高压(ya)MOS管(guan)7N80H 7A/800V 价(jia)格、供应商及参数资料(liao) 免费送样-KIA MOS管(guan)
信息来源：本(ben)站 日(ri)期：2019-01-08
此功率(lv)MOSFET是采(cai)用SL半高级(ji)平面(mian)条(tiao)纹DMOS工艺(yi)生产的(de)。这(zhei)先进的(de)技术已经(jing)专门(men)针(zhen)对(dui)最小化通态(tai)电(dian)阻，提供了优越的(de)性(xing)能(neng)开关(guan)性(xing)能(neng)好，在雪崩和整流模式下能(neng)够(gou)承受高能(neng)量的(de)脉冲。这(zhei)些是适(shi)用于(yu)高效(xiao)率(lv)的(de)开关(guan)电(dian)源(yuan)，有功功率(lv)因数校正基于(yu)半桥拓扑。
RDS(on)=1.4ωVGS=10V
低栅电荷（典型的27Nc）
高韧性
快(kuai)速切换
100%雪崩试验(yan)
改进的dv/dt性能(neng)
型号：KIA7N80H
工作(zuo)方式：7A/800V
漏源极电压：800V
栅源电压(ya)：±30V
二极管(guan)峰(feng)值恢复：4.5V/ns
运行和储(chu)存(cun)温度范围(wei)：-55℃至+150℃
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