解析CMOS器件特性与(yu)电源电压、温度(du)和特征(zheng)等 KIA MOS管
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期(qi)：2017-08-14
CMOS器件的电学(xue)特性
MOS器件的特性受电源电压和环境温度的影响，不过由于构成CMOS的p沟、n沟晶体管受影响发作变化的状况相同，其结果在特性方面有时简直没有变化。例如，输入输出电压特性受温度的影响很小，而且即便电源电压变化，低电平／高电平输入电压与电源电压之比（例如，VIH＝0.7XVDD，VIL＝0.3VDD）不怎样变化。这是它的特性。动态工作时耗费电流（FIN-IDD)的特性主要受等效内部电容(CPD)支配，也不怎样受电源电压和温度的影响。
关于CMOS器件特性与电源电压、温度的依赖关系，表13.1和表13.2分别列出DC特性和AC特性。思索到器件的电学特性随环境温度的变化，在电子设备的电路设计中，必需留有足够的设计余量。
以CMOS规范逻辑中的(de)门(men)IC(2输(shu)入ANAND门(men)(TC74VHCOOF））例(li)，图(tu)13.1、图(tu)13.2分别示出它们典型的(de)DC特(te)性(xing)(xing)和AC特(te)性(xing)(xing)。在与电源电压(ya)关系(xi)亲密的(de)耐压(ya)、漏电流有关特(te)性(xing)(xing)、传输(shu)延迟时间(jian)特(te)性(xing)(xing)等方面(mian)，用Log标度表示。
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