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解析场效应管实用电(dian)路图(tu)-电(dian)路分析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期(qi):2018-02-27 

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场效应管实用电(dian)路图

场(chang)效应管(guan)的(de)应用(yong)很广,能够用(yong)于调制(zhi)、放(fang)大、阻抗变换、稳流(liu)、限流(liu)和自动维护等电(dian)路(lu)中,下面(mian)以结(jie)场(chang)型场(chang)效应管(guan)为例,扼(e)要引见几种常用(yong)的(de)应用(yong)电(dian)路(lu)。


一、直流小(xiao)信号(hao)

调制电路在仪表中经常遇(yu)到(dao)直流信(xin)号(hao)放大的(de)问题,普通(tong)采用大闭环(huan)负反应和将直流信(xin)号(hao)调制成(cheng)交(jiao)流信(xin)号(hao)再停(ting)止交(jiao)放逐大的(de)办法,如图一所(suo)示,这种(zhong)办法能够克制温度(du)漂移和进步(bu)线性精度(du),并(bing)能取(qu)得高放大倍(bei)数。图二是详(xiang)细(xi)电路

场效应管实用电路图场效应管实用电路图

图二中,VT1、VT2工作在(zai)可变电阻区(qu),D1、D2是避免(mian)栅压为(wei)正,这样能够消(xiao)弭调制噪音。3kΩ电阻和(he)50μF电容为(wei)输(shu)入滤波用。


用(yong)频(pin)率(lv)为(wei)(wei)1000HZ、幅值为(wei)(wei)7V的(de)方(fang)波电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)U1、U2作为(wei)(wei)驱动电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya),此两电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)外形相(xiang)同(tong),相(xiang)位相(xiang)反(fan)(fan),经(jing)(jing)VD1、VD2削去正半波后分(fen)别加在VT1、VT2的(de)删极,使VT1、VT2轮(lun)番导通、夹(jia)断(duan),就仿佛并串联的(de)单刀双掷(zhi)开关(guan)一样,VT1导通时(shi)VT2夹(jia)断(duan),输入(ru)(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)U入(ru)(ru)向(xiang)(xiang)0.1μF电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充电(dian)(dian)(dian)(dian);VT2导通时(shi)VT1夹(jia)断(duan),0.1μF电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)经(jing)(jing)过VT2向(xiang)(xiang)R放电(dian)(dian)(dian)(dian),而(er)R上有反(fan)(fan)应电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)U反(fan)(fan),正好与(yu)放电(dian)(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)(dian)流方(fang)向(xiang)(xiang)相(xiang)反(fan)(fan),故(gu)到达U入(ru)(ru)与(yu)U反(fan)(fan)相(xiang)减的(de)目的(de)。能够看(kan)出(chu),经(jing)(jing)0.1μF电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)输出(chu)的(de)调制电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)U调为(wei)(wei)频(pin)率(lv)与(yu)U1、U2频(pin)率(lv)相(xiang)同(tong)的(de)交变电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)。


这种调(diao)制(zhi)电路比(bi)绝缘栅场效应管调(diao)制(zhi)电路焊(han)接调(diao)整便(bian)当,工作牢靠,比(bi)晶体管调(diao)制(zhi)电路噪(zao)音(yin)小(xiao)、漂移小(xiao)、调(diao)整简(jian)单。留意R值(zhi)不可太大,普通应在100kΩ以内。


二(er)、 替代(dai)限流电(dian)阻(zu)

普通用稳(wen)压(ya)管(guan)稳(wen)压(ya)的电(dian)(dian)(dian)路如(ru)图a所示,R为限流电(dian)(dian)(dian)阻,现用一(yi)只结场(chang)型场(chang)效(xiao)应管(guan)替代,如(ru)图b所示。它是零栅压(ya)工作(zuo),由(you)场(chang)效(xiao)应管(guan)的输出特性曲线可知,当UDS降(jiang)落时IDS变化并(bing)不多(duo)(duo),因而,仍能保(bao)证稳(wen)压(ya)管(guan)的工作(zuo)电(dian)(dian)(dian)流不变,所以稳(wen)压(ya)精度进步,另外(wai),采用场(chang)效(xiao)应管(guan)后,它允许电(dian)(dian)(dian)源(yuan)变动范围(wei)也(ye)比(bi)采用限流电(dian)(dian)(dian)阻的稳(wen)压(ya)电(dian)(dian)(dian)路大得多(duo)(duo)。

场效应管实用电路图

三、 限流器

在(zai)上图所示的稳压电(dian)路中,结(jie)场(chang)(chang)型场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)工(gong)(gong)作(zuo)在(zai)饱和区(qu),而(er)用于限流器时则有所不同,详细电(dian)路如下图所示。结(jie)场(chang)(chang)型场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)是工(gong)(gong)作(zuo)在(zai)负栅(zha)压状况下,栅(zha)源电(dian)压值(zhi)为-I入R。当(dang)I入小(xiao)(xiao)时它(ta)工(gong)(gong)作(zuo)在(zai)可(ke)变电(dian)阻(zu)区(qu),漏源电(dian)阻(zu)RDS较小(xiao)(xiao),不影(ying)响电(dian)流输出;当(dang)I入增大(da)到一(yi)定的数值(zhi)时,它(ta)工(gong)(gong)作(zuo)在(zai)饱和区(qu),这时I入增加很(hen)少(shao),UDS就要(yao)增大(da)很(hen)多,RDS就仿佛一(yi)个阻(zu)值(zhi)很(hen)大(da)的可(ke)调电(dian)阻(zu),对I入起了限流的作(zuo)用。


管型及参数选(xuan)择(ze)应分(fen)离详细(xi)状况而定,如I入为0mA~15mA(直流),RL为0kΩ~3kΩ,请求限流在12mA左右,则(ze)可选(xuan)用(yong)3DJ7J(加散热片),R在240Ω左右。调整R值可改(gai)动(dong)限流数值。

场效应管实用电路图

下面说(shuo)说(shuo)几个经常用(yong)到电路:

1:pmos应用

普(pu)通用(yong)于(yu)管理(li)(li)电(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)通断,属于(yu)无(wu)触点开(kai)关,栅(zha)极低电(dian)(dian)平(ping)(ping)就完整(zheng)导通,高电(dian)(dian)平(ping)(ping)就完整(zheng)截止(zhi)。而(er)且,栅(zha)极能(neng)(neng)够(gou)加(jia)高过电(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)电(dian)(dian)压,意(yi)味着能(neng)(neng)够(gou)用(yong)5v信号管理(li)(li)3v电(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)开(kai)关,这个原(yuan)理(li)(li)也用(yong)于(yu)电(dian)(dian)平(ping)(ping)转换。


2:nmos管应用

普(pu)通(tong)用(yong)于管理(li)某(mou)电(dian)路能(neng)否(fou)接地,属(shu)于无触(chu)点开关,栅(zha)(zha)极(ji)(ji)高(gao)电(dian)平(ping)(ping)就导通(tong)招致接地,低电(dian)平(ping)(ping)截止。当然栅(zha)(zha)极(ji)(ji)也能(neng)够用(yong)负(fu)电(dian)压截止,但这个益处没什么(me)意义。其高(gao)电(dian)平(ping)(ping)能(neng)够高(gao)过被控制(zhi)(zhi)局部(bu)的(de)(de)电(dian)源,由于栅(zha)(zha)极(ji)(ji)是隔离的(de)(de)。因(yin)而能(neng)够用(yong)5v信号控制(zhi)(zhi)3v系统(tong)的(de)(de)某(mou)处能(neng)否(fou)接地,这个原理(li)也用(yong)于电(dian)平(ping)(ping)转换(huan)。


3:放大区(qu)应(ying)用

工作于放(fang)大区,普通(tong)用(yong)来(lai)设计反应电路(lu),需求的专业学问比拟多,相(xiang)似运(yun)(yun)放(fang),这里无法细说。常用(yong)做镜(jing)像(xiang)电流(liu)源、电流(liu)反应、电压(ya)反应等。至于运(yun)(yun)放(fang)的集(ji)成应用(yong),我们(men)其实不用(yong)关注。人家都做好了,看(kan)好datasheet就能够了,不用(yong)按mos管方式去(qu)思索导(dao)通(tong)电阻和寄(ji)生电容。


结论:

如今(jin)的(de)高清、液(ye)晶(jing)、等(deng)离子电(dian)视机(ji)中开关电(dian)源局部除了采用了PFC技术外,在元器件上(shang)的(de)开关管(guan)(guan)(guan)均(jun)采用性能优良的(de)MOS管(guan)(guan)(guan)取代过去的(de)大(da)功率晶(jing)体三极管(guan)(guan)(guan),使(shi)整机(ji)的(de)效率、牢靠性、毛(mao)病率均(jun)大(da)幅的(de)降落。由(you)于MOS管(guan)(guan)(guan)和(he)大(da)功率晶(jing)体三极管(guan)(guan)(guan)在构造(zao)、特性有着实(shi)质上(shang)的(de)区别,在应用上(shang);驱动(dong)电(dian)路也比晶(jing)体三极管(guan)(guan)(guan)复杂,致使(shi)维修(xiu)人员对电(dian)路、毛(mao)病的(de)剖析倍感艰难,此(ci)文即针对这一(yi)问题,把MOS管(guan)(guan)(guan)及其应用电(dian)路作简(jian)单引见,以满(man)足(zu)维修(xiu)人员需求。


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