大功率场效应管型号

场效应(ying)管的主(zhu)要特性参数

场效应管的直流参数

1.夹断电压Up

在UDS为(wei)某一固(gu)定(ding)值(zhi)(zhi)的条件下，使(shi)ID等于一个微(wei)小电流值(zhi)(zhi)(几(ji)微(wei)安)时，栅极上所加(jia)偏(pian)压(ya)UGS就(jiu)是夹断(duan)电压(ya)。它适(shi)用(yong)于结型(xing)场(chang)效应管(guan)及耗(hao)尽(jin)型(xing)绝缘栅型(xing)场(chang)效应管(guan)。

2. 开启电压UT

在UDS为(wei)某(mou)一固定值(zhi)的条件下，使S 极(ji)与D 极(ji)之间(jian)形成导电沟道的UGS就是开启电压。它(ta)只适用于增强型绝(jue)缘栅(zha)型场(chang)效应(ying)管。

3. 饱和电流IDSS

在UDS =0的(de)条件下，漏极(ji)与(yu)源极(ji)之间(jian)所加电(dian)压大于(yu)夹(jia)断(duan)电(dian)压时的(de)沟(gou)道电(dian)流称为饱(bao)和电(dian)流，它(ta)适用(yong)于(yu)耗尽型(xing)绝缘(yuan)栅型(xing)场效应管。

4. 直流输入电阻RGS

在场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管输(shu)入(ru)端(即栅(zha)源之间)所加(jia)的电(dian)压Ucs 与(yu)流(liu)过的栅(zha)极电(dian)流(liu)之比(bi)，称(cheng)作(zuo)直流(liu)输(shu)入(ru)电(dian)阻(zu)(zu)。绝缘栅(zha)型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管的直流(liu)输(shu)入(ru)电(dian)阻(zu)(zu)比(bi)结型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管大两个数量级以上(shang)。结型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管的直流(liu)输(shu)入(ru)电(dian)阻(zu)(zu)为(wei)1 X 10 8Ω，而绝缘栅(zha)型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管的直流(liu)输(shu)入(ru)电(dian)阻(zu)(zu)为(wei)1 X 10 12Ω 以上(shang)。

5. 漏源击穿电压BVDS

在增大漏师、电(dian)压的过程(cheng)中.使(shi)ID开始剧增的UDS值(zhi)，称(cheng)为漏源击穿电(dian)压。BVDS确定了场效(xiao)应管(guan)的使(shi)用(yong)电(dian)压。

6. 栅源击穿电压BVGS

对结型(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)来(lai)说，反向饱和电流(liu)开(kai)始剧增时的UGS值(zhi)，即为(wei)栅游(you)、击穿电压。对于绝缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)来(lai)说，它是使SiO2 绝缘(yuan)层击穿的电压。

场效应管的微变参数

1.跨导gm

在漏(lou)(lou)(lou)源(yuan)电(dian)压UDS一(yi)定时，漏(lou)(lou)(lou)极(ji)电(dian)流ID的(de)(de)微量变化和引起这个变化的(de)(de)栅源(yuan)电(dian)压微变量之比称为(wei)跨导，即(ji)跨导是衡量场(chang)效应管栅源(yuan)电(dian)压UGS对漏(lou)(lou)(lou)极(ji)电(dian)流ID控制能力的(de)(de)一(yi)个参(can)数，也是衡量场(chang)效应管放大(da)作用的(de)(de)重要参(can)数之一(yi)。

2. 漏源动态电阻rDS

在栅洒、电压一(yi)定时(shi)， UDS的(de)微小变(bian)化量与ID的(de)变(bian)化量之(zhi)比，称为漏(lou)源动态内阻(zu)rDS ,即rDS的(de)取(qu)值范围一(yi)般为数千欧至数百千欧。

场效应管的其他参数

①极间电容

场效(xiao)应管的三个电(dian)(dian)极间(jian)都存在着极间(jian)电(dian)(dian)容(rong)，即(ji)栅师(shi)、电(dian)(dian)容(rong)CGS、栅漏电(dian)(dian)容(rong)CGD和师(shi)、漏电(dian)(dian)容(rong)CDS。CGS和CGD一(yi)般为(wei)1 - 3pF , CDS约为(wei)0.1 - 1pF

②漏源最大电流IDM

它是指场效应管漏源极的允许通过(guo)的最大(da)电流

③场效应管耗散功率PD

它是(shi)指场效(xiao)应管工(gong)作时所耗散的功率

④低频噪声系数NF

场(chang)效应管(guan)(guan)的噪声是由内(nei)部载流(liu)子运(yun)动的不(bu)规则性引起(qi)的。它的存(cun)在会使一(yi)个放(fang)大器即使在没有信号输入时，在输出端也会出现不(bu)规则的电(dian)压或电(dian)流(liu)的变化(hua)。场(chang)效应管(guan)(guan)的低频噪声系数要(yao)比(bi)半导体三极管(guan)(guan)小。

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