COOLMOS

长期以来，提高电(dian)源体(ti)系功率密度，功率以及体(ti)系的(de)(de)可(ke)靠性一(yi)直是(shi)研制人员面对的(de)(de)重要课题。提高电(dian)源的(de)(de)开(kai)(kai)关频率是(shi)其间的(de)(de)办法(fa)之一(yi)，可(ke)是(shi)频率的(de)(de)提高会影响到功率器材的(de)(de)开(kai)(kai)关损耗，使得提高频率对硬开(kai)(kai)关拓(tuo)扑来说效(xiao)果并不十分显着，硬开(kai)(kai)关拓(tuo)扑现已达到了(le)它的(de)(de)规划瓶(ping)颈。

1、Coolmos选型

一(yi)(yi)般选择一(yi)(yi)颗(ke)MOS大致看(kan)以(yi)下(xia)(xia)几(ji)个(ge)参(can)数(shu)(shu)BVIdRdsVthQgPd等(deng)。可(ke)(ke)(ke)是(shi)(shi)这(zhei)几(ji)个(ge)参(can)数(shu)(shu)，只(zhi)(zhi)要(yao)(yao)Qg和Id是(shi)(shi)交流参(can)数(shu)(shu)，其他(ta)都是(shi)(shi)静态参(can)数(shu)(shu)。而半导(dao)(dao)体这(zhei)东西就(jiu)是(shi)(shi)随(sui)温升变坏(huai)的(de)(de)(de)(de)(de)。那动态参(can)数(shu)(shu)，其实(shi)是(shi)(shi)变坏(huai)的(de)(de)(de)(de)(de)。25度的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)流是(shi)(shi)100A，或许(xu)125度的(de)(de)(de)(de)(de)时分(fen)，电(dian)(dian)流只(zhi)(zhi)要(yao)(yao)50A，所(suo)以(yi)选型的(de)(de)(de)(de)(de)时分(fen)要(yao)(yao)以(yi)高温下(xia)(xia)(老(lao)化房)的(de)(de)(de)(de)(de)数(shu)(shu)据(ju)为准。那选好了(le)电(dian)(dian)压、电(dian)(dian)流，剩余就(jiu)是(shi)(shi)看(kan)Coolmos的(de)(de)(de)(de)(de)损耗(hao)了(le)。Coolmos在(zai)外表的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)Rdson较低(di)，只(zhi)(zhi)要(yao)(yao)平面管的(de)(de)(de)(de)(de)1/3或者1/4，那MOS的(de)(de)(de)(de)(de)导(dao)(dao)通损耗(hao)必定(ding)较之(zhi)平面管要(yao)(yao)低(di)不(bu)少。MOS的(de)(de)(de)(de)(de)别的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)个(ge)损耗(hao)，开关损耗(hao)其实(shi)往(wang)往(wang)愈加占主导(dao)(dao)。开关损耗(hao)在(zai)MOS里最直接表现的(de)(de)(de)(de)(de)数(shu)(shu)值是(shi)(shi)Trr。这(zhei)也(ye)是(shi)(shi)Coolmos最中心的(de)(de)(de)(de)(de)参(can)数(shu)(shu)。从coolmos的(de)(de)(de)(de)(de)开展(zhan)来(lai)看(kan)C3C6CPCFDCFD2都是(shi)(shi)在(zai)Trr上下(xia)(xia)功(gong)夫(C6在(zai)外，他(ta)是(shi)(shi)C3的(de)(de)(de)(de)(de)Costdown)。你是(shi)(shi)电(dian)(dian)源(yuan)规划者，Trr的(de)(de)(de)(de)(de)合(he)理运用，你比我清楚。Coolmos在(zai)实(shi)践使用中，MOS前(qian)段的(de)(de)(de)(de)(de)Rg驱(qu)(qu)(qu)动，一(yi)(yi)般对电(dian)(dian)阻要(yao)(yao)求会低(di)许(xu)多(duo)。这(zhei)也(ye)能(neng)下(xia)(xia)降损耗(hao)。举个(ge)比如，20N60C3MOS前(qian)段的(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动电(dian)(dian)阻一(yi)(yi)般可(ke)(ke)(ke)做到15mohm以(yi)下(xia)(xia)，可(ke)(ke)(ke)是(shi)(shi)也(ye)不(bu)是(shi)(shi)越低(di)越好，开关越高，EMI的(de)(de)(de)(de)(de)问题就(jiu)出来(lai)了(le)。所(suo)以(yi)驱(qu)(qu)(qu)动电(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)(de)(de)选择要(yao)(yao)综合(he)考虑，在(zai)EMI允许(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)况下(xia)(xia)，尽量下(xia)(xia)降驱(qu)(qu)(qu)动电(dian)(dian)阻。

2.Coolmos选用散热办法

只(zhi)能说要看功率，举个比如，150W的(de)(de)LED电源上(shang)，你觉得能够不加散(san)热嘛?15W的(de)(de)LED电源上(shang)，加散(san)热装置，那有当(dang)地么?Coolmos，在(zai)使用端，处理(li)了有的(de)(de)电源计划(hua)需求电子器(qi)材(cai)更小的(de)(de)体积，甚(shen)至是去掉(diao)散(san)热片(如Iphone的(de)(de)充(chong)电器(qi))，而(er)大功率上(shang)垂青(qing)Coolmos的(de)(de)仍是他能下降损耗(hao)，所以散(san)热片是一定要加的(de)(de)。

3.Coolmos使用

现(xian)在在国内(nei)(nei)使用(yong)仍(reng)是(shi)十(shi)分片面(mian)的(de)(de)，任(ren)重而道远。举个比如，在一个70W的(de)(de)笔(bi)记本适配器上，许(xu)多(duo)(duo)仍(reng)是(shi)用(yong)的(de)(de)20A的(de)(de)平面(mian)管(guan)(或者(zhe)是(shi)16A)，可是(shi)我们知道实(shi)践电路里的(de)(de)有用(yong)电流(liu)其实(shi)很(hen)小，用(yong)20A仅(jin)仅(jin)垂青他的(de)(de)低内(nei)(nei)阻(zu)，下(xia)降(jiang)损耗(hao)(hao)，下(xia)降(jiang)温(wen)升。如果运用(yong)Coolmos，以为还需求16A的(de)(de)，那平等电流(liu)，价格必(bi)定不(bu)(bu)可比的(de)(de)。其实(shi)呢，Coolmos10A满足去代(dai)替了。开(kai)关(guan)损耗(hao)(hao)，Coolmos要较平面(mian)管(guan)低许(xu)多(duo)(duo)，内(nei)(nei)阻(zu)的(de)(de)话Coolmos的(de)(de)10A较之16A的(de)(de)平面(mian)也不(bu)(bu)会高(gao)多(duo)(duo)少，在高(gao)温(wen)下(xia)，根本内(nei)(nei)阻(zu)是(shi)共(gong)同的(de)(de)。(有机(ji)会发个试验(yan)数据(ju)，16A的(de)(de)平面(mian)管(guan)和10A的(de)(de)Coolmos在100度下(xia)，内(nei)(nei)阻(zu)是(shi)相差不(bu)(bu)多(duo)(duo)的(de)(de)条件，带负载，表现(xian)开(kai)关(guan)损耗(hao)(hao)低的(de)(de)特色(se))。

4.总(zong)结

MOS在开展(zhan)，损耗会(hui)越来越低。电(dian)源计划只会(hui)像更高(gao)功率和(he)更小体积开展(zhan)。

Coolmos的(de)主旨是(shi)(shi)寻求：开关最低(di)损耗。在Coolmos上，是(shi)(shi)经过(guo)P柱，构成更(geng)大(da)的(de)PN结，然(ran)后下(xia)降Rds。可是(shi)(shi)就好像你讲的(de)，Coolmos，下(xia)降了Rds，所以他的(de)EAS才能较(jiao)之(zhi)平(ping)面管要低(di)，这(zhei)也对(dui)电源(yuan)规划者提出了更(geng)高(gao)的(de)要求。可是(shi)(shi)我们都知道，能用得(de)起(qi)Coolmos的(de)电源(yuan)，根本称之(zhi)为高(gao)级电源(yuan)，那计划的(de)规划必定是(shi)(shi)精雕细镂(lou)的(de)。

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