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一、三(san)极管和(he)MOS管的区别

1、三极管用电(dian)流控制，MOS管属于(yu)电(dian)压控制.

2、成(cheng)本问题：三极(ji)管便宜，MOS管贵(gui)。

3、功耗问题：三极(ji)管损耗大。

4、驱动能力：MOS管常用来电(dian)(dian)源(yuan)开(kai)关(guan)，以及大(da)电(dian)(dian)流地方开(kai)关(guan)电(dian)(dian)路。

实(shi)际上就是三(san)极(ji)管比较(jiao)便(bian)宜，用起来方便(bian)，常用在数字电路开(kai)关控制。

MOS管用于高频高速电路(lu)，大电流场合(he)，以及对基极或漏(lou)极控制电流比较敏感(gan)的地(di)方。

场效(xiao)应(ying)管(guan)是场效(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan)（Field Effect Transistor，FET）的简称。它属于电(dian)(dian)压(ya)控(kong)制型半导体(ti)器件，具有(you)输入(ru)电(dian)(dian)阻高、噪(zao)声小(xiao)、功(gong)耗(hao)低、没有(you)二次击(ji)穿现象、安(an)全工作区域宽、受温度(du)和辐(fu)射影(ying)响小(xiao)等优点，特别适(shi)用于高灵敏度(du)和低噪(zao)声的电(dian)(dian)路。

普(pu)通晶(jing)体管(guan)（三极(ji)(ji)管(guan)）是(shi)一种(zhong)电流(liu)(liu)(liu)控(kong)制元件(jian)，工(gong)作(zuo)(zuo)时，多(duo)数(shu)载流(liu)(liu)(liu)子(zi)和少数(shu)载流(liu)(liu)(liu)子(zi)都参与运行(xing)，所以被称为双极(ji)(ji)型(xing)晶(jing)体管(guan)；而场效应管(guan)（FET）是(shi)一种(zhong)电压控(kong)制器件(jian)（改变(bian)其(qi)栅(zha)源电压就可以改变(bian)其(qi)漏极(ji)(ji)电流(liu)(liu)(liu)），工(gong)作(zuo)(zuo)时，只有(you)一种(zhong)载流(liu)(liu)(liu)子(zi)参与导电，因此它是(shi)单极(ji)(ji)型(xing)晶(jing)体管(guan)。

场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)和三极(ji)管(guan)一样都能实现信号的(de)控制(zhi)和放(fang)大，但由于他们(men)构造和工作原理(li)截然不同，所(suo)以二者的(de)差异很大。在某(mou)些特殊应(ying)用方面，场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)优于三极(ji)管(guan)，是三极(ji)管(guan)无法替代的(de)，三极(ji)管(guan)与场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)区别(bie)见下表。

实(shi)际上(shang)说电流控制慢，电压控制快这种理(li)解是不对的。要(yao)真正(zheng)理(li)解得了解双(shuang)极晶体(ti)管(guan)和(he)MOS晶体(ti)管(guan)的工作方式才能明白。

三极(ji)管是(shi)靠载流(liu)子(zi)(zi)的(de)(de)运动(dong)来工作的(de)(de)，以npn管射(she)(she)极(ji)跟(gen)随器为(wei)例，当(dang)基(ji)(ji)极(ji)加(jia)不加(jia)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)时，基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)和发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)组成的(de)(de)pn结(jie)为(wei)阻止多(duo)子(zi)(zi)(基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)为(wei)空穴(xue)，发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)为(wei)电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi))的(de)(de)扩散运动(dong)，在此pn结(jie)处(chu)会感应出由(you)发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)指向(xiang)(xiang)基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)静电(dian)(dian)(dian)场(chang)(即(ji)内(nei)建电(dian)(dian)(dian)场(chang))，当(dang)基(ji)(ji)极(ji)外(wai)加(jia)正电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)指向(xiang)(xiang)为(wei)基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)指向(xiang)(xiang)发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，当(dang)基(ji)(ji)极(ji)外(wai)加(jia)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)产生(sheng)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)大于(yu)内(nei)建电(dian)(dian)(dian)场(chang)时，基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)载流(liu)子(zi)(zi)(电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi))才有(you)可能从基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)流(liu)向(xiang)(xiang)发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，此电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)最小值即(ji)pn结(jie)的(de)(de)正向(xiang)(xiang)导通电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(工程上(shang)一般认(ren)为(wei)0.7v)。但此时每个pn结(jie)的(de)(de)两侧都(dou)会有(you)电(dian)(dian)(dian)荷存(cun)在，此时如果集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)-发(fa)(fa)射(she)(she)极(ji)加(jia)正电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)，在电(dian)(dian)(dian)场(chang)作用下，发(fa)(fa)射(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)往基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)运动(dong)(实际上(shang)都(dou)是(shi)电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)反方向(xiang)(xiang)运动(dong))，由(you)于(yu)基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)宽度很小，电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)很容易(yi)越过(guo)基(ji)(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)到(dao)达集(ji)电(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)(qu)(qu)，并与此处(chu)的(de)(de)PN的(de)(de)空穴(xue)复合(靠近集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji))，为(wei)维持平衡，在正电(dian)(dian)(dian)场(chang)的(de)(de)作用下集(ji)电(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)加(jia)速外(wai)集(ji)电(dian)(dian)(dian)极运动，而空(kong)穴则为pn结处运动，此过(guo)程类似一个雪崩过(guo)程。集(ji)电(dian)极的(de)电(dian)子通过(guo)电(dian)源(yuan)回到发射极，这就是(shi)晶体管的(de)工作原理。

三(san)极(ji)管(guan)(guan)工(gong)(gong)作时(shi)(shi)，两(liang)个(ge)(ge)pn结都会感应出电(dian)荷，当(dang)做开(kai)关(guan)管(guan)(guan)处(chu)于导通(tong)状态时(shi)(shi)，三(san)极(ji)管(guan)(guan)处(chu)于饱和(he)状态，如果这(zhei)时(shi)(shi)三(san)极(ji)管(guan)(guan)截至(zhi)，pn结感应的电(dian)荷要恢复到(dao)平衡状态，这(zhei)个(ge)(ge)过程需要时(shi)(shi)间。而MOS三(san)极(ji)管(guan)(guan)工(gong)(gong)作方式不同，没(mei)有(you)这(zhei)个(ge)(ge)恢复时(shi)(shi)间，因(yin)此可以(yi)用(yong)作高速开(kai)关(guan)管(guan)(guan)。

二、场效应(ying)管和(he)三极管的作用

(1)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管是(shi)电压控制元件，而晶体管是(shi)电流(liu)控制元件。在只允许从信号源取(qu)较(jiao)少电流(liu)的情况下，应(ying)(ying)(ying)选(xuan)用(yong)(yong)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管；而在信号电压较(jiao)低，又(you)允许从信号源取(qu)较(jiao)多(duo)电流(liu)的条(tiao)件下，应(ying)(ying)(ying)选(xuan)用(yong)(yong)晶体管。

(2)场(chang)效应管(guan)是(shi)利(li)用多数(shu)载流(liu)子导电，所以称之(zhi)为单极(ji)型器件，而晶体管(guan)是(shi)即有多数(shu)载流(liu)子，也(ye)利(li)用少(shao)数(shu)载流(liu)子导电。被称之(zhi)为双极(ji)型器件。

(3)有些(xie)场效应管的(de)源极和漏(lou)极可以互换(huan)使用，栅压也可正可负，灵活性(xing)比(bi)晶体管好。

(4)场(chang)效应管(guan)能在(zai)很小电流和很低(di)电压的(de)条件下工(gong)作，而且它的(de)制造工(gong)艺可以很方(fang)便地把很多场(chang)效应管(guan)集成在(zai)一块硅片(pian)上，因此场(chang)效应管(guan)在(zai)大规模集成电路中得到(dao)了广泛的(de)应用。

(5)场效(xiao)(xiao)应(ying)晶体管具有较高输入(ru)(ru)阻抗和低噪(zao)声等优(you)点，因而(er)也被(bei)广泛应(ying)用(yong)于各(ge)种电(dian)子(zi)设备(bei)中。尤其用(yong)场效(xiao)(xiao)管做(zuo)整个电(dian)子(zi)设备(bei)的输入(ru)(ru)级，可以获得一般晶体管很难达到(dao)的性能。

(6)场效应管(guan)分成结型和绝缘栅型两大(da)类，其(qi)控制原(yuan)理(li)都是一样的(de)。

三、场效应管放(fang)(fang)大电路(lu)和(he)三极(ji)管放(fang)(fang)大电路(lu)的区别(bie)

1、场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)源(yuan)极(ji)s、栅极(ji)g、漏(lou)极(ji)d分(fen)别对(dui)应(ying)于三极(ji)管(guan)的(de)发(fa)射极(ji)e、基(ji)极(ji)b、集电极(ji)c，它们(men)的(de)作用相似(si)。

2、场效(xiao)应(ying)管(guan)是电(dian)压控制(zhi)电(dian)流(liu)器(qi)件，由(you)vGS控制(zhi)iD，其(qi)放(fang)(fang)大系数gm一般较小，因此场效(xiao)应(ying)管(guan)的放(fang)(fang)大能力(li)较差；三极管(guan)是电(dian)流(liu)控制(zhi)电(dian)流(liu)器(qi)件，由(you)iB（或iE）控制(zhi)iC。

3、场(chang)效应(ying)管(guan)栅极(ji)几乎不(bu)取(qu)电(dian)流（ig?0）；而三极(ji)管(guan)工作时基极(ji)总要吸取(qu)一定的电(dian)流。因此场(chang)效应(ying)管(guan)的输入(ru)电(dian)阻比三极(ji)管(guan)的输入(ru)电(dian)阻高。

4、场(chang)效应(ying)管(guan)只(zhi)有多(duo)(duo)子参与(yu)导电(dian)；三(san)极管(guan)有多(duo)(duo)子和少子两(liang)种载(zai)流子参与(yu)导电(dian)，因少子浓(nong)度(du)受温度(du)、辐(fu)射等(deng)因素(su)影(ying)响较大(da)(da)，所以场(chang)效应(ying)管(guan)比(bi)三(san)极管(guan)的温度(du)稳定性好、抗辐(fu)射能力强。在环境条(tiao)件（温度(du)等(deng)）变(bian)化(hua)很大(da)(da)的情况下应(ying)选用场(chang)效应(ying)管(guan)。

5、场效应管(guan)在源(yuan)极未与衬底连在一起时，源(yuan)极和漏极可(ke)以互换(huan)使用，且特性(xing)变(bian)化不大(da)；而(er)三极管(guan)的集电极与发射极互换(huan)使用时，其特性(xing)差(cha)异很(hen)大(da)，b 值将减(jian)小很(hen)多。

6、场效应管的(de)(de)噪声系数很小，在低噪声放大电路的(de)(de)输入级及要求信噪比较高的(de)(de)电路中(zhong)要选用场效应管。

7、场效应(ying)管和三极管均可组(zu)成(cheng)各(ge)种放(fang)大(da)电路(lu)和开关电路(lu)，但由于(yu)前者(zhe)制造工(gong)艺简单，且具有耗电少，热稳定性(xing)好，工(gong)作(zuo)电源电压范(fan)围(wei)宽等优点(dian)，因(yin)而被广泛用于(yu)大(da)规模(mo)和超大(da)规模(mo)集成(cheng)电路(lu)中。

四、定(ding)性判(pan)断MOS型场效应管的好坏

先用(yong)万用(yong)表R×10kΩ挡(dang)(内置有(you)9V或(huo)15V电池)，把负(fu)表笔(bi)(bi)(黑)接(jie)栅(zha)极(G)，正表笔(bi)(bi)(红)接(jie)源极(S)。给栅(zha)、源极之间充电，此(ci)时万用(yong)表指针有(you)轻微偏转。再改(gai)用(yong)万用(yong)表R×1Ω挡(dang)，将(jiang)负(fu)表笔(bi)(bi)接(jie)漏(lou)极(D)，正笔(bi)(bi)接(jie)源极(S)，万用(yong)表指示(shi)值若为几欧姆(mu)，则(ze)说明(ming)场效应(ying)管是好的。

五、定(ding)性判断结型场效应管(guan)的电极

将万用表(biao)拨(bo)至(zhi)R×100档，红表(biao)笔任(ren)意接一个脚(jiao)(jiao)管，黑表(biao)笔则接另(ling)一个脚(jiao)(jiao)管，使第三脚(jiao)(jiao)悬(xuan)空。若发现(xian)表(biao)针(zhen)有轻(qing)微摆动，就证明第三脚(jiao)(jiao)为栅(zha)极(ji)(ji)。欲获(huo)得(de)更明显的(de)观察效(xiao)果，还(hai)可(ke)利用人(ren)体靠近或者用手指(zhi)触摸悬(xuan)空脚(jiao)(jiao)，只要看到(dao)表(biao)针(zhen)作大(da)幅度偏转，即说明悬(xuan)空脚(jiao)(jiao)是栅(zha)极(ji)(ji)，其余二脚(jiao)(jiao)分别是源(yuan)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)。

判断(duan)理由：JFET的输入电(dian)(dian)阻大(da)于(yu)(yu)100MΩ，并且跨(kua)导很高，当栅(zha)极开路(lu)时空间(jian)电(dian)(dian)磁场很容(rong)易在栅(zha)极上感应(ying)出电(dian)(dian)压信号，使管子(zi)趋于(yu)(yu)截止(zhi)，或趋于(yu)(yu)导通。若将人体(ti)感应(ying)电(dian)(dian)压直接加在栅(zha)极上，由于(yu)(yu)输入干扰(rao)信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大(da)幅度偏转，就意味着管子(zi)趋于(yu)(yu)截止(zhi)，漏(lou)-源(yuan)极间(jian)电(dian)(dian)阻RDS增大(da)，漏(lou)-源(yuan)极间(jian)电(dian)(dian)流减小IDS。反之，表针向右(you)侧大(da)幅度偏转，说(shuo)明管子(zi)趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应(ying)视感应(ying)电(dian)(dian)压的极性(正向电(dian)(dian)压或反向电(dian)(dian)压)及(ji)管子(zi)的工(gong)作点而定(ding)。

注意事项：

(1)试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸(mo)栅极时，表针(zhen)(zhen)一般向(xiang)左偏转。但是，如果两手分(fen)别接触D、S极，并且(qie)用(yong)手指摸(mo)住栅极时，有可能观察到表针(zhen)(zhen)向(xiang)右(you)偏转的情(qing)形(xing)。其原因是人体(ti)几(ji)个部位和电阻对场效应管(guan)起到偏置作用(yong)，使之进入饱和区。

(2)也(ye)可(ke)以用舌尖舔住栅(zha)极，现象(xiang)同上。

六、晶体三极管管脚判别

三极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)是由(you)管(guan)(guan)芯(xin)(两个PN结)、三个电极(ji)(ji)(ji)和管(guan)(guan)壳组成，三个电极(ji)(ji)(ji)分(fen)别叫(jiao)集电极(ji)(ji)(ji)c、发射极(ji)(ji)(ji)e和基(ji)极(ji)(ji)(ji)b，目前(qian)常(chang)见的三极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)是硅平面(mian)管(guan)(guan)，又分(fen)PNP和NPN型(xing)两类。现在锗合(he)金管(guan)(guan)已经少见了。

这(zhei)里(li)向大家介(jie)绍如(ru)何用(yong)万(wan)用(yong)表测量三(san)极管(guan)的三(san)个管(guan)脚的简(jian)单方法。

1、找出基极，并判定管型(NPN或PNP)

对于(yu)PNP型三(san)极(ji)(ji)管，C、E极(ji)(ji)分别为(wei)(wei)其(qi)内部两个PN结(jie)的(de)正(zheng)极(ji)(ji)，B极(ji)(ji)为(wei)(wei)它(ta)们共同的(de)负(fu)极(ji)(ji)，而对于(yu)NPN型三(san)极(ji)(ji)管而言(yan)，则正(zheng)好相反(fan)：C、E极(ji)(ji)分别为(wei)(wei)两个PN结(jie)的(de)负(fu)极(ji)(ji)，而B极(ji)(ji)则为(wei)(wei)它(ta)们共用的(de)正(zheng)极(ji)(ji)，根据PN结(jie)正(zheng)向(xiang)电阻小反(fan)向(xiang)电阻大的(de)特(te)性就可(ke)以很方便(bian)的(de)判断基极(ji)(ji)和(he)管子的(de)类型。具体方法(fa)如下：

将万用表拨在R×100或R×1K档上(shang)。红(hong)(hong)笔接触(chu)(chu)某一管(guan)(guan)(guan)(guan)脚，用黑表笔分(fen)别接另外两(liang)(liang)个管(guan)(guan)(guan)(guan)脚，这样就可得到(dao)三(san)组(每(mei)组两(liang)(liang)次(ci))的(de)读(du)数(shu)，当其中一组二次(ci)测量都是(shi)几(ji)百欧的(de)低阻值时，若(ruo)公共管(guan)(guan)(guan)(guan)脚是(shi)红(hong)(hong)表笔，所接触(chu)(chu)的(de)是(shi)基(ji)(ji)极，且(qie)(qie)三(san)极管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)型(xing)为(wei)PNP型(xing);若(ruo)公共管(guan)(guan)(guan)(guan)脚是(shi)黑表笔，所接触(chu)(chu)的(de)是(shi)也是(shi)基(ji)(ji)极，且(qie)(qie)三(san)极管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)型(xing)为(wei)NPN型(xing)。

2、判别发射极和集电极

由于三(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)在制作(zuo)时，两个(ge)P区(qu)或两个(ge)N区(qu)的掺杂浓度不(bu)同(tong)，如果发(fa)射极(ji)(ji)(ji)、集(ji)电(dian)极(ji)(ji)(ji)使(shi)用(yong)正确，三(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)具(ju)有很(hen)强的放大(da)能(neng)力，反之，如果发(fa)射极(ji)(ji)(ji)、集(ji)电(dian)极(ji)(ji)(ji)互换使(shi)用(yong)，则放大(da)能(neng)力非常弱，由此即可把管(guan)子(zi)的发(fa)射极(ji)(ji)(ji)、集(ji)电(dian)极(ji)(ji)(ji)区(qu)别开来。

在判别出(chu)管(guan)(guan)(guan)型(xing)(xing)和基(ji)极(ji)(ji)b后(hou)，可用(yong)下(xia)列(lie)方(fang)法来判别集电(dian)极(ji)(ji)和发射极(ji)(ji)。将(jiang)(jiang)万用(yong)表(biao)拨在R×1K档上。用(yong)手将(jiang)(jiang)基(ji)极(ji)(ji)与(yu)另一管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)捏在一起(qi)(注(zhu)(zhu)意不要让电(dian)极(ji)(ji)直接(jie)(jie)相碰)，为(wei)使测(ce)量现象明(ming)显，可将(jiang)(jiang)手指(zhi)(zhi)湿润(run)一下(xia)，将(jiang)(jiang)红表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)在与(yu)基(ji)极(ji)(ji)捏在一起(qi)的管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)上，黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)另一管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)，注(zhu)(zhu)意观察万用(yong)表(biao)指(zhi)(zhi)针(zhen)向右(you)摆(bai)动(dong)(dong)的幅度(du)。然后(hou)将(jiang)(jiang)两(liang)个(ge)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)对调，重复(fu)(fu)上述测(ce)量步骤。比较两(liang)次(ci)测(ce)量中表(biao)针(zhen)向右(you)摆(bai)动(dong)(dong)的幅度(du)，找出(chu)摆(bai)动(dong)(dong)幅度(du)大(da)的一次(ci)。对PNP型(xing)(xing)三极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)，则将(jiang)(jiang)黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)在与(yu)基(ji)极(ji)(ji)捏在一起(qi)的管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)上，重复(fu)(fu)上述实(shi)验，找出(chu)表(biao)针(zhen)摆(bai)动(dong)(dong)幅度(du)大(da)的一次(ci)，对于NPN型(xing)(xing)，黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的是(shi)(shi)集电(dian)极(ji)(ji)，红表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的是(shi)(shi)发射极(ji)(ji)。对于PNP型(xing)(xing)，红表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的是(shi)(shi)集电(dian)极(ji)(ji)，黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的是(shi)(shi)发射极(ji)(ji)。

这种判别电(dian)极(ji)(ji)方法(fa)的原理是，利用万用表内部(bu)的电(dian)池(chi)，给(ji)三极(ji)(ji)管的集(ji)电(dian)极(ji)(ji)、发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)加上电(dian)压，使其具有放大能力(li)。有手捏其基极(ji)(ji)、集(ji)电(dian)极(ji)(ji)时，就等于(yu)通过手的电(dian)阻给(ji)三极(ji)(ji)管加一正向偏(pian)流，使其导通，此时表针向右(you)摆动幅度就反映(ying)出其放大能力(li)的大小，因此可正确判别出发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)、集(ji)电(dian)极(ji)(ji)来。

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