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cmos低电(dian)压(ya)下工作、CMOS规范逻辑IC的工作电(dian)源电(dian)压(ya)范围

信(xin)息(xi)来源:本(ben)站 日期:2017-08-25 

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能够在低电压下工作/工作电压范围宽

图]0.11示出典型的CMOS规范逻辑IC的工作电源电压范围。与双极型TTL(Transistor Transistor Logic)的5v土o. zsv相比,工作电压范围宽。这是因为CMOS器件的构造设计是p沟MOS与n沟MOS对称的/互补的,即便电源电压变化,电路阈值总是在电压的1/2左近。而且,即便电压降低,电压驱动型的CMOS电路的输出电压连续取出电源或者GND电平。就是说,在逻辑电路的前级-后级,能够牢靠地传送逻辑信号。
mos管

TTL中,如图10. 12所示,传输信号的输入阈值电压VT由基极—发射极间的正向电压决议,这个值不怎样随电源电压变化。但是,这个输入信号电平由流过前级晶体管的集电极—发射极问的电流产生的电压降来决议。由于这个电流受电源电;压的影响大,所以前级晶体管的输出信号电平与后级晶体管的阈值电压会呈现差距,导致无法工作。
mos管

普通(tong)来说MOS器(qi)件(jian)的(de)阈(yu)值电压大约(yue)是(shi)0.6V,所以作为CMOS器(qi)件(jian)肯定“H”与“L”的(de)工作的(de)界(jie)(jie)(jie)限能够(gou)设(she)定为0.6+o.6=1. 2V。这里是(shi)指无负载状态(tai)(电流开始(shi)活动的(de)状态(tai))CMOS器(qi)件(jian)的(de)工作界(jie)(jie)(jie)线点(dian)(dian),由于负载条件(jian)的(de)变(bian)化,这个(ge)界(jie)(jie)(jie)限点(dian)(dian)会有挪动。

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