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在笔(bi)记本主板(ban)上(shang)用到(dao)的NMOS可简单分作两大(da)类：

信号切(qie)换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上(shang)只(zhi)要导(dao)通(tong)即可，不必须饱和导(dao)通(tong)。比如(ru)常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。

电压通断用(yong)MOS管(guan)： UG比US应大(da)于10V以上，而且(qie)开通时必须工(gong)作在饱和(he)导通状态。常见的有：1448，1428A，7406，7702，1660，6428L，6718L，4496，4712，6402A，3404，3456，1660，2662URH，R0392DPA，03B9DP。

PMOS管则和NMOS条件刚好相反。

示例1：

NMOS管：2N7002E

示例2：

NMOS管：7406

示例3：

PMOS管(guan)：425

隔离作用：

如果我(wo)们想实现线路上电流的单(dan)向流通，比(bi)如

方(fang)法1：加入一个二(er)级管

方法2：加入MOS管

此处MOS管实现的(de)功能(neng)就是(shi)：隔(ge)离作用。

所(suo)以，所(suo)谓的MOS管的隔离作(zuo)用，其(qi)实质也就是实现电路的单向导(dao)通(tong)，它就相(xiang)当于一个二级(ji)管。

但在电路中我们常用隔离MOS，是因为：

使用(yong)二(er)级管(guan)，导(dao)(dao)通时会有压(ya)(ya)降，会损失一些电(dian)(dian)压(ya)(ya)。而使用(yong)MOS管(guan)做(zuo)隔离，在(zai)正向导(dao)(dao)通时，在(zai)控制(zhi)极加合适的(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)，可以让MOS管(guan)饱(bao)和(he)导(dao)(dao)通，这样通过(guo)电(dian)(dian)流(liu)时几乎不产生(sheng)压(ya)(ya)降。

示例1：

PMOS管：1413 作用：隔离

笔记(ji)本主板上的隔离，其实(shi)(shi)质是将(jiang)适配(pei)器(qi)电(dian)压（+19V）和电(dian)池电(dian)压（+12V左(zuo)右）分隔开来。不让它们直接相通。但又能在拔除任意一种电(dian)源(yuan)(yuan)时，保(bao)证电(dian)脑(nao)都有持续的供电(dian)，实(shi)(shi)现(xian)电(dian)源(yuan)(yuan)无缝切换(huan)。 

笔记本(ben)电(dian)脑中用到的隔离MOS管只有两个。

下面(mian)我们来(lai)分步讨论一下它的原理，为了方便(bian)，隔离MOS管(guan)(guan)都用二(er)级(ji)管(guan)(guan)代替(ti)表示。

问题：为(wei)什么在(zai)不用(yong)适配(pei)器时，还要用(yong)Q1隔离12V呢？

一(yi)种解释是：

人们在使(shi)用笔记(ji)本电(dian)(dian)脑时(shi)，经常会同时(shi)插上适(shi)配(pei)器和电(dian)(dian)池。如(ru)(ru)果(guo)遇到电(dian)(dian)网(wang)停(ting)电(dian)(dian)，笔记(ji)本会自(zi)动(dong)切换(huan)到电(dian)(dian)池12V供电(dian)(dian)。这(zhei)个(ge)时(shi)候适(shi)配(pei)器虽(sui)然不再供电(dian)(dian)，但(dan)仍相连在笔记(ji)本上。如(ru)(ru)果(guo)没(mei)有(you)Q1隔(ge)离，12V电(dian)(dian)压(ya)会直(zhi)接进入适(shi)配(pei)器内部(bu)的输出电(dian)(dian)路(lu)，有(you)可能烧毁适(shi)配(pei)器。

问题：如(ru)果不用Q2隔离，同时插上适配(pei)器和(he)电池会怎样？

现(xian)象(xiang)是：   大电流。

当然(ran)这(zhei)只(zhi)有在维修(xiu)稳(wen)压电(dian)(dian)源上才可以(yi)看到(dao)：电(dian)(dian)流直(zhi)接达到(dao)稳(wen)压电(dian)(dian)源的最大值6A以(yi)上，短(duan)路灯狂闪。

不用Q2隔(ge)离，或者是Q2被击穿(chuan)短(duan)路时大电流的原因(yin)

电(dian)池(chi)(chi)电(dian)压一(yi)般是(shi)在12V以(yi)下，我们就将其看(kan)作12V。19V电(dian)源呢，我们也可以(yi)当作一(yi)个大电(dian)池(chi)(chi)，那么一(yi)个19V的(de)(de)电(dian)池(chi)(chi)和一(yi)个12V的(de)(de)电(dian)池(chi)(chi)如下相连，导线(xian)中电(dian)流会是(shi)多少呢？

经过两(liang)次等(deng)效，就(jiu)相当(dang)于将一(yi)根导线(xian)两(liang)端(duan)(duan)接到(dao)7V电池的两(liang)端(duan)(duan)。

导线的电阻极小(xiao)，如果(guo)我们认为它(ta)是(shi)0.1欧(ou)姆。那(nei)么在(zai)导线中流过的电流会是(shi)70A

稳(wen)压电源的最大电流一(yi)般是6A左右，所(suo)以会出现大电流报(bao)警。

而正常(chang)的电(dian)池(chi)(chi)充电(dian)电(dian)压是经过芯片精密控制的，一般只比电(dian)池(chi)(chi)实际电(dian)压高出一点(dian)点(dian)，以(yi)保证(zheng)电(dian)流不会过大(da)造(zao)成电(dian)池(chi)(chi)过分(fen)发热。

当Q2隔离管击穿短路后，长时间的超负荷工(gong)作，极有可能损坏(huai)适(shi)配器。

MOS管作用总结(jie)：

如(ru)果MOS管(guan)用作开关时，（不论(lun)N沟道还是(shi)P沟道），一定是(shi)寄生二极管(guan)的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则(ze)就(jiu)无法实现(xian)开关功能了。

所以，N沟道一定是D极(ji)接输入，S极(ji)接输出或地。

P沟道则相反，一定是S极(ji)接输入(ru)，D极(ji)接输出。

如果(guo)MOS管(guan)用作隔离时(shi)，（不论N沟道(dao)(dao)还(hai)是P沟道(dao)(dao)），寄生(sheng)二极管(guan)的方向(xiang)一定是和主板要实(shi)现的单向(xiang)导通方向(xiang)一致。

笔(bi)记本主(zhu)板上(shang)用PMOS做隔离(li)管的(de)最常见(jian)，但也有极少的(de)主(zhu)板用NMOS来实(shi)现。

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