login_富达娱乐「一家有爱的游戏平台」mos管等效电路

MOS晶体管的源(yuan)极(ji)与基底等(deng)电(dian)位、MOS小信号等(deng)效(xiao)电(dian)路解(jie)析

信息来源：本(ben)站　日期：2017-08-23　

分享到：

源区与基底等电位时

MOS晶(jing)体(ti)管的(de)源极(ji)与基底等电(dian)位，由于Ubs=0，所以小(xiao)信号等效电(dian)路能够简(jian)化成图2.4那样。由于漏(lou)极(ji)电(dian)导的(de)倒(dao)数就是输出(chu)电(dian)阻ro，所以能够表示为ro＝l/gd。输出(chu)电(dian)阻ro也(ye)好(hao)(hao)，漏(lou)极(ji)电(dian)导gd也(ye)好(hao)(hao)，它们经常呈现(xian)在小(xiao)信号解(jie)析中。

图(tu)(tu)2.2和(he)图(tu)(tu)2，4所示的(de)小信(xin)(xin)号(hao)等效电(dian)(dian)(dian)路不只适用(yong)于NMOS晶(jing)体(ti)管，也适用(yong)于PMOS晶(jing)体(ti)管。但是(shi)需求留意的(de)是(shi)，这个小信(xin)(xin)号(hao)等效电(dian)(dian)(dian)路中(zhong)，当(dang)小信(xin)(xin)号(hao)电(dian)(dian)(dian)压Vgs增加时，小信(xin)(xin)号(hao)电(dian)(dian)(dian)流id增加的(de)方(fang)向(xiang)是(shi)从漏(lou)(lou)极指向(xiang)源(yuan)(yuan)极的(de)方(fang)向(xiang)。所以关于PMOS的(de)小信(xin)(xin)号(hao)等效电(dian)(dian)(dian)路，运用(yong)图(tu)(tu)2.5和(he)图(tu)(tu)2.6所示的(de)电(dian)(dian)(dian)路停止阐明(ming)。图(tu)(tu)2.5和(he)图(tu)(tu)2.6中(zhong)，当(dang)Vsg（或者Vsb）增加时，从源(yuan)(yuan)极流向(xiang)漏(lou)(lou)极的(de)小信(xin)(xin)号(hao)电(dian)(dian)(dian)流id增加。

MOS晶体(ti)管中存在寄生(sheng)电(dian)容(rong)。思(si)索到寄生(sheng)电(dian)容(rong)的(de)MOS晶体(ti)管的(de)等效电(dian)路(lu)如图2.7所示。在讨论(lun)高频特(te)性时，运(yun)用这种加上了电(dian)容(rong)成(cheng)分(fen)的(de)模型，这也使人工计(ji)算(suan)停止(zhi)解析(xi)变得复杂。在SPICE之类的(de)电(dian)路(lu)模仿中，运(yun)用含(han)有这些寄生(sheng)电(dian)容(rong)成(cheng)分(fen)的(de)器(qi)件模型停止(zhi)计(ji)算(suan)。

mos管
mos管
mos管