)的(de)情况:两只(zhi)(zhi)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian)、每(mei)只(zhi)(zhi)分(fen)(fen)担电路(lu)总(zong)(zong)电流(liu)的(de)一(yi)半,三只(zhi)(zhi)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian),每(mei)只(zhi)(zhi)分(fen)(fen)担电路(lu)总(zong)(zong)电流(liu)的(de)三分(fen)(fen)之一(yi)。总(zong)(zong)之,有(you)几(ji)只(zhi)(zhi)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian),"流(liu)经每(mei)只(zhi)(zhi)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)的(de)电流(liu)就等于总(zong)(zong)电流(liu)的(de)几(ji)分(fen)(fen)之一(yi)。但是,在(zai)实际并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian)运用时",由于各二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)特性(xing)不(bu)完全一(yi)致,不(bu)能均分(fen)(fen)所通过(guo)的(de)电流(liu),会(hui)使有(you)的(de)管(guan)(guan)(guan)子困负(fu)担过(guo)重而烧毁(hui)。因(yin)此需在(zai)每(mei)只(zhi)(zhi)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)上串(chuan)联(lian)(lian)(lian)一(yi)只(zhi)(zhi)阻值(zhi)相同的(de)小电阻器,使各并(bing)(bing)(bing)联(lian)(lian)(lian)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)(guan)流(liu)过(guo)的(de)电流(liu)接近一(yi)致。这种(zhong)均流(liu)电阻R一(yi)般(ban)选用零点几(ji)欧至(zhi)几(ji)十欧的(de)电阻器。电流(liu)越大,R应选得(de)越小。
图5-8示出了二(er)极(ji)(ji)管串(chuan)联的情(qing)况(kuang)。显然在(zai)理想条件(jian)下(xia),有几只(zhi)管子(zi)串(chuan)联,每只(zhi)管子(zi)承(cheng)受的反向电(dian)(dian)压(ya)(ya)就应等于总电(dian)(dian)压(ya)(ya)的几分之一。但因为每只(zhi)二(er)极(ji)(ji)管的反向电(dian)(dian)阻不(bu)尽相(xiang)同(tong),会造(zao)成电(dian)(dian)压(ya)(ya)分配(pei)不(bu)均(jun):内阻大的二(er)极(ji)(ji)管,有可能(neng)由(you)于电(dian)(dian)压(ya)(ya)过高(gao)而被击(ji)穿(chuan),并(bing)由(you)此引(yin)起连锁反应,逐个(ge)把二(er)极(ji)(ji)管击(ji)穿(chuan)。在(zai)二(er)极(ji)(ji)管上并(bing)联的电(dian)(dian)阻R,可以使电(dian)(dian)压(ya)(ya)分配(pei)均(jun)匀。
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