MOS管参数解读

1、电压规格(VDSS)

俗称耐压，至少应(ying)该为(wei)主(zhu)绕组的(de)3倍，需求留意的(de)是，主(zhu)绕组的(de)电(dian)压指的(de)是图2.6中(zhong)(zhong)的(de)N2或(huo)者N3，而(er)不是二者相加。详(xiang)细而(er)言(yan)，图中(zhong)(zhong)为(wei)10.5V，因(yin)而(er)Q1、Q2的(de)电(dian)压规(gui)格至少为(wei)31.5V，思索(suo)到10%的(de)动(dong)摇和1.5倍的(de)保险系(xi)数，则电(dian)压规(gui)格不应(ying)该低(di)于(yu)31.5 X 1.1X 1.5＝52V。图中(zhong)(zhong)的(de)2SK2313的(de)电(dian)压规(gui)格为(wei)60v，契合(he)请求。

其次，依据普通经历，电压规格超越200V的(de)(de)(de)VMOS，饱和导通电阻的(de)(de)(de)优势(shi)就不明显(xian)了，而(er)本钱却比二(er)极(ji)管高得多，电路也复杂。因(yin)而(er)，用作同步(bu)整流时，主绕组的(de)(de)(de)最高电压不应该高于40V。

2、电流规格(In)

这(zhei)个问题主要与最(zui)大(da)耗(hao)散功率有关，由于计算办法复(fu)杂并且需(xu)求实验停止验证，因(yin)而也能够直接用(yong)理(li)论办法进行肯定，即在实践(jian)的(de)工作(zuo)环(huan)境中，依照最(zui)极端(duan)的(de)最(zui)高(gao)环(huan)境温度(du)，比方夏天比拟热的(de)温度(du)，如35℃，依据实践(jian)所需(xu)求的(de)工作(zuo)电流，接上适(shi)宜(yi)的(de)假负载，连续(xu)工作(zuo)2小(xiao)时(shi)左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用(yong)。这(zhei)个办法固然粗略，但是很简单适(shi)用(yong)。

3、mos饱和导通电阻(RDS（ON）)

越小越好(hao)，典型值(zhi)最好(hao)小于(yu)10mQ，这个数值(zhi)以从技术手册上查(cha)到。

4、极限参数

ID :最大漏(lou)源电流.是指场效应管(guan)(guan)正常工作时，漏(lou)源间所(suo)允许通(tong)过的最大电流.场效应管(guan)(guan)的工作电流不应超过 ID .此(ci)参数会随结(jie)温度的上升而(er)有(you)所(suo)减额(e).

IDM :最大脉冲(chong)(chong)漏(lou)源电流.体现一个(ge)抗冲(chong)(chong)击(ji)能(neng)力，跟脉冲(chong)(chong)时间也有关系，此参数会随结温度的(de)上升(sheng)而有所减额.

PD :最(zui)大耗散功率.是(shi)指场效应管(guan)(guan)性能不变坏时所允(yun)许的(de)最(zui)大漏源耗散功率.使用时，场效应管(guan)(guan)实际功耗应小(xiao)于(yu) PDSM 并(bing)留有一(yi)定余量.此(ci)(ci)参(can)数(shu)(shu)一(yi)般会随结温度的(de)上升而有所减(jian)额.（此(ci)(ci)参(can)数(shu)(shu)靠不住）

VGS :最大栅源(yuan)电压(ya).，一般为：-20V~+20V

Tj :最(zui)大工作(zuo)结(jie)温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ，器件设(she)计的工作(zuo)条件下须确应(ying)避免超过这个(ge)温度，并留有一(yi)定裕(yu)量. （此参数靠不住(zhu)）

TSTG :存(cun)储温度范围.

5、静态参数

V(BR)DSS :漏(lou)源(yuan)击穿电压.是指栅源(yuan)电压 VGS 为 0 时，场(chang)效(xiao)应管(guan)正(zheng)常(chang)工(gong)(gong)作所能(neng)承受的最大(da)漏(lou)源(yuan)电压.这是一(yi)项(xiang)极(ji)限参数，加在场(chang)效(xiao)应管(guan)上的工(gong)(gong)作电压必须(xu)小于 V(BR)DSS . 它具有正(zheng)温(wen)度特性.故应以此参数在低温(wen)条件(jian)下(xia)的值(zhi)作为安全考(kao)虑. 加负压更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压(ya)的温度系(xi)数，一般为(wei) 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的(de) VGS (一(yi)(yi)般(ban)为(wei) 10V )、结温(wen)(wen)及漏(lou)极(ji)电流的(de)条(tiao)件下， MOSFET 导(dao)通时(shi)漏(lou)源间的(de)最大(da)阻抗.它是一(yi)(yi)个非常重要的(de)参(can)(can)数，决定了 MOSFET 导(dao)通时(shi)的(de)消(xiao)耗功率.此参(can)(can)数一(yi)(yi)般(ban)会随(sui)结温(wen)(wen)度(du)的(de)上升而有所增大(da)（正(zheng)温(wen)(wen)度(du)特性(xing)）. 故应以此参(can)(can)数在最高(gao)工作(zuo)结温(wen)(wen)条(tiao)件下的(de)值作(zuo)为(wei)损耗及压降计算(suan).

VGS(th) :开启电压(ya)(阀值(zhi)电压(ya)).当(dang)外加栅(zha)极(ji)控制电压(ya) VGS超过 VGS(th) 时，漏区(qu)和源区(qu)的(de)表(biao)面反型层形成(cheng)了连接的(de)沟道.应用中，常将漏极(ji)短接条件下 ID 等于 1 毫(hao)安时的(de)栅(zha)极(ji)电压(ya)称为开启电压(ya).此参数一(yi)般(ban)会(hui)随结温(wen)度的(de)上升而有所降低.

IDSS :饱和漏源电流，栅极电压(ya) VGS=0 、 VDS 为一定值时的(de)漏源电流.一般在(zai)微安级(ji).

IGSS :栅源驱动电(dian)流或反向电(dian)流.由于(yu) MOSFET 输入阻抗(kang)很大，IGSS 一般(ban)在纳安(an)级(ji).

6、动态参数

gfs :跨导.是(shi)指漏极输(shu)出电流的(de)变化量与(yu)栅(zha)源电压(ya)(ya)变化量之比，是(shi)栅(zha)源电压(ya)(ya)对漏极电流控制能(neng)力大小的(de)量度. gfs 与(yu) VGS 的(de)转移关系图如下图所示.

Qg :栅(zha)极(ji)总充电(dian)电(dian)量.MOSFET 是电(dian)压型驱动(dong)器件(jian)，驱动(dong)的(de)(de)(de)过(guo)程(cheng)就是栅(zha)极(ji)电(dian)压的(de)(de)(de)建立过(guo)程(cheng)，这是通过(guo)对(dui)栅(zha)源及栅(zha)漏之间的(de)(de)(de)电(dian)容充电(dian)来实现的(de)(de)(de)，下面(mian)将有此方(fang)面(mian)的(de)(de)(de)详(xiang)细论(lun)述.

Qgs:栅源充电(dian)电(dian)量.

Qgd :栅漏充(chong)电(考虑到(dao) Miller 效应)电量(liang).

Td(on) :导通延迟时间.从有输入(ru)电压上升(sheng)到 10％ 开(kai)始到 VDS 下(xia)降(jiang)到其幅值90％ 的时间 ( 参(can)考下(xia)图 ) .

Tr :上升时(shi)间.输出电(dian)压 VDS 从 90％ 下降到其幅值 10％ 的时(shi)间.

Td(off) :关断延迟时间.输(shu)入电压下(xia)降到(dao) 90％ 开始(shi)到(dao) VDS 上(shang)升到(dao)其关断电压时 10％ 的时间.

Tf :下降时(shi)间.输出电(dian)压 VDS 从 10％ 上(shang)升到其幅值 90％ 的(de)时(shi)间( 参(can)考(kao)下图 ) .

Ciss:输入电(dian)容，Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

Coss :输出电容. Coss = CDS +CGD .

Crss :反向传(chuan)输电(dian)容. Crss = CGD .

最后三个公式非常重要

7、雪崩击穿特性参数

这(zhei)些参数是 MOSFET 在关(guan)断状(zhuang)态(tai)能(neng)承受过压(ya)(ya)能(neng)力的指标.如果电压(ya)(ya)超过漏(lou)源极限电压(ya)(ya)将导致器(qi)件处在雪崩状(zhuang)态(tai).

EAS :单次脉(mai)冲雪崩击(ji)(ji)穿(chuan)能量(liang).这是个极限参数(shu)，说明 MOSFET 所能承受的最大(da)雪崩击(ji)(ji)穿(chuan)能量(liang).

IAR :雪(xue)崩电流.

EAR :重复(fu)雪崩击穿能(neng)量.

8、热阻

:结点到(dao)外壳的(de)热阻.它表明当耗(hao)散(san)一个给定的(de)功率时，结温(wen)与外壳温(wen)度之间的(de)差(cha)值大小.公式(shi)表达⊿ t = PD* 　.

:外壳到散热(re)器的热(re)阻，意(yi)义同上.

:结点到(dao)周(zhou)围环(huan)境的(de)热(re)阻，意(yi)义同上.

9、体内二极管参数

IS :连(lian)续最大(da)续流电(dian)流(从源极).

ISM :脉冲最大续(xu)流电流(从源(yuan)极).

VSD :正向(xiang)导通压(ya)降(jiang).

Trr :反向恢复时间.

Qrr :反向恢(hui)复充(chong)电(dian)电(dian)量.

Ton :正向导通(tong)时间(jian).(基本可以忽略不计).

10、一些其他的参数

Iar:雪(xue)崩电流

Ear:重复雪崩击穿能(neng)量

Eas: 单次(ci)脉冲雪崩击穿能量(liang)

di/dt---电(dian)流上(shang)升率（外电(dian)路参数）

dv/dt---电压上升(sheng)率（外电路(lu)参数）

ID(on)---通(tong)态漏(lou)极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流(liu)

IDSM---最大漏(lou)源电流(liu)

IDSS---栅-源短路时，漏(lou)极电流

IDS(sat)---沟道饱和(he)电流（漏源饱和(he)电流）

IG---栅极电流（直流）

IGF---正向(xiang)栅电流

IGR---反向栅电(dian)流

IGDO---源(yuan)极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时(shi)，截止栅电流

IGM---栅极脉(mai)冲电流(liu)

IGP---栅极峰值电流

IF---二极(ji)管正向(xiang)电(dian)流(liu)

IGSS---漏极短(duan)路时截(jie)止栅电流

IDSS1---对管(guan)第一管(guan)漏源(yuan)饱和电流

IDSS2---对(dui)管(guan)第二管(guan)漏源饱和(he)电流

Iu---衬底(di)电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs---正(zheng)向跨导

Gp---功率增益

Gps---共(gong)源极中和高频(pin)功率(lv)增益

GpG---共(gong)栅极中和(he)高频功率增(zeng)益

GPD---共漏极中(zhong)和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏(lou)源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外(wai)电路参数）

LD---漏极电感(gan)

Ls---源极(ji)电(dian)感(gan)

rDS---漏源(yuan)电阻

rDS(on)---漏(lou)源通态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rGD---栅漏(lou)电阻

rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参(can)数）

RL---负载电阻(zu)（外电路(lu)参数）

R(th)jc---结壳(qiao)热(re)阻

R(th)ja---结环热阻

PD---漏极耗散(san)功率

PDM---漏极最大允(yun)许(xu)耗散功率

PIN--输(shu)入功(gong)率

POUT---输(shu)出(chu)功率

PPK---脉(mai)冲功率峰值（外(wai)电(dian)路参数）

Tj---结温(wen)

Tjm---最(zui)大允许(xu)结温

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tstg---贮成温度

VGSF--正向(xiang)栅源电压（直(zhi)流）

VGSR---反向栅(zha)源(yuan)电压（直流）

VDD---漏极（直流）电(dian)源电(dian)压（外电(dian)路参数）

VGG---栅极（直流）电(dian)源电(dian)压(ya)（外(wai)电(dian)路参(can)数）

Vss---源极（直流）电源电压（外电路(lu)参(can)数）

V（BR）GSS---漏(lou)源短路时(shi)栅源击穿电压

VDS(on)---漏(lou)源通态电压

VDS(sat)---漏源(yuan)饱和(he)电压

VGD---栅漏电压（直流）

Vsu---源(yuan)衬底电压(ya)（直流）

VDu---漏衬(chen)底电压（直流）

VGu---栅衬(chen)底电压(ya)（直流）

Zo---驱动(dong)源内(nei)阻(zu)

η---漏(lou)极效率（射频(pin)功率管）

Vn---噪声电(dian)压(ya)

aID---漏(lou)极电流(liu)温(wen)度(du)系数

ards---漏(lou)源(yuan)电阻(zu)温度系数

二、重要性参数

1、 V ( BR ) DSS 的(de)(de)(de)正温度系数特性.这一有异(yi)于(yu)双(shuang)极型(xing)器件的(de)(de)(de)特性使得其在正常(chang)工作(zuo)温度升(sheng)高后变得更可(ke)靠.但也需(xu)要留(liu)意其在低温冷启机时的(de)(de)(de)可(ke)靠性.

2、 V ( GS) th 的负(fu)温度(du)系(xi)(xi)数特性(xing).栅(zha)极门(men)(men)槛电(dian)位(wei)(wei)随着结温的升(sheng)高会有(you)一(yi)定的减小.一(yi)些(xie)辐(fu)射(she)也(ye)会使(shi)得此(ci)门(men)(men)槛电(dian)位(wei)(wei)减小，甚(shen)至可能低于 0 电(dian)位(wei)(wei).这一(yi)特性(xing)需要工程(cheng)师注意MOSFET 在此(ci)些(xie)情(qing)况下的干扰误(wu)触(chu)发，尤其是低门(men)(men)槛电(dian)位(wei)(wei)的MOSFET 应(ying)用(yong).因这一(yi)特性(xing)，有(you)时需要将(jiang)栅(zha)极驱动(dong)的关闭电(dian)位(wei)(wei)设计成负(fu)值(zhi)(指 N 型， P 型类推)以避免干扰误(wu)触(chu)发.阈(yu)值(zhi)电(dian)压是负(fu)温度(du)系(xi)(xi)数。 辐(fu)射(she)环境(jing)下，阈(yu)值(zhi)电(dian)压会迅速降为0，为了(le)在辐(fu)射(she)环境(jing)下关断(duan)MOS，需在GS加(jia)反压。

MOS的开关(guan)(guan)速度（即(ji)斜(xie)率）和温度毫无关(guan)(guan)系，但导通（0V到Vgsth的时(shi)间叫导通延(yan)时(shi)）和关(guan)(guan)断延(yan)时(shi)与(yu)温度有(you)关(guan)(guan)，温度越(yue)高，时(shi)间越(yue)短。

3、VDSon/RDSon 的(de)(de)(de)正(zheng)温(wen)度系数特(te)(te)性(xing). VDSon/RDSon 随(sui)着结温(wen)的(de)(de)(de)升高而略(lve)有(you)(you)增大的(de)(de)(de)特(te)(te)性(xing)使得(de)(de) MOSFET 的(de)(de)(de)直(zhi)接(jie)并(bing)(bing)联使用变得(de)(de)可能.双极(ji)型器件在此(ci)方面恰好相反(fan)，故其并(bing)(bing)联使用变得(de)(de)相当(dang)复杂化. RDSon 也会(hui)随(sui)着 ID 的(de)(de)(de)增大而略(lve)有(you)(you)增大，这一特(te)(te)性(xing)以及(ji)结和面 RDSon 正(zheng)温(wen)度特(te)(te)性(xing)使得(de)(de) MOSFET 避免了象双极(ji)型器件那样(yang)的(de)(de)(de)二次击穿(chuan). 额定电压高的(de)(de)(de)MOS有(you)(you)更高的(de)(de)(de)RDS正(zheng)温(wen)度特(te)(te)性(xing)。

但(dan)要(yao)注意此(ci)特性效果相当有限，在并联(lian)使用(yong)、推(tui)挽使用(yong)或(huo)其它应用(yong)时不可(ke)完全依赖(lai)此(ci)特性的自(zi)我调节，仍(reng)需要(yao)一(yi)些(xie)根本(ben)措施.

这一特性也说明了(le)导(dao)通(tong)损(sun)耗会在(zai)高温时变得(de)更大.故在(zai)损(sun)耗计算时应特别留(liu)意参(can)数的选(xuan)择.

4、 ID 的(de)负温度系数(shu)特性

ID 会随着结温度升高而有相(xiang)当大的减(jian)额(e).这一特(te)性使(shi)得在设计时往往需要考虑的是其在高温时的 ID 参(can)数.

5、雪(xue)(xue)崩能力 IER/EAS 的(de)(de)负(fu)温(wen)度系数特性(xing).结温(wen)度升高后，虽然会(hui)使得(de) MOSFET 具有(you)更(geng)大的(de)(de)V ( BR ) DSS ，但是(shi)要(yao)注(zhu)意 EAS 会(hui)有(you)相当大的(de)(de)减额.也就是(shi)说(shuo)高温(wen)条件下其承受雪(xue)(xue)崩的(de)(de)能力相对于常温(wen)而言要(yao)弱很多.

6、 MOSFET的(de)(de)体内寄生二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)导通(tong)能力及反向恢复表(biao)现并不(bu)比(bi)普通(tong)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)好.在(zai)设计中并不(bu)期(qi)望利用其(qi)作为(wei)回路主要(yao)的(de)(de)电流载(zai)(zai)体.往往会串接阻拦二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)使(shi)体内寄生二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)无效(xiao)，并通(tong)过额外并联(lian)二(er)(er)极(ji)管(guan)(guan)构成(cheng)回路电流载(zai)(zai)体.但在(zai)同步整流等短时间(jian)导通(tong)或一些(xie)小电流要(yao)求的(de)(de)情况下是可以考虑将其(qi)作为(wei)载(zai)(zai)体的(de)(de).

7、 漏极电位的快(kuai)速(su)上升有可能(neng)(neng)会发(fa)(fa)生栅极驱动的假触发(fa)(fa)现象 (spurious-trigger) .故(gu)在很大的 dVDS/dt 应用场合(高(gao)频(pin)快(kuai)速(su)开关电路(lu))需要考虑这(zhei)方面的可能(neng)(neng)性.

Rth(j-c)与(yu)PD的关系(xi)，Tc(环境温(wen)度)=Tj-Rth(j-c)*PD

反过来可以推出(chu)，环(huan)境(jing)每上(shang)升一度(du)，PD下降数(shu)(shu)值.(此(ci)参数(shu)(shu)靠(kao)不(bu)住）

主要参数

1.开启电压VT

?开启电压(ya)（又称阈值(zhi)电压(ya)）：使得(de)源极(ji)(ji)S和漏极(ji)(ji)D之间开始形成导(dao)电沟(gou)道所需的栅(zha)极(ji)(ji)电压(ya)；

?标准的N沟(gou)道MOS管，VT约为3～6V；

?通(tong)过工艺上的改进，可以(yi)使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

?即在栅源极(ji)之间加的电(dian)压(ya)与栅极(ji)电(dian)流之比

?这一(yi)特性有时以流(liu)过栅(zha)极的(de)栅(zha)流(liu)表示(shi)

?MOS管的(de)RGS可以很容(rong)易(yi)地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

?在VGS=0（增(zeng)强(qiang)型）的条件下，在增(zeng)加漏源电(dian)压(ya)过程中使ID开始剧增(zeng)时(shi)的VDS称为漏源击穿电(dian)压(ya)BVDS

?ID剧增的原(yuan)因有下(xia)列两个方面(mian)：

（1）漏极附近耗尽层的(de)雪崩击穿

（2）漏源(yuan)极间的(de)穿(chuan)通(tong)击穿(chuan)

?有些MOS管中，其(qi)沟(gou)道(dao)长(zhang)度较短，不断(duan)增加VDS会(hui)使漏区(qu)(qu)的(de)(de)(de)耗尽(jin)层一直扩展(zhan)到源区(qu)(qu)，使沟(gou)道(dao)长(zhang)度为零，即产(chan)生(sheng)(sheng)漏源间(jian)的(de)(de)(de)穿通(tong)，穿通(tong)后，源区(qu)(qu)中的(de)(de)(de)多数载流子，将直接受耗尽(jin)层电场的(de)(de)(de)吸引，到达漏区(qu)(qu)，产(chan)生(sheng)(sheng)大(da)的(de)(de)(de)ID

4. 栅源击穿电压BVGS

?在(zai)增(zeng)加栅(zha)源(yuan)电(dian)压过程(cheng)中，使栅(zha)极电(dian)流IG由零开始(shi)剧(ju)增(zeng)时的VGS，称为栅(zha)源(yuan)击(ji)穿电(dian)压BVGS。

5. 低频跨导gm

?在VDS为某一固定(ding)数值的条件下，漏极电流的微(wei)变(bian)量和(he)引起这个变(bian)化的栅源(yuan)电压微(wei)变(bian)量之比称为跨导

?gm反映了(le)栅源(yuan)电压对漏极电流的控制能(neng)力

?是表(biao)征MOS管放大能力的一个(ge)重要参数(shu)

?一(yi)般在(zai)十分(fen)之几(ji)至(zhi)几(ji)mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

?导通电阻RON说明(ming)了(le)VDS对ID的(de)(de)影响，是漏极特性某一点(dian)切线的(de)(de)斜率的(de)(de)倒数(shu)

?在(zai)饱和区，ID几(ji)乎不(bu)随(sui)VDS改变，RON的数值很大，一般在(zai)几(ji)十千欧(ou)(ou)到几(ji)百(bai)千欧(ou)(ou)之间

?由(you)于(yu)在(zai)数(shu)字(zi)电路中，MOS管导(dao)(dao)通时经常工作在(zai)VDS=0的(de)状态下，所以这(zhei)时的(de)导(dao)(dao)通电阻RON可(ke)用原点的(de)RON来近(jin)似(si)

?对一般的(de)MOS管而言，RON的(de)数值(zhi)在几(ji)百(bai)欧以内

7. 极间电容

?三(san)个电(dian)极之间(jian)都存在着极间(jian)电(dian)容(rong)(rong)：栅源(yuan)电(dian)容(rong)(rong)CGS 、栅漏(lou)电(dian)容(rong)(rong)CGD和漏(lou)源(yuan)电(dian)容(rong)(rong)CDS

?CGS和CGD约为1～3pF

?CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

?噪(zao)声是由管子(zi)内部载流子(zi)运动的不规则性(xing)所引起(qi)的

?由于它的存在(zai)，就使一(yi)个放大器(qi)即便在(zai)没有(you)信号(hao)输人时，在(zai)输出端也出现不规(gui)则的电压或(huo)电流变化

?噪声性能的大小通常(chang)用(yong)噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

?这个数值(zhi)越小，代(dai)表管子所产生的噪声越小

?低频(pin)噪(zao)声(sheng)系(xi)数(shu)(shu)是在低频(pin)范(fan)围(wei)内(nei)测出的噪(zao)声(sheng)系(xi)数(shu)(shu)

?场(chang)效应管(guan)的噪声(sheng)系(xi)数(shu)约(yue)为几个分贝(bei)，它比双极性三极管(guan)的要小

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