单片机,单片机5V转3.3V电平

单片机

单(dan)片(pian)(pian)机（Microcontrollers）是一种(zhong)集(ji)成电路(lu)芯(xin)片(pian)(pian)，是采(cai)用超大(da)规模集(ji)成电路(lu)技术把具有数据处理(li)能(neng)力的(de)(de)中央(yang)处理(li)器(qi)CPU、随机存储器(qi)RAM、只读存储器(qi)ROM、多(duo)(duo)种(zhong)I/O口和中断系统、定(ding)时器(qi)/计(ji)数器(qi)等功能(neng)（可能(neng)还包括显示(shi)驱动电路(lu)、脉宽(kuan)调制电路(lu)、模拟多(duo)(duo)路(lu)转换器(qi)、A/D转换器(qi)等电路(lu)）集(ji)成到一块硅片(pian)(pian)上(shang)(shang)构成的(de)(de)一个小(xiao)而完善(shan)的(de)(de)微(wei)型计(ji)算(suan)机系统，在工业控制领域广泛应用。从(cong)上(shang)(shang)世纪80年代，由当时的(de)(de)4位(wei)、8位(wei)单(dan)片(pian)(pian)机，发展到现在的(de)(de)300M的(de)(de)高速单(dan)片(pian)(pian)机。

单片机的应用分类

单片机（Microcontrollers）作为计算机发展的一个重要分支领域，根据发展情况(kuang)，从不同角度，单片机大(da)致(zhi)可以(yi)分为通用型(xing)(xing)(xing)/专用型(xing)(xing)(xing)、总(zong)(zong)线型(xing)(xing)(xing)/非总(zong)(zong)线型(xing)(xing)(xing)及工控型(xing)(xing)(xing)/家电型(xing)(xing)(xing)。

通用型

这是(shi)按单(dan)(dan)片机（Microcontrollers）适用(yong)范围来区分的(de)。例如，80C51式通用(yong)型(xing)单(dan)(dan)片机，它不是(shi)为某(mou)种专门用(yong)途设计(ji)的(de)；专用(yong)型(xing)单(dan)(dan)片机是(shi)针对一类(lei)产(chan)品(pin)甚至某(mou)一个产(chan)品(pin)设计(ji)生(sheng)产(chan)的(de)，例如为了满足(zu)电子体温(wen)计(ji)的(de)要求，在片内(nei)集成ADC接(jie)口等功(gong)能的(de)温(wen)度测量控(kong)制(zhi)电路。

总线型

这(zhei)是按单(dan)片机（Microcontrollers）是否提供并行(xing)总(zong)线(xian)(xian)来区分的。总(zong)线(xian)(xian)型(xing)单(dan)片机普遍设(she)置有(you)并行(xing)地址总(zong)线(xian)(xian)、 数据(ju)总(zong)线(xian)(xian)、控(kong)制总(zong)线(xian)(xian)，这(zhei)些(xie)引(yin)脚用以扩(kuo)(kuo)展并行(xing)外(wai)围器件都可通(tong)过串行(xing)口(kou)与单(dan)片机连接，另外(wai)，许(xu)多(duo)单(dan)片机已把所需要的外(wai)围器件及外(wai)设(she)接口(kou)集成(cheng)一片内，因此在(zai)许(xu)多(duo)情况下可以不要并行(xing)扩(kuo)(kuo)展总(zong)线(xian)(xian)，大(da)大(da)减省封(feng)装(zhuang)成(cheng)本(ben)和芯片体积(ji)，这(zhei)类单(dan)片机称为非(fei)总(zong)线(xian)(xian)型(xing)单(dan)片机。

控制型

这(zhei)是按照单(dan)片机（Microcontrollers）大(da)致应(ying)用(yong)(yong)(yong)的(de)领(ling)域进行(xing)区(qu)分的(de)。一般而言，工(gong)控(kong)型(xing)寻址(zhi)范(fan)围大(da)，运算能力强；用(yong)(yong)(yong)于家电的(de)单(dan)片机多为专用(yong)(yong)(yong)型(xing)，通常是小封装、低价格，外围器件和外设接(jie)口(kou)集成度高(gao)。 显(xian)然，上述分类并不是惟一的(de)和严格的(de)。例如，80C51类单(dan)片机既是通用(yong)(yong)(yong)型(xing)又是总线型(xing)，还可以作(zuo)工(gong)控(kong)用(yong)(yong)(yong)。

单片机5V转3.3V电平的方法技巧

（一）使用LDO稳压器，从5V电源向3.3V系统供电

标(biao)(biao)准三端线(xian)性稳压器的压差(cha)通(tong)常是(shi) 2.0-3.0V。要把 5V 可(ke)靠地转换为 3.3V，就不能使用(yong)它们。压差(cha)为几百个毫伏的低压降 （Low Dropout， LDO）稳压器，是(shi)此类应用(yong)的理想选择。图 1-1 是(shi)基本LDO 系统的框图，标(biao)(biao)注了相应的电(dian)流(liu)。从图中可(ke)以看出， LDO 由四个主要部(bu)分组成：

1. 导(dao)通晶体(ti)管

2. 带隙参考源(yuan)

3. 运算放大器

4. 反馈(kui)电阻分压器(qi)

在选择 LDO 时，重(zhong)要(yao)的(de)(de)是(shi)要(yao)知道如何区(qu)分各种LDO。器件的(de)(de)静态电(dian)流(liu)、封装大小(xiao)和(he)型号是(shi)重(zhong)要(yao)的(de)(de)器件参(can)数。根据具体应用来确定各种参(can)数，将会得到最优的(de)(de)设(she)计。

LDO电(dian)压(ya)稳(wen)压(ya)器

LDO的静态(tai)电(dian)流(liu)IQ是(shi)器件空载(zai)(zai)(zai)工作时器件的接地电(dian)流(liu) IGND。 IGND 是(shi) LDO 用来进行(xing)稳压(ya)的电(dian)流(liu)。当IOUT>>IQ 时， LDO 的效(xiao)(xiao)率(lv)可用输出(chu)电(dian)压(ya)除(chu)以输入电(dian)压(ya)来近似地得到。然而，轻载(zai)(zai)(zai)时，必须将(jiang) IQ 计(ji)入效(xiao)(xiao)率(lv)计(ji)算中。具有较(jiao)低(di) IQ 的 LDO 其(qi)轻载(zai)(zai)(zai)效(xiao)(xiao)率(lv)较(jiao)高(gao)。轻载(zai)(zai)(zai)效(xiao)(xiao)率(lv)的提高(gao)对于(yu) LDO 性能有负(fu)面影响。静态(tai)电(dian)流(liu)较(jiao)高(gao)的 LDO 对于(yu)线路(lu)和负(fu)载(zai)(zai)(zai)的突然变(bian)化(hua)有更快的响应。

（二）采用齐纳二极管的低成本供电系统

详细说明了一(yi)个采用齐纳二极管的低(di)成本稳压器方(fang)案(an)。

齐(qi)纳电源

可以用(yong)齐纳(na)二极管(guan)和电(dian)(dian)阻做成简单的(de)低成本 3.3V稳压(ya)器(qi)(qi)，如图 2-1 所示。在(zai)很多应(ying)用(yong)中，该(gai)电(dian)(dian)路可以替(ti)代 LDO 稳压(ya)器(qi)(qi)并(bing)具(ju)成本效益。但是，这(zhei)种稳压(ya)器(qi)(qi)对负载敏感的(de)程度要高(gao)于 LDO 稳压(ya)器(qi)(qi)。另外，它的(de)能(neng)效较低，因为 R1 和 D1 始终有(you)功(gong)耗。R1 限(xian)制流(liu)入(ru)D1 和 PICmicro? MCU的(de)电(dian)(dian)流(liu)，从而使VDD 保持在(zai)允许(xu)范围内。由于流(liu)经齐纳(na)二极管(guan)的(de)电(dian)(dian)流(liu)变化时，二极管(guan)的(de)反(fan)向电(dian)(dian)压(ya)也将发(fa)生改变，所以需要仔细考虑 R1 的(de)值。

R1 的(de)(de)选择依据是：在(zai)最大负载(zai)时(shi)——通常是在(zai)PICmicro MCU 运行且驱动其输出为高(gao)电平时(shi)——R1上的(de)(de)电压(ya)降要足(zu)够低从(cong)而使(shi)PICmicro MCU有足(zu)以(yi)维持工(gong)作所需的(de)(de)电压(ya)。同时(shi)，在(zai)最小负载(zai)时(shi)——通常是 PICmicro MCU 复位时(shi)——VDD 不(bu)超(chao)过齐纳(na)二极管的(de)(de)额定功率，也不(bu)超(chao)过 PICmicro MCU的(de)(de)最大 VDD。

（三）采用3个整流二极管的更低成本供电系统

如下图详细说明了一(yi)个(ge)采用 3 个(ge)整流二极(ji)管的更低成本稳(wen)压器方案。

二(er)极管电(dian)源(yuan)

我们也可以把几个(ge)常规开(kai)关(guan)二极管(guan)(guan)串(chuan)联起(qi)来，用其正向压降(jiang)来降(jiang)低进入的(de) PICmicro MCU 的(de)电(dian)压。这甚至(zhi)比(bi)齐(qi)纳(na)二极管(guan)(guan)稳压器的(de)成(cheng)本还要(yao)低。这种设计的(de)电(dian)流消耗通常要(yao)比(bi)使用齐(qi)纳(na)二极管(guan)(guan)的(de)电(dian)路(lu)低。

所需(xu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的数(shu)量根(gen)据(ju)(ju)所选(xuan)用二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的正向电(dian)压而(er)变化。二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan) D1-D3 的电(dian)压降是(shi)流经(jing)这(zhei)些(xie)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的电(dian)流的函数(shu)。连(lian)接(jie) R1 是(shi)为了避免在负(fu)载最小时——通常是(shi) PICmicro MCU 处(chu)于复位或休眠状态(tai)时——PICmicro MCU VDD 引脚上的电(dian)压超过PICmicro MCU 的最大 VDD 值(zhi)。根(gen)据(ju)(ju)其他连(lian)接(jie)至VDD 的电(dian)路，可以提高R1 的阻值(zhi)，甚至也可能完(wan)全不(bu)需(xu)要(yao) R1。二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan) D1-D3 的选(xuan)择依(yi)据(ju)(ju)是(shi)：在最大负(fu)载时——通常是(shi) PICmicro MCU 运行且驱动其输出(chu)为高电(dian)平(ping)时——D1-D3 上的电(dian)压降要(yao)足够(gou)低(di)从而(er)能够(gou)满足 PICmicro MCU 的最低(di) VDD 要(yao)求。

（四）使用开关稳压器，从5V电源向3.3V系统供电

如(ru)图(tu)下所(suo)示，降压(ya)开关稳压(ya)器(qi)是一种基(ji)于电(dian)感的(de)(de)转换(huan)器(qi)，用(yong)来把(ba)输入电(dian)压(ya)源降低至幅值较低的(de)(de)输出(chu)电(dian)压(ya)。输出(chu)稳压(ya)是通(tong)过控(kong)制 MOSFET Q1 的(de)(de)导通(tong)（ON）时间来实现的(de)(de)。由于 MOSFET 要(yao)么处(chu)于低阻状(zhuang)态，要(yao)么处(chu)于高阻状(zhuang)态 （分别为 ON 和OFF），因此(ci)高输入源电(dian)压(ya)能够高效(xiao)率地(di)转换(huan)成较低的(de)(de)输出(chu)电(dian)压(ya)。

当(dang) Q1 在(zai)这两(liang)种(zhong)状态期间(jian)时(shi)(shi)，通过平衡电感的电压- 时(shi)(shi)间(jian)，可(ke)以建立输(shu)(shu)入和输(shu)(shu)出(chu)电压之间(jian)的关系。

对于(yu)MOSFET Q1，有下式：

在选择电感的值(zhi)时(shi)，使电感的最(zui)大(da)峰 - 峰纹波(bo)电流(liu)等于最(zui)大(da)负载电流(liu)的百(bai)分之十的电感值(zhi)，是个很好的初始(shi)选择。

在(zai)选择输(shu)出电(dian)容值时，好的(de)初值是(shi)：使 LC 滤波器特性(xing)阻(zu)抗等于负(fu)载(zai)(zai)电(dian)阻(zu)。这(zhei)样在(zai)满载(zai)(zai)工作期间(jian)如果(guo)突然卸掉负(fu)载(zai)(zai)，电(dian)压过冲能处于可接(jie)受范围之内。

在选择二极管 D1 时(shi)，应选择额定电流足(zu)够(gou)大的(de)元件，使(shi)之能够(gou)承受(shou)脉冲周期 （IL）放电期间的(de)电感电流。

降压(ya)（BUCK）稳压(ya)器

数字连(lian)接

在(zai)连接(jie)两个工作电压不同(tong)的(de)器(qi)件(jian)时，必须要知道(dao)其各自的(de)输(shu)(shu)出、输(shu)(shu)入(ru)阈(yu)值。知道(dao)阈(yu)值之后，可根(gen)据(ju)(ju)应(ying)用的(de)其他需求选(xuan)择器(qi)件(jian)的(de)连接(jie)方法。下(xia)表是本文档所使用的(de)输(shu)(shu)出、输(shu)(shu)入(ru)阈(yu)值。在(zai)设计连接(jie)时，请务必参考制造商的(de)数据(ju)(ju)手册以获得实际的(de)阈(yu)值电平。

输(shu)入/输(shu)出

（五）3.3V →5V直接连接

将 3.3V 输出连接(jie)(jie)到 5V 输入最简单、最理想(xiang)的方法是(shi)直接(jie)(jie)连接(jie)(jie)。直接(jie)(jie)连接(jie)(jie)需要(yao)满(man)足以下 2 点要(yao)求：

? 3.3V输出的 VOH 大于 5V 输入的 VIH

? 3.3V输出的(de) VOL 小于 5V 输入的(de) VIL

能够使用这种方法(fa)的(de)例(li)子(zi)之一是将(jiang) 3.3V LVCMOS输出(chu)(chu)连接到(dao) 5V TTL 输入。从表(biao) 4-1 中所给出(chu)(chu)的(de)值可以清楚地看到(dao)上述要求(qiu)均满足。

3.3V LVCMOS 的(de) VOH （3.0V）大于 5V TTL 的(de)VIH （2.0V）

且

3.3V LVCMOS 的(de)(de) VOL （0.5V）小于(yu) 5V TTL 的(de)(de)VIL （0.8V）。

如果这两(liang)个要求得(de)不(bu)到满(man)足，连接两(liang)个部分时就需要额外(wai)的电路(lu)。可能的解(jie)决方案(an)请参阅(yue)技巧 6、7、 8 和 13。

（六）3.3V→5V使用MOSFET转换器

如果(guo) 5V 输入的(de) VIH 比(bi) 3.3V CMOS 器件的(de) VOH 要高(gao)，则驱动任何这(zhei)样的(de) 5V 输入就(jiu)需要额外的(de)电路。图 6-1 所示为低(di)成本的(de)双元件解决方(fang)案(an)。

在(zai)选择(ze) R1 的(de)(de)(de)阻值(zhi)时(shi)(shi)(shi)，需要(yao)考虑两个参数，即：输(shu)入的(de)(de)(de)开(kai)关(guan)速(su)度和 R1 上(shang)的(de)(de)(de)电流消耗。当(dang)把输(shu)入从 0切换到 1 时(shi)(shi)(shi)，需要(yao)计(ji)入因(yin) R1 形(xing)成(cheng)的(de)(de)(de) RC 时(shi)(shi)(shi)间常数而导(dao)致(zhi)的(de)(de)(de)输(shu)入上(shang)升时(shi)(shi)(shi)间、 5V 输(shu)入的(de)(de)(de)输(shu)入容抗(kang)以(yi)及电路(lu)板上(shang)任(ren)何的(de)(de)(de)杂散(san)电容。输(shu)入开(kai)关(guan)速(su)度可通过下(xia)式计(ji)算(suan)：

由于输(shu)入(ru)容(rong)抗和电(dian)(dian)(dian)路(lu)板上的(de)(de)(de)(de)(de)杂散(san)电(dian)(dian)(dian)容(rong)是(shi)固定的(de)(de)(de)(de)(de)，提高输(shu)入(ru)开(kai)关速(su)(su)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)惟一途(tu)径(jing)是(shi)降低 R1 的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)(zu)值。而降低 R1 阻(zu)(zu)值以获取更短的(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)关时(shi)(shi)间(jian)，却是(shi)以增大5V 输(shu)入(ru)为(wei)低电(dian)(dian)(dian)平时(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流消耗为(wei)代价的(de)(de)(de)(de)(de)。通(tong)(tong)常，切换(huan)到(dao) 0 要比切换(huan)到(dao) 1 的(de)(de)(de)(de)(de)速(su)(su)度(du)快得(de)多(duo)，因为(wei) N 沟(gou)道 MOSFET 的(de)(de)(de)(de)(de)导通(tong)(tong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)要远小于 R1。另外，在(zai)选择 N 沟(gou)道 FET 时(shi)(shi)，所选 FET 的(de)(de)(de)(de)(de) VGS 应低于3.3V 输(shu)出的(de)(de)(de)(de)(de) VOH。

MOSFET转(zhuan)换器

单片机的应用

电子技术中单片机的(de)应用

1、在家用电器领域的应用

现在在家(jia)用(yong)电(dian)器(qi)的(de)(de)(de)更新、市场开拓等(deng)方面，单片机的(de)(de)(de)应用(yong)越来越广泛(fan)，比(bi)如电(dian)子玩具或者高级的(de)(de)(de)电(dian)视游戏机中，会(hui)应用(yong)单片机实(shi)现其控制功能;而洗(xi)衣机可以(yi)利(li)用(yong)单片机识别衣服(fu)的(de)(de)(de)种(zhong)类(lei)与(yu)脏(zang)污(wu)程度，从而自(zi)动(dong)选(xuan)择(ze)洗(xi)涤(di)强度与(yu)洗(xi)涤(di)时(shi)(shi)(shi)间(jian);在冰(bing)箱冷柜(ju)中采用(yong)单片机控制可以(yi)识别食物的(de)(de)(de)种(zhong)类(lei)与(yu)保鲜程度，实(shi)现冷藏温度与(yu)冷藏时(shi)(shi)(shi)间(jian)的(de)(de)(de)自(zi)动(dong)选(xuan)择(ze);微(wei)波炉也可以(yi)通过单片机识别食物种(zhong)类(lei)从而自(zi)动(dong)确定(ding)加热(re)(re)温度与(yu)加热(re)(re)时(shi)(shi)(shi)间(jian)等(deng)等(deng)，这些家(jia)用(yong)电(dian)器(qi)在应用(yong)单片机技(ji)术后，无论是(shi)(shi)性能还是(shi)(shi)功能，与(yu)传统技(ji)术相比(bi)均有长足的(de)(de)(de)进步(bu)。

2、在(zai)医(yi)用(yong)(yong)设备领域(yu)的应用(yong)(yong)

现代医疗(liao)(liao)条件越(yue)(yue)来越(yue)(yue)发达，人们对医疗(liao)(liao)灭菌消(xiao)毒技术也越(yue)(yue)来越(yue)(yue)重视，但是(shi)一些偏(pian)远地区的(de)(de)小医院、小诊所其(qi)消(xiao)毒灭菌设(she)(she)备(bei)还(hai)十分简陋，无法有效的(de)(de)控制消(xiao)毒质量。随着单片机技术的(de)(de)发展，其(qi)体积较(jiao)小、功能强大、具(ju)有灵(ling)活的(de)(de)扩展性(xing)、应(ying)用方便的(de)(de)特点也越(yue)(yue)来越(yue)(yue)突出，因(yin)此在医用呼吸机、分析仪(yi)与监护仪(yi)、超声诊断(duan)设(she)(she)备(bei)、病床呼叫系统等(deng)设(she)(she)备(bei)中得到了(le)广(guang)泛的(de)(de)应(ying)用。

3、在工(gong)业控制(zhi)领域的应用

其实最早的单(dan)片(pian)机正是(shi)从(cong)工业(ye)领(ling)域开(kai)始兴起的，至(zhi)今其在工业(ye)控(kong)(kong)制(zhi)领(ling)域的应用仍然十分(fen)广泛，利(li)用单(dan)片(pian)机技(ji)术构(gou)成多(duo)(duo)种多(duo)(duo)样的数据(ju)采集系统与智(zhi)能(neng)控(kong)(kong)制(zhi)系统，比如工厂流水(shui)线的智(zhi)能(neng)化管理、智(zhi)能(neng)化电(dian)梯、报警系统等等，均是(shi)通过单(dan)片(pian)机技(ji)术与计算机联网(wang)构(gou)成二级控(kong)(kong)制(zhi)系统。

4、在仪(yi)器仪(yi)表领域的应(ying)用

上文(wen)中也谈到(dao)单片机(ji)具备集成度(du)高、体积小、较(jiao)强(qiang)(qiang)的(de)控制功能(neng)(neng)与扩展的(de)灵(ling)活性(xing)(xing)等特点，并(bing)且处理速度(du)快，具有较(jiao)高的(de)可靠性(xing)(xing)，所以在智(zhi)能(neng)(neng)仪器仪表(biao)领(ling)域其应用也十分广泛(fan)。从某种程度(du)而言，单片机(ji)带动了(le)传统测量、控制仪器仪表(biao)技术的(de)一项(xiang)革命，通过单片机(ji)技术实现了(le)仪器仪表(biao)技术的(de)数字(zi)化(hua)、智(zhi)能(neng)(neng)化(hua)、综(zong)合化(hua)以及(ji)多(duo)功能(neng)(neng)化(hua)，与传统的(de)电(dian)子电(dian)路或者(zhe)数字(zi)电(dian)路相比，其功能(neng)(neng)更强(qiang)(qiang)大，综(zong)合性(xing)(xing)更突(tu)出。

单片机故障排除方法

1、单片机正常(chang)工作(zuo)的(de)三个条(tiao)件(jian)

单(dan)片(pian)机工作(zuo)的(de)(de)(de)(de)三个(ge)(ge)条件分别是电(dian)(dian)源、时钟(zhong)(zhong)晶(jing)振、复(fu)(fu)(fu)位(wei)。当单(dan)片(pian)机不(bu)能正常(chang)工作(zuo)时，我(wo)们首先就要检(jian)(jian)查这三个(ge)(ge)条件，用(yong)(yong)电(dian)(dian)压表或者万用(yong)(yong)表检(jian)(jian)测(ce)(ce)他的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)源和(he)接地脚(jiao)，检(jian)(jian)测(ce)(ce)两(liang)个(ge)(ge)引(yin)脚(jiao)之间的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)压是不(bu)是5V左右(you)；对(dui)于时钟(zhong)(zhong)晶(jing)体振荡有没(mei)有正常(chang)工作(zuo)，我(wo)们最好用(yong)(yong)示波(bo)器进行检(jian)(jian)测(ce)(ce)，看能否检(jian)(jian)测(ce)(ce)到相(xiang)应频率的(de)(de)(de)(de)正弦(xian)波(bo)脉冲；复(fu)(fu)(fu)位(wei)检(jian)(jian)测(ce)(ce)比较(jiao)简单(dan)，单(dan)片(pian)机的(de)(de)(de)(de)复(fu)(fu)(fu)位(wei)电(dian)(dian)平一般是高电(dian)(dian)平复(fu)(fu)(fu)位(wei)，单(dan)片(pian)机在接通电(dian)(dian)源的(de)(de)(de)(de)时候一般复(fu)(fu)(fu)位(wei)引(yin)脚(jiao)上会出现(xian)(xian)5V左右(you)的(de)(de)(de)(de)高电(dian)(dian)平，另外在按(an)下复(fu)(fu)(fu)位(wei)按(an)键时，复(fu)(fu)(fu)位(wei)引(yin)脚(jiao)上也会出现(xian)(xian)高电(dian)(dian)平，用(yong)(yong)一般的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)压表或者万用(yong)(yong)表都可以进行检(jian)(jian)测(ce)(ce)。

2、单片机内部是否正常(chang)工作的检测

单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)内部有没有正常(chang)工作，我们主要是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)通过写(xie)入程(cheng)(cheng)序(xu)的(de)(de)方式来进行检(jian)(jian)测(ce)和排查。这(zhei)个检(jian)(jian)测(ce)需(xu)要有“烧(shao)入”代(dai)(dai)码的(de)(de)硬件(jian)和软件(jian)才行，检(jian)(jian)测(ce)的(de)(de)原理就(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)通过“烧(shao)入”代(dai)(dai)码的(de)(de)硬件(jian)和软件(jian)，将一(yi)段带(dai)有检(jian)(jian)测(ce)功能的(de)(de)正常(chang)代(dai)(dai)码“烧(shao)入”到单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)。检(jian)(jian)查两个方面：第一(yi)就(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)能不(bu)能将目标(biao)代(dai)(dai)码正常(chang)写(xie)入单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)，不(bu)能正常(chang)写(xie)入单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)时，说明单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)已(yi)经损坏，需(xu)要更换同型号(hao)的(de)(de)单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)；第二就(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)目标(biao)代(dai)(dai)码可(ke)以正常(chang)写(xie)入单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)，写(xie)入后(hou)的(de)(de)效果是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)不(bu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)就(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)程(cheng)(cheng)序(xu)设定的(de)(de)功能，如果是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)说明单(dan)(dan)片(pian)(pian)(pian)机(ji)正常(chang)。

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