N沟道耗尽型mos管

金(jin)属-氧化物-半导体(ti)(ti)结构的晶体(ti)(ti)管(guan)简称(cheng)MOS晶体(ti)(ti)管(guan)，有P型MOS管(guan)和N型MOS管(guan)之分(fen)。MOS管(guan)构成(cheng)的集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)(lu)称(cheng)为MOS集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)(lu)，而PMOS管(guan)和NMOS管(guan)共(gong)同(tong)构成(cheng)的互补型MOS集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)(lu)即(ji)为CMOS集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)(lu)。

由p型(xing)衬底和(he)两个高(gao)浓度n扩散区(qu)构成的MOS管叫作n沟(gou)(gou)道(dao)MOS管，该管导(dao)(dao)通时在两个高(gao)浓度n扩散区(qu)间构成n型(xing)导(dao)(dao)电(dian)沟(gou)(gou)道(dao)。n沟(gou)(gou)道(dao)加(jia)强型(xing)MOS管必需在栅(zha)极上施加(jia)正向偏压(ya)(ya)，且只要(yao)栅(zha)源电(dian)压(ya)(ya)大于阈(yu)值电(dian)压(ya)(ya)时才有(you)导(dao)(dao)电(dian)沟(gou)(gou)道(dao)产(chan)生(sheng)(sheng)的n沟(gou)(gou)道(dao)MOS管。n沟(gou)(gou)道(dao)耗尽型(xing)MOS管是指在不加(jia)栅(zha)压(ya)(ya)（栅(zha)源电(dian)压(ya)(ya)为零）时，就(jiu)有(you)导(dao)(dao)电(dian)沟(gou)(gou)道(dao)产(chan)生(sheng)(sheng)的n沟(gou)(gou)道(dao)MOS管。

从构造简单(dan)上看，N沟(gou)道耗(hao)尽型(xing)MOS管(guan)与N沟(gou)道加强型(xing)MOS管(guan)根本类似,其区别仅(jin)在(zai)于栅－源极间(jian)电(dian)压(ya)vGS=0时，耗(hao)尽型(xing)MOS管(guan)中的漏－源极间(jian)已有(you)导电(dian)沟(gou)道产生，而增强型(xing)MOS管(guan)要在(zai)vGS≥VT时才呈现(xian)导电(dian)沟(gou)道。

缘(yuan)由是制造(zao)(zao)N沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)耗尽型MOS管时(shi)，在SiO2绝缘(yuan)层中(zhong)掺入了大(da)(da)量的(de)碱金属正离(li)子Na+或K+(制造(zao)(zao)P沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)耗尽型MOS管时(shi)掺入负离(li)子)，因而(er)即(ji)便vGS=0时(shi)，在这(zhei)些正离(li)子产生的(de)电(dian)场作(zuo)用下，漏－源极间的(de)P型衬(chen)底外表也能(neng)感(gan)应生成N沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(称为初始沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao))，只需加(jia)上正向电(dian)压vDS，就有电(dian)流iD。假如加(jia)上正的(de)vGS，栅极与N沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)间的(de)电(dian)场将在沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)中(zhong)吸收来更多(duo)的(de)电(dian)子，沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)加(jia)宽，沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)电(dian)阻变小(xiao)(xiao)，iD增(zeng)大(da)(da)。反(fan)之vGS为负时(shi)，沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)中(zhong)感(gan)应的(de)电(dian)子减(jian)少(shao)，沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)变窄，沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)电(dian)阻变大(da)(da)，iD减(jian)小(xiao)(xiao)。

当vGS负向增加到某一数值时(shi)，导电(dian)沟道消逝，iD趋(qu)于零，管子(zi)截止，故称(cheng)为(wei)耗尽(jin)型。沟道消逝时(shi)的栅-源电(dian)压称(cheng)为(wei)夹断电(dian)压，仍(reng)用VP表(biao)示。与(yu)N沟道结(jie)型场效(xiao)应管相同，N沟道耗尽(jin)型MOS管的夹断电(dian)压VP也为(wei)负值，但是，前(qian)者只(zhi)能在vGS<0的状况下工作。

后者在vGS=0，vGS>0，VP

相关搜索：

耗尽型场效应管 增强型nmos管工作原理 n沟道增强型mos管

联系方式(shi)：邹先生(sheng)