增强型是基本的MOS晶体管

在前面涉及的MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的(de)阈值电(dian)压(ya)(ya)VTN是正(zheng)值，当VGS= OV时就没有(you)漏极电(dian)流流动，这样的(de)晶体(ti)管称为增(zeng)强(qiang)型晶体(ti)管( enhancementtransistor)。图2.10示(shi)出增(zeng)强(qiang)型NMOS晶体(ti)管的(de)电(dian)流-电(dian)压(ya)(ya)特性。

耗(hao)尽型(xing)—使VGS=OV也有漏极电流流动的器(qi)件(jian)

与此相对应，也能制造(zao)出具有负阈值(zhi)(zhi)(zhi)电压(ya)的(de)(de)NMOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)。如图2.11所(suo)示(shi)，栅氧化膜下方是(shi)高浓度的(de)(de)n型掺杂(za)层，那么即使VGS=OV，也可(ke)以(yi)形(xing)成电子流(liu)的(de)(de)通路，使漏(lou)极电流(liu)流(liu)动，这样(yang)的(de)(de)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)称(cheng)为耗(hao)尽型晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(depletion transistor)。增强(qiang)型NMOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)的(de)(de)阈值(zhi)(zhi)(zhi)电压(ya)VTN在(zai)ov以(yi)上，而耗(hao)尽型NMOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)的(de)(de)阈值(zhi)(zhi)(zhi)电压(ya)VTN则在(zai)OV以(yi)下。

相(xiang)反，PMOS晶体管中，增(zeng)强型晶体管的(de)阈(yu)值电(dian)压(ya)是OV以下，而耗尽型PMOS晶体管的(de)阈(yu)值电(dian)压(ya)则在(zai)ov以上。

图(tu)2. 12示出耗尽型(xing)NMOS晶(jing)体管的电流—电压特性(xing)。表2.2列出了MOS晶(jing)体管的种类以及阈值电压的极性(xing)。

耗尽型MOS晶体管的OFF状态发生在栅极加负的电压，使栅极—源极间电压处于VGS

耗(hao)尽(jin)型晶体管(guan)对于(yu)模(mo)拟(ni)电路设计来(lai)说是一种很方便的(de)(de)(de)(de)器(qi)件。例如，使用(yong)耗(hao)尽(jin)型晶体管(guan)的(de)(de)(de)(de)1V以下的(de)(de)(de)(de)电源(yuan)电压下工(gong)作的(de)(de)(de)(de)rail to rail工(gong)作的(de)(de)(de)(de)OP放大(da)器(qi)。另外(wai)，如图(tu)2. 14所(suo)示，栅极和源(yuan)极接地(di)的(de)(de)(de)(de)耗(hao)尽(jin)型NMOS晶体管(guan)可(ke)以作为电流源(yuan)使用(yong)。由于(yu)VGS=o，所(suo)以漏极电流可(ke)以表示为