KIA100N03AD 90A/30V替(ti)代IR8726 PDF资料 货源稳定 -KIA MOS管
信息来源：本(ben)站 日(ri)期(qi)：2018-11-27
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功(gong)率(lv)MOSFET采用平面条形DMOS工(gong)艺生(sheng)产的(de)(de)先(xian)(xian)进。这先(xian)(xian)进的(de)(de)技术(shu)已(yi)特别定(ding)制，以尽量(liang)减少对国家的(de)(de)阻(zu)力，提供优越的(de)(de)。开关(guan)性能，在雪崩(beng)和换相模式下承受高能量(liang)脉冲。这些器件(jian)非常适用于(yu)高效(xiao)率(lv)开关(guan)电源，有(you)源功(gong)率(lv)因数校正。基(ji)于(yu)半桥(qiao)拓扑。
RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V
改进的dv/dt能力
快速恢复体二极管
无铅和绿色设备数（RoHS）
产品型号：KIA100N03AD
工(gong)作(zuo)方式(shi)：90A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连(lian)续：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩(beng)电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
热电阻：62℃/V
温度系数(shu)：0.03V/℃
栅极阈(yu)值电压：1.2V
输入电容：2200PF
输出(chu)电容：280PF
上升时间：19.5ns
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