无人机MOS管 KNX3706A 50A/60V参数(shu)详(xiang)情-价格咨(zi)询 免费送样-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本站(zhan) 日期：2019-02-20
KIA半(ban)导体(ti)的KNX3706A产(chan)品是一(yi)种高(gao)密度沟槽(cao)N-ch MOSFET，它提(ti)供了(le)优良的RDS(ON)和大多数(shu)同(tong)步降压变换器应(ying)(ying)用(yong)的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿(lv)色产(chan)品的要(yao)(yao)求(qiu)，100%EAS保(bao)证功能(neng)的可靠(kao)性得到认可。而且KIA半(ban)导体(ti)10几年(nian)一(yi)直(zhi)追求(qiu)品质第(di)一(yi)的生产(chan)理(li)念。KNX3706AKIA半(ban)导体(ti)主(zhu)推领域是在LED车灯(deng)、无人机(ji)等(deng)应(ying)(ying)用(yong)领域，下文将会具体(ti)介绍本产(chan)品的性能(neng)及主(zhu)要(yao)(yao)参数(shu)。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮气(qi)保护
超低栅极电荷
最佳Cdv/dt效应衰(shuai)减
高级高密度槽技术
电流：50A
电(dian)压(ya)：60V
漏源(yuan)极电(dian)压：60V
栅源电压：±20V
脉冲(chong)漏电流：100A
单脉冲雪崩能：72.2MJ
雪崩电流：38A
接头和储存温度(du)范围：-55℃至150℃
联系方式：邹(zou)先生
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