场(chang)效应管和IGBT有什么区别

IGBT：IGBT是由BJT（双极型(xing)三(san)极管(guan)）和(he)MOS（绝缘栅(zha)型(xing)场效应管(guan)）组成的(de)复合全控(kong)型(xing)电(dian)压驱动式电(dian)力半导(dao)体器(qi)件，兼有MOSFET的(de)高输入阻抗和(he)GTR的(de)低(di)导(dao)通压降(jiang)(jiang)两方面的(de)优点。GTR饱和(he)压降(jiang)(jiang)低(di)，载流(liu)密(mi)度(du)大(da)，但(dan)驱动电(dian)流(liu)较大(da);MOSFET驱动功(gong)率很小，开关速度(du)快，但(dan)导(dao)通压降(jiang)(jiang)大(da)，载流(liu)密(mi)度(du)小。

IGBT综(zong)合了以上两种(zhong)器件的优点(dian)，驱动(dong)功(gong)率(lv)小而饱和压降低。专业名字(zi)为(wei)绝缘栅双(shuang)极(ji)型(xing)功(gong)率(lv)管(guan)(guan) 。通俗(su)点(dian)说GBT管(guan)(guan)是有MOS管(guan)(guan)（场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)）和双(shuang)极(ji)型(xing)达林(lin)顿管(guan)(guan)结(jie)合而成(cheng)(cheng)。将场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)做为(wei)推动(dong)管(guan)(guan)，大(da)功(gong)率(lv)达林(lin)顿管(guan)(guan)作为(wei)输(shu)出管(guan)(guan)。这样两者优点(dian)有机的结(jie)合成(cheng)(cheng)现在的IGBT管(guan)(guan)，功(gong)率(lv)可以做的很(hen)大(da)。

场效(xiao)应(ying)晶体管(guan)(guan)（Field Effect Transistor缩写（FET））简称(cheng)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。主要有(you)两种类型(xing)（juncTIon FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)（metal-oxide semiconductor FET，简称(cheng)MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称(cheng)为单(dan)极型(xing)晶体管(guan)(guan)。它属于电压控制型(xing)半导体器件。具(ju)有(you)输(shu)入(ru)电阻高（107～1015Ω）、噪声小(xiao)、功耗(hao)低、动态范围大、易于集成、没有(you)二(er)次击穿现象、安全工作区域宽等优(you)点。

场效应管型号功能大全：