mos管电压

常(chang)遇到MOS管Vgs电(dian)压过大会损坏(huai)管子，但是从(cong)原理上看(kan)，似乎不然(ran)呀(ya)？

当(dang)vGS数值较小，吸(xi)收电(dian)子的(de)才能不强(qiang)时(shi)，漏(lou)——源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)间仍无导(dao)电(dian)沟道(dao)呈现(xian)，vGS增(zeng)(zeng)加(jia)时(shi)，吸(xi)收到(dao)(dao)P衬底外表层的(de)电(dian)子就增(zeng)(zeng)加(jia)，当(dang)vGS到(dao)(dao)达某(mou)一数值 时(shi)，这些(xie)电(dian)子在栅极(ji)(ji)左近的(de)P衬底外表便构(gou)成一个N型薄层，且与(yu)(yu)两个N+区相(xiang)连通，在漏(lou)——源(yuan)极(ji)(ji)间构(gou)成N型导(dao)电(dian)沟道(dao)，其导(dao)电(dian)类型与(yu)(yu)P衬底相(xiang)反，构(gou)成反型层。

vGS越(yue)(yue)大，作(zuo)用于半导(dao)体(ti)外表(biao)的(de)(de)电(dian)场就(jiu)越(yue)(yue)强，吸收到P衬底(di)外表(biao)的(de)(de)电(dian)子就(jiu)越(yue)(yue)多，导(dao)电(dian)沟道(dao)越(yue)(yue)厚(hou)，沟道(dao)电(dian)阻越(yue)(yue)小(xiao)。

即N沟(gou)道MOS管在vGS＜VT时，不(bu)能构成(cheng)导(dao)电沟(gou)道，管子处于截止(zhi)状态。

只要当vGS≥VT时，才(cai)有沟道(dao)构成。沟道(dao)构成以后，在漏——源极间(jian)加上正向电(dian)压vDS，就有漏极电(dian)流产生(sheng)。

但(dan)是Vgs继续加大，比方(fang)IRFPS40N60K

Vgs=100V时

Vds=0和Vds=400V，两种状况下，对管(guan)子功用带来(lai)什么影响(xiang)，若烧(shao)坏，缘由和内部(bu)机理(li)过程(cheng)是怎样(yang)的(de)呢(ni)？

Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损(sun)耗(hao)，但(dan)是同(tong)时会增大Qg，使得开启损(sun)耗(hao)变大，影响效率(lv)

1）MOSFET 的(de)GS 电(dian)(dian)(dian)压经Vgg 对Cgs 充电(dian)(dian)(dian)而(er)上升，抵达维持电(dian)(dian)(dian)压Vth，MOSFET 开端导电(dian)(dian)(dian)；

2）MOSFET 的DS 电(dian)(dian)(dian)流增加(jia)，Millier 电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)在(zai)该区间内因DS 电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的放电(dian)(dian)(dian)而放电(dian)(dian)(dian)，对GS 电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的充电(dian)(dian)(dian)影响不(bu)大(da)；

Qg=Cgs*Vgs, 但(dan)是电荷(he)会持续积聚。

3）MOSFET 的(de)DS 电(dian)压(ya)降至与(yu)Vgs 相同的(de)电(dian)压(ya)，Millier 电(dian)容(rong)大大增加，外(wai)部驱动电(dian)压(ya)对Millier 电(dian)容(rong)停止充电(dian)，GS 电(dian)容(rong)的(de)电(dian)压(ya)不变(bian)，Millier 电(dian)容(rong)上电(dian)压(ya)增加，而(er)DS电(dian)容(rong)上的(de)电(dian)压(ya)继续减小(xiao)；

4）MOSFET 的DS 电(dian)压(ya)降至饱和导(dao)通时的电(dian)压(ya)，Millier 电(dian)容变小并和GS 电(dian)容一(yi)同由(you)外(wai)部驱动电(dian)压(ya)充(chong)电(dian)，GS 电(dian)容的电(dian)压(ya)上升；

电压测量

N沟道(dao)的有国(guo)产的3D01，4D01，日产的3SK系(xi)列。G极(ji)(ji)(ji)（栅极(ji)(ji)(ji)）的确(que)定：利用万用表(biao)的二极(ji)(ji)(ji)管档。若(ruo)某脚与其他两(liang)脚间的正反压降均大(da)于(yu)2V，即显示(shi)“1”，此脚即为栅极(ji)(ji)(ji)G。再交换表(biao)笔(bi)测量其余(yu)两(liang)脚，压降小的那次中(zhong)，黑表(biao)笔(bi)接的是(shi)D极(ji)(ji)(ji)（漏极(ji)(ji)(ji)），红表(biao)笔(bi)接的是(shi)S极(ji)(ji)(ji)（源(yuan)极(ji)(ji)(ji)）。