怎(zen)么判断(duan)场效应管(guan)好坏-场效应管(guan)好坏测试(shi)方(fang)法(fa)及注意事项-KIA MOS管(guan)
信(xin)息(xi)来源:本站 日期:2018-06-21
D极(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(供(gong)电极(ji)(ji)(ji)(ji));S极(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(输(shu)出极(ji)(ji)(ji)(ji));G为(wei)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(控(kong)制极(ji)(ji)(ji)(ji));D极(ji)(ji)(ji)(ji)和S极(ji)(ji)(ji)(ji)可互换(huan)使用(yong)。
按沟(gou)道(dao)分(fen)(fen)可分(fen)(fen)为N沟(gou)道(dao)和P沟(gou)道(dao);按材料分(fen)(fen)可分(fen)(fen)为结(jie)型(xing)(xing)管和绝缘(yuan)栅(zha)型(xing)(xing)管;绝缘(yuan)栅(zha)型(xing)(xing)又分(fen)(fen)为耗尽型(xing)(xing)和增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing),一般主板上大多是(shi)绝缘(yuan)栅(zha)型(xing)(xing)管简称MOS管,并且大多采(cai)用(yong)增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)的N沟(gou)道(dao),其次是(shi)增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)的P沟(gou)道(dao),结(jie)型(xing)(xing)管和耗尽型(xing)(xing)管几乎不(bu)用(yong)。
1)工作条件:D极(ji)要(yao)有供(gong)电,G极(ji)要(yao)有控制(zhi)电压(ya);
2)主板上的场管N沟道多,G极(ji)电压越(yue)高(gao),S极(ji)输(shu)出电压越(yue)高(gao);
3)主(zhu)板上(shang)的场管G极电压达到12V时(shi),DS完全导(dao)通,个别主(zhu)板上(shang)5V导(dao)通;
4)场管的(de)D、S功能可互换。
导通条(tiao)件:VG>VS ,VGS=0.45--3V时,处于导通状态,且VGS越(yue)大,ID越(yue)大;
截止条件:VG<VS ,ID没有(you)电(dian)流或(huo)有(you)很小的电(dian)流
放大,调制、谐(xie)振(zhen)、开关(guan)
将场效(xiao)应管有字的一面(mian)朝上,管脚(jiao)朝向(xiang)我们自己,从左到右依次为:G、D、S(有少数相反(fan)为S、D、G)。
1)判断(duan)栅极G:将指针万用表拨(bo)至R×1k档分(fen)别(bie)测量三个管脚之间(jian)的电(dian)阻。
2)判定源(yuan)极(ji)S、漏极(ji)D(测量所使用(yong)万(wan)用(yong)表(biao)为指针万(wan)用(yong)表(biao))
在(zai)(zai)源-漏之(zhi)间有一(yi)个PN结,因此根(gen)据PN结正、反向电(dian)(dian)阻(zu)存在(zai)(zai)差异,可识别S极(ji)(ji)与D极(ji)(ji)。用交换表(biao)(biao)笔(bi)法测两次电(dian)(dian)阻(zu),其中电(dian)(dian)阻(zu)值较低(一(yi)般(ban)为几千欧(ou)至十几千欧(ou))的(de)一(yi)次为正向电(dian)(dian)阻(zu),此时黑表(biao)(biao)笔(bi)的(de)是(shi)S极(ji)(ji),红表(biao)(biao)笔(bi)接D极(ji)(ji)。
指(zhi)针(zhen)万用红笔(bi)接S、黑笔(bi)接D值为(wei)(300-800)为(wei)P沟道
指针万用红(hong)笔(bi)接(jie)D、黑笔(bi)接(jie)S值为(300-800)为N沟道(dao)
根(gen)据场效(xiao)(xiao)应(ying)管的(de)(de)(de)(de)PN结(jie)(jie)正(zheng)(zheng)、反(fan)(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)不(bu)一(yi)(yi)样的(de)(de)(de)(de)现(xian)象,可(ke)以(yi)(yi)判别(bie)出(chu)(chu)结(jie)(jie)型场效(xiao)(xiao)应(ying)管的(de)(de)(de)(de)三个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)。具体方法(fa):将万用(yong)表(biao)(biao)(biao)拨在R×1k档上(shang),任(ren)选(xuan)两(liang)个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji),分别(bie)测出(chu)(chu)其正(zheng)(zheng)、反(fan)(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当某两(liang)个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)正(zheng)(zheng)、反(fan)(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)相等,且(qie)为(wei)几千欧姆时,则该两(liang)个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)分别(bie)是(shi)(shi)(shi)(shi)漏(lou)极(ji)(ji)D和(he)源极(ji)(ji)S。因为(wei)对结(jie)(jie)型场效(xiao)(xiao)应(ying)管而言,漏(lou)极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)可(ke)互换,剩下的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)肯定(ding)(ding)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)G。也(ye)可(ke)以(yi)(yi)将万用(yong)表(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)(红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)也(ye)行(xing))任(ren)意接触(chu)一(yi)(yi)个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji),另一(yi)(yi)只(zhi)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)依(yi)次(ci)去接触(chu)其余的(de)(de)(de)(de)两(liang)个电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji),测其电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当出(chu)(chu)现(xian)两(liang)次(ci)测得的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)近似相等时,则黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接触(chu)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)为(wei)栅极(ji)(ji),其余两(liang)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)分别(bie)为(wei)漏(lou)极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)。若两(liang)次(ci)测出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均很大,说明是(shi)(shi)(shi)(shi)PN结(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)反(fan)(fan)向,即(ji)都是(shi)(shi)(shi)(shi)反(fan)(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu),可(ke)以(yi)(yi)判定(ding)(ding)是(shi)(shi)(shi)(shi)N沟道场效(xiao)(xiao)应(ying)管,且(qie)黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji);若两(liang)次(ci)测出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均很小,说明是(shi)(shi)(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向PN结(jie)(jie),即(ji)是(shi)(shi)(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu),判定(ding)(ding)为(wei)P沟道场效(xiao)(xiao)应(ying)管,黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接的(de)(de)(de)(de)也(ye)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)。若不(bu)出(chu)(chu)现(xian)上(shang)述情况,可(ke)以(yi)(yi)调换黑、红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)按(an)上(shang)述方法(fa)进行(xing)测试,直(zhi)到判别(bie)出(chu)(chu)栅极(ji)(ji)为(wei)止。
怎么判(pan)断(duan)场(chang)效应管好坏(huai)先(xian)测(ce)(ce)电(dian)阻(zu)法(fa)是(shi)(shi)用万用表(biao)(biao)测(ce)(ce)量场(chang)效应管的(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G2之(zhi)间的(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)同(tong)场(chang)效应管手册标(biao)明的(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)否相符去判(pan)别管的(de)好坏(huai)。具体方法(fa):首先(xian)将万用表(biao)(biao)置(zhi)于R×10或R×100档,测(ce)(ce)量源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D之(zhi)间的(de)电(dian)阻(zu),通常(chang)在几(ji)十欧(ou)到几(ji)千欧(ou)范围(wei)(在手册中可(ke)知,各种不同(tong)型号的(de)管,其(qi)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)各不相同(tong)的(de)),如(ru)果测(ce)(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)大于正常(chang)值(zhi)(zhi),可(ke)能(neng)是(shi)(shi)由于内部接触不良(liang);如(ru)果测(ce)(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)无(wu)(wu)穷大,可(ke)能(neng)是(shi)(shi)内部断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。然后(hou)把万用表(biao)(biao)置(zhi)于R×10k档,再测(ce)(ce)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)G2之(zhi)间、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)间的(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi),当测(ce)(ce)得(de)其(qi)各项(xiang)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)均为无(wu)(wu)穷大,则说明管是(shi)(shi)正常(chang)的(de);若测(ce)(ce)得(de)上述各阻(zu)值(zhi)(zhi)太(tai)小或为通路(lu),则说明管是(shi)(shi)坏(huai)的(de)。要注意,若两个(ge)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)在管内断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),可(ke)用元件代换(huan)法(fa)进行检测(ce)(ce)。
怎么判断场(chang)(chang)效(xiao)应管好坏具(ju)体(ti)方法(fa):用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表(biao)电(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)R×100档,红表(biao)笔(bi)接源极(ji)(ji)S,黑表(biao)笔(bi)接漏(lou)极(ji)(ji)D,给场(chang)(chang)效(xiao)应管加(jia)上1.5V的(de)(de)(de)电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya),此时表(biao)针指示出的(de)(de)(de)漏(lou)源极(ji)(ji)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)。然后用(yong)(yong)手捏(nie)住结型场(chang)(chang)效(xiao)应管的(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)G,将人体(ti)的(de)(de)(de)感(gan)应电(dian)(dian)压(ya)信号加(jia)到栅极(ji)(ji)上。这样(yang),由于(yu)管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)作用(yong)(yong),漏(lou)源电(dian)(dian)压(ya)VDS和(he)漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流Ib都(dou)要发(fa)生(sheng)变化,也就是漏(lou)源极(ji)(ji)间(jian)电(dian)(dian)阻(zu)发(fa)生(sheng)了(le)变化,由此可以观察到表(biao)针有较(jiao)大(da)幅(fu)度的(de)(de)(de)摆动(dong)。如果手捏(nie)栅极(ji)(ji)表(biao)针摆动(dong)较(jiao)小(xiao),说(shuo)明管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)能力较(jiao)差;表(biao)针摆动(dong)较(jiao)大(da),表(biao)明管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)能力大(da);若表(biao)针不动(dong),说(shuo)明管是坏的(de)(de)(de)。
根据上述方法(fa),我们用万用表(biao)的(de)R×100档(dang),测结型场效(xiao)应管3DJ2F。先将(jiang)管的(de)G极开路(lu),测得漏源电(dian)阻RDS为600Ω,用手捏(nie)住G极后,表(biao)针向(xiang)左摆(bai)动(dong),指(zhi)示的(de)电(dian)阻RDS为12kΩ,表(biao)针摆(bai)动(dong)的(de)幅度较大(da)(da),说明该(gai)管是好的(de),并有较大(da)(da)的(de)放大(da)(da)能力。
运(yun)用(yong)(yong)(yong)这(zhei)种方(fang)(fang)(fang)法时(shi)要(yao)说明几点:首先,在测试场效(xiao)应管用(yong)(yong)(yong)手捏住栅极(ji)时(shi),万用(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)针可(ke)能向右(you)摆(bai)动(dong)(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值减小),也(ye)可(ke)能向左摆(bai)动(dong)(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值增加)。这(zhei)是(shi)由于人(ren)体感(gan)(gan)应的(de)交流(liu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)较(jiao)(jiao)高,而不(bu)同(tong)(tong)的(de)场效(xiao)应管用(yong)(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档测量(liang)(liang)时(shi)的(de)工作点可(ke)能不(bu)同(tong)(tong)(或者工作在饱和(he)区(qu)或者在不(bu)饱和(he)区(qu))所致,试验表(biao)(biao)(biao)(biao)明,多数(shu)管的(de)RDS增大(da)(da),即表(biao)(biao)(biao)(biao)针向左摆(bai)动(dong)(dong);少数(shu)管的(de)RDS减小,使表(biao)(biao)(biao)(biao)针向右(you)摆(bai)动(dong)(dong)。但(dan)无论表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动(dong)(dong)方(fang)(fang)(fang)向如何,只(zhi)要(yao)表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动(dong)(dong)幅度较(jiao)(jiao)大(da)(da),就说明管有(you)较(jiao)(jiao)大(da)(da)的(de)放大(da)(da)能力(li)。第(di)二,此方(fang)(fang)(fang)法对MOS场效(xiao)应管也(ye)适(shi)用(yong)(yong)(yong)。但(dan)要(yao)注(zhu)意(yi),MOS场效(xiao)应管的(de)输(shu)人(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高,栅极(ji)G允许(xu)的(de)感(gan)(gan)应电(dian)(dian)(dian)压(ya)不(bu)应过高,所以不(bu)要(yao)直(zhi)接用(yong)(yong)(yong)手去捏栅极(ji),必(bi)须用(yong)(yong)(yong)于握螺丝(si)刀的(de)绝缘(yuan)柄,用(yong)(yong)(yong)金属杆(gan)去碰触栅极(ji),以防(fang)止人(ren)体感(gan)(gan)应电(dian)(dian)(dian)荷(he)直(zhi)接加到栅极(ji),引起栅极(ji)击穿。第(di)三,每次测量(liang)(liang)完(wan)毕,应当G-S极(ji)间短(duan)路(lu)一下。这(zhei)是(shi)因为G-S结电(dian)(dian)(dian)容上会充有(you)少量(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)荷(he),建立起VGS电(dian)(dian)(dian)压(ya),造(zao)成再进行(xing)测量(liang)(liang)时(shi)表(biao)(biao)(biao)(biao)针可(ke)能不(bu)动(dong)(dong),只(zhi)有(you)将(jiang)G-S极(ji)间电(dian)(dian)(dian)荷(he)短(duan)路(lu)放掉才行(xing)。
怎(zen)么(me)判断(duan)场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)好坏首先用测(ce)量(liang)电(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)法找出两个(ge)有电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)管(guan)(guan)脚(jiao)(jiao),也就是源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S和漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)D,余下两个(ge)脚(jiao)(jiao)为第一(yi)栅极(ji)(ji)(ji)G1和第二栅极(ji)(ji)(ji)G2。把先用两表(biao)笔(bi)测(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S与漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)D之间的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)记下来(lai)(lai),对(dui)调表(biao)笔(bi)再测(ce)量(liang)一(yi)次(ci),把其(qi)测(ce)得(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)记下来(lai)(lai),两次(ci)测(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)较(jiao)大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)次(ci),黑表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)极(ji)(ji)(ji)为漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)D;红表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)为源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S。用这(zhei)种(zhong)方(fang)法判别出来(lai)(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)S、D极(ji)(ji)(ji),还可以用估测(ce)其(qi)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)放大(da)能(neng)力(li)的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)法进(jin)行验(yan)证(zheng),即放大(da)能(neng)力(li)大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)黑表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)是D极(ji)(ji)(ji);红表(biao)笔(bi)所接(jie)地是8极(ji)(ji)(ji),两种(zhong)方(fang)法检(jian)测(ce)结果(guo)均应(ying)(ying)一(yi)样。当确定了漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)D、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)后(hou),按D、S的(de)(de)(de)(de)(de)对(dui)应(ying)(ying)位(wei)(wei)置(zhi)装(zhuang)人电(dian)路,一(yi)般(ban)G1、G2也会依次(ci)对(dui)准(zhun)位(wei)(wei)置(zhi),这(zhei)就确定了两个(ge)栅极(ji)(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi),从而(er)就确定了D、S、G1、G2管(guan)(guan)脚(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)(de)顺(shun)序。
怎(zen)么(me)判断场(chang)效应管好坏先对VMOSN沟道增强型(xing)场(chang)效应管测(ce)(ce)(ce)量(liang)跨(kua)导(dao)性能时(shi),可(ke)用(yong)(yong)红表(biao)笔接(jie)源极(ji)S、黑(hei)表(biao)笔接(jie)漏极(ji)D,这就相当于(yu)在源、漏极(ji)之间加了一个反(fan)向(xiang)(xiang)电压。此时(shi)栅极(ji)是开路的(de)(de),管的(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电阻值是很不稳定的(de)(de)。将万用(yong)(yong)表(biao)的(de)(de)欧姆(mu)档选在R×10kΩ的(de)(de)高阻档,此时(shi)表(biao)内电压较高。当用(yong)(yong)手(shou)接(jie)触(chu)栅极(ji)G时(shi),会发(fa)现管的(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电阻值有明显地变(bian)(bian)化,其变(bian)(bian)化越大(da),说明管的(de)(de)跨(kua)导(dao)值越高;如果(guo)被测(ce)(ce)(ce)管的(de)(de)跨(kua)导(dao)很小,用(yong)(yong)此法测(ce)(ce)(ce)时(shi),反(fan)向(xiang)(xiang)阻值变(bian)(bian)化不大(da)。
将万用表拨至(zhi)R×1k档分别(bie)测量三(san)个(ge)管脚之间(jian)的(de)电阻(zu).若发现某(mou)脚与其字两(liang)脚的(de)电阻(zu)均呈无穷大,并且交换表笔(bi)后仍为(wei)无穷大,则证明此脚为(wei)G极,因为(wei)它和另外两(liang)个(ge)管脚是绝缘的(de).
在(zai)源-漏之间有一个PN结(jie),因此根据PN结(jie)正(zheng)、反向电阻存在(zai)差异(yi),可(ke)识别S极与D极.用交换表笔(bi)法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千(qian)欧至十几千(qian)欧)的(de)(de)一次为正(zheng)向电阻,此时黑表笔(bi)的(de)(de)是S极,红表笔(bi)接(jie)D极.
将(jiang)G-S极短路,选择万(wan)用(yong)表的(de)R×1档(dang),黑表笔接S极,红(hong)表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.
由于(yu)测试条件不同(tong),测出(chu)的RDS(on)值(zhi)比(bi)手(shou)册中给出(chu)的典(dian)型值(zhi)要高(gao)一些.例如用500型万用表(biao)R×1档(dang)实测一只(zhi)IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于(yu)0.58W(典(dian)型值(zhi)).
将万用(yong)表置于R×1k(或R×100)档(dang),红表笔接S极(ji),黑表笔接D极(ji),手持螺(luo)丝刀去碰触(chu)栅(zha)极(ji),表针应有(you)明显偏转,偏转愈大(da),管(guan)子的跨导(dao)愈高.
(1)VMOS管(guan)(guan)亦(yi)分N沟(gou)道(dao)(dao)管(guan)(guan)与P沟(gou)道(dao)(dao)管(guan)(guan),但(dan)绝大多数(shu)产品属于(yu)N沟(gou)道(dao)(dao)管(guan)(guan).对于(yu)P沟(gou)道(dao)(dao)管(guan)(guan),测量时应(ying)交换表(biao)笔的位置(zhi).
(2)有(you)少数VMOS管(guan)在G-S之间(jian)并(bing)有(you)保护(hu)二极管(guan),本检测方(fang)法中的1、2项不再适用.
(3)目(mu)前市场上还有一(yi)种VMOS管(guan)功率模块,专(zhuan)供交流电机调速器、逆变器使用.例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内(nei)部有N沟(gou)(gou)道、P沟(gou)(gou)道管(guan)各(ge)三只,构成三相(xiang)桥式结(jie)构.
(4)现在市(shi)售VNF系(xi)列(lie)(N沟道)产品,是(shi)美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共(gong)源小(xiao)信号低(di)频跨导(dao)gm=2000μS.适(shi)用于高速(su)开关电路和广(guang)播、通信设备中(zhong).
(5)使(shi)用VMOS管时必须加(jia)合适的散热器后.以(yi)VNF306为例,该管子加(jia)装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W.
(1)为(wei)了安全使用场(chang)效(xiao)应管,在线(xian)路的设计中不(bu)能超过管的耗散功率(lv),最大(da)漏源电(dian)压、最大(da)栅源电(dian)压和(he)最大(da)电(dian)流等参数的极(ji)限值.
(2)各类型场(chang)效应管(guan)(guan)在使用时,都要严格按(an)要求(qiu)的(de)(de)偏置接人电路(lu)中,要遵守场(chang)效应管(guan)(guan)偏置的(de)(de)极(ji)(ji)性.如结型场(chang)效应管(guan)(guan)栅源(yuan)漏之间(jian)是PN结,N沟(gou)道管(guan)(guan)栅极(ji)(ji)不(bu)能加(jia)正偏压;P沟(gou)道管(guan)(guan)栅极(ji)(ji)不(bu)能加(jia)负偏压,等等.
(3)MOS场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管由于输(shu)(shu)人阻(zu)抗极高,所(suo)以在(zai)运输(shu)(shu)、贮藏(zang)中(zhong)必须(xu)将(jiang)引出脚短(duan)路,要(yao)用金(jin)属屏蔽包装,以防(fang)止外来感应(ying)(ying)(ying)电(dian)势(shi)将(jiang)栅极击穿.尤其要(yao)注意,不能将(jiang)MOS场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管放人塑料(liao)盒子内,保存时最好(hao)放在(zai)金(jin)属盒内,同时也要(yao)注意管的防(fang)潮.
(4)为了防止(zhi)场(chang)效(xiao)(xiao)应管栅极感(gan)应击(ji)穿,要求一切测试仪(yi)器、工作台(tai)、电烙铁(tie)、线路本(ben)身(shen)都必(bi)须(xu)有(you)良好(hao)的(de)(de)接(jie)地(di);管脚在焊接(jie)时(shi),先(xian)焊源(yuan)极;在连(lian)入(ru)电路之(zhi)前,管的(de)(de)全部引线端保持互相(xiang)短接(jie)状态,焊接(jie)完(wan)后才(cai)把短接(jie)材料(liao)去掉;从(cong)元器件架上(shang)(shang)取下管时(shi),应以适当的(de)(de)方式(shi)确(que)保人(ren)体接(jie)地(di)如(ru)采用(yong)接(jie)地(di)环等;当然(ran),如(ru)果能采用(yong)先(xian)进的(de)(de)气热(re)型(xing)电烙铁(tie),焊接(jie)场(chang)效(xiao)(xiao)应管是(shi)比较方便的(de)(de),并(bing)且确(que)保安(an)全;在未关断电源(yuan)时(shi),绝对(dui)不可(ke)以把管插人(ren)电路或从(cong)电路中拔出.以上(shang)(shang)安(an)全措施在使(shi)用(yong)场(chang)效(xiao)(xiao)应管时(shi)必(bi)须(xu)注意.
(5)在安(an)装(zhuang)场效应(ying)管(guan)(guan)(guan)时(shi),注意安(an)装(zhuang)的(de)位(wei)置要尽(jin)量避免靠近(jin)发(fa)热元件;为了(le)防管(guan)(guan)(guan)件振动(dong),有必要将管(guan)(guan)(guan)壳(qiao)体(ti)紧(jin)固(gu)起(qi)来(lai);管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)(jiao)引(yin)线(xian)在弯曲时(shi),应(ying)当大(da)于(yu)根部尺寸5毫米处进行(xing),以防止弯断管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)(jiao)和(he)引(yin)起(qi)漏气等. 对于(yu)功(gong)率(lv)型场效应(ying)管(guan)(guan)(guan),要有良好的(de)散(san)热条(tiao)件.因为功(gong)率(lv)型场效应(ying)管(guan)(guan)(guan)在高负荷条(tiao)件下运用,必须设计足够(gou)的(de)散(san)热器,确保壳(qiao)体(ti)温度不超(chao)过额定值,使器件长期稳定可靠地工作.
总之(zhi),确保场效(xiao)(xiao)应管(guan)安全使用(yong),要注意的事项是(shi)多种(zhong)多样(yang),采(cai)取(qu)的安全措施也(ye)是(shi)各种(zhong)各样(yang),广(guang)大的专业技术人(ren)员,特别是(shi)广(guang)大的电子爱(ai)好(hao)者(zhe),都(dou)要根据自己的实际情况(kuang)出发,采(cai)取(qu)切(qie)实可行的办(ban)法,安全有效(xiao)(xiao)地用(yong)好(hao)场效(xiao)(xiao)应管(guan).
联系(xi)方式:邹先(xian)生
联系电话(hua):0755-83888366-8022
手(shou)机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公(gong)庙(miao)天(tian)安数码(ma)城天(tian)吉大厦CD座5C1
请搜(sou)微(wei)信公(gong)众号:“KIA半导体(ti)”或扫一扫下图“关(guan)注”官方微(wei)信公(gong)众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管(guan) 技术帮助