20N50现货供应商(shang) KIA20N50 PDF 20N50参数详细资(zi)料(liao)-KIA 官网
信息来(lai)源：本站 日期：2018-01-19
KIA20n50h N沟道增(zeng)强型硅(gui)栅功率(lv)MOSFET是专为高电(dian)压，高速功率(lv)开关应用，如高效率(lv)开关电(dian)源，有(you)源功率(lv)因(yin)数校正。
产品(pin)型号：KIA 20N50
漏极(ji)至源极(ji)电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流(liu) （连续）（lD）：20A
耗散(san)功(gong)率（PD）：41W/0.33W/℃
工(gong)作(zuo)温(wen)度(du)：+150/℃
击穿电压温度(du)：0.5V/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升时间：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封装形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快(kuai)速切换的能力
雪(xue)崩能量(liang)
改进的dt／dt能力
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20N50（20A 500V） |
| 产品(pin)编号 | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
| 产品工(gong)艺 |
kia20n50h N沟道增强(qiang)型硅栅功(gong)(gong)率(lv)MOSFET是专为高电压，高速(su)功(gong)(gong)率(lv)开关应用(yong)，如高效(xiao)率(lv)开关电源(yuan)，有源(yuan)功(gong)(gong)率(lv)因数校(xiao)正。 |
| 沟(gou)道(dao) | N沟道MOSFET |
| 特征 |
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快(kuai)速切换的能力 雪崩能量 改(gai)进的dt／dt能力 |
| 适用(yong)范围 |
主要适用(yong)于高(gao)电压，高(gao)速功(gong)率开关应用(yong)，如高(gao)效率开关电源(yuan)，有源(yuan)功(gong)率因数(shu)校正 |
| 封装形式(shi) | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
 【直(zhi)接(jie)在线预览】 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| LOGO |
 |
| 网址(zhi) | shkegan.com |
| PDF总页(ye)数 | 总5页数 |
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