FDP51N25供(gong)应商-FDP51N25参(can)数(shu)中(zhong)文资料 货源稳(wen)定 -KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日期：2018-11-28
1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V
2、低栅极电荷（典型的55nC）
3、低Crss（典型的63PF）
4、快速切(qie)换
5、100%雪(xue)崩试验
6、提高dv/dt能(neng)力(li)
漏源极电压(ya)：250V
门源电压：±30V
单脉冲雪崩能：1111MJ
雪(xue)崩电流：51A
重复(fu)雪崩能量：32MJ
KIA半导体专业做场效应(ying)管10几(ji)年(nian)，一直是品(pin)(pin)质追求，我们产品(pin)(pin)都是经过10几(ji)道工艺才制(zhi)成成品(pin)(pin)。
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