高压MOS管 9N90 9A/900V PDF资料及(ji)封装-MOS管原(yuan)厂 免费送样-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期：2019-01-07
此功率MOSFET采用KIA先进(jin)的平面条纹DMOS工艺生产。这先进(jin)的技术(shu)已特(te)别定制，以尽量减少通态电(dian)阻，提(ti)供卓越的开(kai)关性能好，可承受雪崩和换相模式(shi)下(xia)的高能脉冲(chong)适用于(yu)高效率开(kai)关电(dian)源，有功功率因数校正基于(yu)半桥拓扑。
型(xing)号：KIA9N90S/KIA9N90H
工作方式：9A/900V
漏源极电压(ya)：900V
排(pai)水电流:36A
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能：900MJ
雪崩(beng)电(dian)流(liu)：9.0A
重复雪崩能：28MJ
峰值二(er)极(ji)管恢复：4.0V/ns
运行和储存温度(du)范围：-55℃至(zhi)+150℃
9A，900V
RDS(on)=1.12ωVGS=10V
低(di)门(men)电荷（典型的(de)70纳米(mi)）
低Crss（典型的(de)14Pf）
快(kuai)速切换
100%雪崩试(shi)验
改(gai)进的数字视频传输能力
1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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