利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

一、三极管和MOS管的区别(bie)

1、三(san)极(ji)管用电流控制，MOS管属于电压控制.

2、成本问题：三极管便宜(yi)，MOS管贵。

3、功耗问(wen)题：三极管损耗大。

4、驱动能力：MOS管常用来(lai)电源开(kai)(kai)关，以(yi)及大电流地方开(kai)(kai)关电路。

实(shi)际上就是(shi)三极管比(bi)较便(bian)宜，用(yong)起(qi)来(lai)方便(bian)，常用(yong)在数字电路开关控制(zhi)。

MOS管用于高频高速电(dian)路，大电(dian)流场合，以及(ji)对基极或漏(lou)极控制电(dian)流比较敏感的地方。

场(chang)效应管是场(chang)效应晶体(ti)管（Field Effect Transistor，FET）的(de)简(jian)称。它属于电(dian)压控制型半导(dao)体(ti)器(qi)件，具有输入电(dian)阻高(gao)、噪声小(xiao)、功(gong)耗(hao)低、没有二次击穿(chuan)现(xian)象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小(xiao)等优(you)点，特别(bie)适用(yong)于高(gao)灵(ling)敏(min)度和低噪声的(de)电(dian)路。

普通晶体管(guan)（三极(ji)管(guan)）是(shi)(shi)一(yi)(yi)种电(dian)流控制元(yuan)件(jian)，工作(zuo)时(shi)，多数(shu)载流子和少数(shu)载流子都参与运行，所以(yi)被称为双极(ji)型晶体管(guan)；而场效应管(guan)（FET）是(shi)(shi)一(yi)(yi)种电(dian)压(ya)控制器件(jian)（改变(bian)(bian)其栅源电(dian)压(ya)就可以(yi)改变(bian)(bian)其漏极(ji)电(dian)流），工作(zuo)时(shi)，只(zhi)有一(yi)(yi)种载流子参与导电(dian)，因此(ci)它是(shi)(shi)单极(ji)型晶体管(guan)。

场效应(ying)管(guan)和三(san)极(ji)管(guan)一样都能实现信(xin)号的(de)控制(zhi)和放大，但由于他(ta)们(men)构造和工作原理截(jie)然(ran)不同，所以(yi)二(er)者的(de)差异很大。在(zai)某些特殊应(ying)用方面，场效应(ying)管(guan)优(you)于三(san)极(ji)管(guan)，是三(san)极(ji)管(guan)无法替代的(de)，三(san)极(ji)管(guan)与场效应(ying)管(guan)区别(bie)见下表(biao)。

实际上说(shuo)电流控制慢，电压(ya)控制快这种理解(jie)是不对(dui)的。要(yao)真(zhen)正理解(jie)得了解(jie)双极晶体管(guan)和MOS晶体管(guan)的工作方式才能明白。

三极(ji)(ji)(ji)管(guan)是靠载流子(zi)(zi)的(de)(de)(de)运动(dong)(dong)来工作(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)，以npn管(guan)射(she)(she)(she)极(ji)(ji)(ji)跟(gen)随器(qi)为(wei)(wei)(wei)例(li)，当(dang)(dang)基(ji)极(ji)(ji)(ji)加(jia)(jia)不(bu)加(jia)(jia)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)时(shi)，基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)和发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)组成的(de)(de)(de)pn结(jie)为(wei)(wei)(wei)阻止多子(zi)(zi)(基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)为(wei)(wei)(wei)空穴，发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)为(wei)(wei)(wei)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi))的(de)(de)(de)扩散运动(dong)(dong)，在此pn结(jie)处会感应出由发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)指(zhi)向基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)(即内建电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang))，当(dang)(dang)基(ji)极(ji)(ji)(ji)外加(jia)(jia)正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)指(zhi)向为(wei)(wei)(wei)基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)指(zhi)向发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，当(dang)(dang)基(ji)极(ji)(ji)(ji)外加(jia)(jia)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)产生的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)大于(yu)内建电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)时(shi)，基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)载流子(zi)(zi)(电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi))才(cai)有可能从(cong)基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)流向发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，此电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)最小值(zhi)即pn结(jie)的(de)(de)(de)正(zheng)向导通(tong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(工程上一般认为(wei)(wei)(wei)0.7v)。但此时(shi)每个pn结(jie)的(de)(de)(de)两侧都会有电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷存(cun)在，此时(shi)如(ru)果(guo)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)-发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)极(ji)(ji)(ji)加(jia)(jia)正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)，在电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)作(zuo)(zuo)用下，发(fa)(fa)(fa)射(she)(she)(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)往基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)运动(dong)(dong)(实(shi)际上都是电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)反方向运动(dong)(dong))，由于(yu)基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)宽度很小，电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)很容(rong)易越过基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)到达集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)(qu)(qu)，并与(yu)此处的(de)(de)(de)PN的(de)(de)(de)空穴复合(he)(靠近集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji))，为(wei)(wei)(wei)维(wei)持平衡，在正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)的(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用下集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)加(jia)(jia)速外集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极运动，而空穴则为pn结处运动，此过(guo)程(cheng)类(lei)似(si)一(yi)个雪崩过(guo)程(cheng)。集电极的(de)(de)电子(zi)通过(guo)电源(yuan)回到发射极，这(zhei)就是晶体(ti)管的(de)(de)工作原理。

三(san)极(ji)(ji)管(guan)工作(zuo)时，两个pn结都会感(gan)应出电荷(he)，当做开(kai)关管(guan)处于导通状态(tai)时，三(san)极(ji)(ji)管(guan)处于饱和(he)状态(tai)，如(ru)果这时三(san)极(ji)(ji)管(guan)截(jie)至，pn结感(gan)应的(de)电荷(he)要恢(hui)复(fu)到平衡状态(tai)，这个过(guo)程需(xu)要时间(jian)。而MOS三(san)极(ji)(ji)管(guan)工作(zuo)方式不(bu)同(tong)，没有这个恢(hui)复(fu)时间(jian)，因此可以用作(zuo)高速开(kai)关管(guan)。

二、场效应管和三极管的(de)作用

(1)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)是(shi)电(dian)压控制元件，而晶体管(guan)是(shi)电(dian)流控制元件。在只(zhi)允许从信号源取(qu)较少电(dian)流的情况(kuang)下(xia)，应(ying)选用(yong)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)；而在信号电(dian)压较低，又允许从信号源取(qu)较多电(dian)流的条件下(xia)，应(ying)选用(yong)晶体管(guan)。

(2)场(chang)效应管是利(li)用多数载流子导电(dian)，所以称(cheng)之(zhi)为单极型(xing)器件(jian)，而(er)晶体管是即(ji)有多数载流子，也(ye)利(li)用少数载流子导电(dian)。被(bei)称(cheng)之(zhi)为双(shuang)极型(xing)器件(jian)。

(3)有(you)些(xie)场效应管的源极和漏极可以互(hu)换使用，栅压也可正(zheng)可负，灵活性比(bi)晶体(ti)管好(hao)。

(4)场(chang)效(xiao)应(ying)管能在(zai)很小电(dian)流(liu)和(he)很低电(dian)压(ya)的(de)条件下工作，而且它的(de)制造工艺可以很方便地把很多场(chang)效(xiao)应(ying)管集成(cheng)在(zai)一块(kuai)硅(gui)片(pian)上，因此场(chang)效(xiao)应(ying)管在(zai)大规模集成(cheng)电(dian)路中得到了广泛的(de)应(ying)用(yong)。

(5)场(chang)效应晶(jing)体管(guan)(guan)具(ju)有较高输(shu)入(ru)阻抗和(he)低(di)噪声等优(you)点，因而也被广泛应用于各种电子设(she)备中。尤其(qi)用场(chang)效管(guan)(guan)做整个电子设(she)备的输(shu)入(ru)级，可以获得(de)一般晶(jing)体管(guan)(guan)很难(nan)达到的性能。

(6)场效应管分成结型(xing)和绝缘栅型(xing)两大类(lei)，其控(kong)制原理都(dou)是一样的(de)。

三、场效(xiao)应管(guan)(guan)放大电(dian)路和三极管(guan)(guan)放大电(dian)路的区别

1、场(chang)效(xiao)应管的源(yuan)极s、栅极g、漏极d分别对应于(yu)三极管的发(fa)射极e、基极b、集电(dian)极c，它们(men)的作用相似(si)。

2、场(chang)效(xiao)应管是电(dian)压控(kong)制(zhi)电(dian)流(liu)器(qi)件，由vGS控(kong)制(zhi)iD，其放(fang)大(da)系数gm一般(ban)较小，因(yin)此场(chang)效(xiao)应管的放(fang)大(da)能(neng)力(li)较差；三极管是电(dian)流(liu)控(kong)制(zhi)电(dian)流(liu)器(qi)件，由iB（或(huo)iE）控(kong)制(zhi)iC。

3、场(chang)效应管(guan)(guan)栅极几(ji)乎不取电流（ig?0）；而(er)三极管(guan)(guan)工作时基极总要(yao)吸取一(yi)定的(de)电流。因此场(chang)效应管(guan)(guan)的(de)输入(ru)电阻比三极管(guan)(guan)的(de)输入(ru)电阻高(gao)。

4、场效应管只有多(duo)子(zi)参与导电；三(san)极管有多(duo)子(zi)和少子(zi)两种载流子(zi)参与导电，因(yin)少子(zi)浓(nong)度受(shou)温度、辐射等因(yin)素影(ying)响较大，所以场效应管比三(san)极管的(de)温度稳(wen)定性(xing)好、抗辐射能(neng)力(li)强。在环境(jing)条件（温度等）变(bian)化(hua)很大的(de)情况下应选用场效应管。

5、场(chang)效应(ying)管(guan)在源(yuan)极未与(yu)衬底连在一起时，源(yuan)极和漏极可以互换使用，且特(te)性(xing)变化不大(da)；而(er)三(san)极管(guan)的集电极与(yu)发射(she)极互换使用时，其特(te)性(xing)差(cha)异很(hen)大(da)，b 值将减小很(hen)多。

6、场效(xiao)应(ying)管的噪声(sheng)系数很小，在低噪声(sheng)放大电路的输入级及要(yao)求(qiu)信(xin)噪比(bi)较高的电路中要(yao)选用(yong)场效(xiao)应(ying)管。

7、场(chang)效应管(guan)和三极管(guan)均可组成(cheng)(cheng)各种放大(da)(da)电路和开关(guan)电路，但由(you)于前者(zhe)制造工艺简单(dan)，且具有(you)耗(hao)电少，热(re)稳定性(xing)好(hao)，工作电源电压范围(wei)宽等(deng)优点，因而(er)被广泛用于大(da)(da)规模和超大(da)(da)规模集成(cheng)(cheng)电路中。

四、定性判(pan)断MOS型场效(xiao)应管的好坏(huai)

先用(yong)万用(yong)表R×10kΩ挡(dang)(内置有9V或(huo)15V电池(chi))，把负(fu)表笔(bi)(黑(hei))接栅极(ji)(ji)(G)，正表笔(bi)(红)接源极(ji)(ji)(S)。给(ji)栅、源极(ji)(ji)之(zhi)间充电，此时万用(yong)表指针有轻微(wei)偏转。再改用(yong)万用(yong)表R×1Ω挡(dang)，将负(fu)表笔(bi)接漏极(ji)(ji)(D)，正笔(bi)接源极(ji)(ji)(S)，万用(yong)表指示值若(ruo)为(wei)几(ji)欧姆，则(ze)说明场效应管是好的。

五(wu)、定(ding)性判(pan)断结(jie)型场效应管的(de)电(dian)极(ji)

将(jiang)万用(yong)(yong)表(biao)拨(bo)至R×100档，红表(biao)笔任意接一个脚(jiao)(jiao)管(guan)，黑表(biao)笔则接另一个脚(jiao)(jiao)管(guan)，使(shi)第三脚(jiao)(jiao)悬(xuan)空。若发现表(biao)针(zhen)有轻微摆动，就(jiu)证明第三脚(jiao)(jiao)为栅极(ji)。欲获得更明显(xian)的观察效果，还(hai)可(ke)利用(yong)(yong)人体(ti)靠(kao)近或者用(yong)(yong)手指触摸悬(xuan)空脚(jiao)(jiao)，只(zhi)要看到表(biao)针(zhen)作(zuo)大幅度偏转，即说明悬(xuan)空脚(jiao)(jiao)是(shi)栅极(ji)，其余二脚(jiao)(jiao)分别是(shi)源极(ji)和漏极(ji)。

判断理由(you)：JFET的(de)输入电(dian)(dian)(dian)阻(zu)大(da)于100MΩ，并且跨导(dao)很(hen)高，当栅极(ji)开路时空间(jian)电(dian)(dian)(dian)磁场很(hen)容易在(zai)栅极(ji)上感应(ying)出电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)信号(hao)，使(shi)管(guan)子趋于截(jie)止，或趋于导(dao)通。若将人体感应(ying)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)直(zhi)接(jie)加(jia)(jia)在(zai)栅极(ji)上，由(you)于输入干扰(rao)信号(hao)较强，上述现象会更加(jia)(jia)明(ming)显。如表(biao)针向(xiang)(xiang)左侧(ce)大(da)幅度(du)偏(pian)转(zhuan)，就意味着管(guan)子趋于截(jie)止，漏-源(yuan)极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)RDS增(zeng)大(da)，漏-源(yuan)极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)流减小(xiao)IDS。反之，表(biao)针向(xiang)(xiang)右侧(ce)大(da)幅度(du)偏(pian)转(zhuan)，说明(ming)管(guan)子趋向(xiang)(xiang)导(dao)通，RDS↓，IDS↑。但表(biao)针究(jiu)竟向(xiang)(xiang)哪个方向(xiang)(xiang)偏(pian)转(zhuan)，应(ying)视(shi)感应(ying)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)极(ji)性(xing)(正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)或反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya))及管(guan)子的(de)工作点而定。

注意事项：

(1)试验(yan)表明，当两手与D、S极绝缘，只摸(mo)栅极时(shi)，表针(zhen)一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用(yong)手指摸(mo)住(zhu)栅极时(shi)，有可(ke)能观(guan)察到表针(zhen)向右偏转的情(qing)形。其原(yuan)因是人体几个部(bu)位和电阻对(dui)场(chang)效(xiao)应管起到偏置作(zuo)用(yong)，使之进入饱和区(qu)。

(2)也可以用舌尖舔住(zhu)栅(zha)极，现象同上(shang)。

六、晶体三极管(guan)管(guan)脚判别(bie)

三(san)(san)极管是由管芯(两个(ge)PN结(jie))、三(san)(san)个(ge)电(dian)极和(he)(he)管壳(qiao)组成(cheng)，三(san)(san)个(ge)电(dian)极分别(bie)叫集电(dian)极c、发射极e和(he)(he)基极b，目前(qian)常(chang)见(jian)的(de)三(san)(san)极管是硅平面管，又分PNP和(he)(he)NPN型两类(lei)。现(xian)在(zai)锗合金管已经少(shao)见(jian)了。

这里向大家(jia)介绍如何(he)用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

1、找出基极，并判定管型(NPN或PNP)

对(dui)于PNP型三极(ji)(ji)(ji)(ji)管，C、E极(ji)(ji)(ji)(ji)分别为其内部(bu)两(liang)个PN结的(de)(de)(de)(de)正(zheng)极(ji)(ji)(ji)(ji)，B极(ji)(ji)(ji)(ji)为它们共(gong)同的(de)(de)(de)(de)负极(ji)(ji)(ji)(ji)，而对(dui)于NPN型三极(ji)(ji)(ji)(ji)管而言，则(ze)正(zheng)好(hao)相反：C、E极(ji)(ji)(ji)(ji)分别为两(liang)个PN结的(de)(de)(de)(de)负极(ji)(ji)(ji)(ji)，而B极(ji)(ji)(ji)(ji)则(ze)为它们共(gong)用的(de)(de)(de)(de)正(zheng)极(ji)(ji)(ji)(ji)，根据PN结正(zheng)向电(dian)阻小反向电(dian)阻大(da)的(de)(de)(de)(de)特性就可以很方(fang)便的(de)(de)(de)(de)判断基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)和管子的(de)(de)(de)(de)类(lei)型。具(ju)体方(fang)法如下：

将万用表(biao)拨在R×100或R×1K档上。红笔接触(chu)某一管(guan)(guan)脚，用黑表(biao)笔分别接另外两个(ge)管(guan)(guan)脚，这样(yang)就可得(de)到(dao)三(san)组(每(mei)组两次)的读数(shu)，当其中一组二次测量都是(shi)(shi)几(ji)百欧(ou)的低阻值时，若(ruo)公(gong)共管(guan)(guan)脚是(shi)(shi)红表(biao)笔，所(suo)接触(chu)的是(shi)(shi)基(ji)极(ji)(ji)，且(qie)三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的管(guan)(guan)型(xing)为PNP型(xing);若(ruo)公(gong)共管(guan)(guan)脚是(shi)(shi)黑表(biao)笔，所(suo)接触(chu)的是(shi)(shi)也是(shi)(shi)基(ji)极(ji)(ji)，且(qie)三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的管(guan)(guan)型(xing)为NPN型(xing)。

2、判别发射极和集电极

由于三(san)极管(guan)在制作时，两个(ge)P区(qu)(qu)或(huo)两个(ge)N区(qu)(qu)的(de)掺杂浓度不同(tong)，如(ru)果发(fa)(fa)射极、集电(dian)极使用(yong)正确，三(san)极管(guan)具有很强的(de)放大(da)能(neng)力，反之，如(ru)果发(fa)(fa)射极、集电(dian)极互换使用(yong)，则放大(da)能(neng)力非常弱(ruo)，由此即可(ke)把(ba)管(guan)子的(de)发(fa)(fa)射极、集电(dian)极区(qu)(qu)别(bie)开来。

在判别出管(guan)(guan)(guan)型(xing)和(he)基(ji)(ji)极(ji)(ji)b后(hou)，可(ke)用下列方法来判别集(ji)电(dian)(dian)极(ji)(ji)和(he)发(fa)射(she)极(ji)(ji)。将(jiang)(jiang)(jiang)万用表(biao)(biao)拨在R×1K档上(shang)。用手(shou)将(jiang)(jiang)(jiang)基(ji)(ji)极(ji)(ji)与另一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)捏(nie)在一(yi)(yi)起(注(zhu)意不要让电(dian)(dian)极(ji)(ji)直接相碰(peng))，为使测(ce)量现象明(ming)显，可(ke)将(jiang)(jiang)(jiang)手(shou)指(zhi)湿润一(yi)(yi)下，将(jiang)(jiang)(jiang)红(hong)表(biao)(biao)笔(bi)接在与基(ji)(ji)极(ji)(ji)捏(nie)在一(yi)(yi)起的(de)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)上(shang)，黑表(biao)(biao)笔(bi)接另一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)，注(zhu)意观察万用表(biao)(biao)指(zhi)针(zhen)向(xiang)右摆(bai)动(dong)的(de)幅度(du)。然(ran)后(hou)将(jiang)(jiang)(jiang)两(liang)个(ge)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)对调，重复(fu)上(shang)述(shu)测(ce)量步骤。比较两(liang)次(ci)(ci)测(ce)量中表(biao)(biao)针(zhen)向(xiang)右摆(bai)动(dong)的(de)幅度(du)，找出摆(bai)动(dong)幅度(du)大(da)的(de)一(yi)(yi)次(ci)(ci)。对PNP型(xing)三极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)，则将(jiang)(jiang)(jiang)黑表(biao)(biao)笔(bi)接在与基(ji)(ji)极(ji)(ji)捏(nie)在一(yi)(yi)起的(de)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)上(shang)，重复(fu)上(shang)述(shu)实验(yan)，找出表(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动(dong)幅度(du)大(da)的(de)一(yi)(yi)次(ci)(ci)，对于(yu)NPN型(xing)，黑表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)是集(ji)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，红(hong)表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)是发(fa)射(she)极(ji)(ji)。对于(yu)PNP型(xing)，红(hong)表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)是集(ji)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，黑表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)是发(fa)射(she)极(ji)(ji)。

这种判(pan)别电(dian)极(ji)(ji)方法的(de)(de)(de)原理是，利用万用表内部(bu)的(de)(de)(de)电(dian)池，给(ji)三极(ji)(ji)管的(de)(de)(de)集电(dian)极(ji)(ji)、发射(she)极(ji)(ji)加(jia)(jia)上电(dian)压，使(shi)其(qi)(qi)具有(you)放大能力(li)。有(you)手捏其(qi)(qi)基极(ji)(ji)、集电(dian)极(ji)(ji)时，就(jiu)等于通过手的(de)(de)(de)电(dian)阻给(ji)三极(ji)(ji)管加(jia)(jia)一正(zheng)向偏流，使(shi)其(qi)(qi)导通，此(ci)时表针向右摆动幅度就(jiu)反映出(chu)其(qi)(qi)放大能力(li)的(de)(de)(de)大小，因此(ci)可正(zheng)确判(pan)别出(chu)发射(she)极(ji)(ji)、集电(dian)极(ji)(ji)来。

联(lian)系方式：邹先(xian)生

联(lian)系电话(hua)：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田(tian)区车公庙天安(an)数码城(cheng)天吉大厦CD座(zuo)5C1

请搜微信公众号:“KIA半导(dao)体(ti)”或扫(sao)(sao)一扫(sao)(sao)下图“关(guan)注”官(guan)方微信公众号

请“关注”官方微信公(gong)众号(hao):提供  MOS管  技术帮助