场效应管用(yong)途 场效应管用(yong)途有(you)哪些原理,详解秒懂
信息来源:本(ben)站 日期:2017-10-16
场效(xiao)应管由于具有(you)输入(ru)阻抗非常高(可达l09~lO15Ω)、噪声低、动态变(bian)化范围(wei)大(da)和温度系数小,且为电压控制元件等优点,因
此应用也较为(wei)广泛。
场(chang)效应管分结(jie)型和绝缘(yuan)栅(zha)(即MOS)型两大类。
常用场(chang)效(xiao)应(ying)管的特(te)点及主要用途见(jian)表3-8。
(1)场效应管的基本参数
①夹断(duan)电压(ya)UP 也称截止栅压(ya)UGS(OFF),是在耗(hao)(hao)尽型结型场效应管(guan)或耗(hao)(hao)尽型绝缘栅型场效应管(guan)源极接(jie)地的情(qing)况下,能使其漏源
输出电流减小到零时所需(xu)的栅源电压UGS。
②开启(qi)电压UT 也(ye)称阀电压,是(shi)增强型绝缘栅型场效应管在漏源(yuan)(yuan)电压UDS为(wei)一定值时,能(neng)使其漏、源(yuan)(yuan)极开始导通的最小栅源(yuan)(yuan)电压UGS。
③饱和漏电(dian)流IDSS 是耗尽型场效应管在零偏压(即(ji)栅源电(dian)压UGS为(wei)零)、漏源电(dian)压UDS大(da)于夹断电(dian)压Up时的(de)漏极电(dian)流。
④击穿电压BUDS和BUGS
a.漏(lou)(lou)(lou)源击穿(chuan)电(dian)压(ya)(ya)BUDS。也称漏(lou)(lou)(lou)源耐压(ya)(ya)值,是当(dang)场效(xiao)应管(guan)的(de)漏(lou)(lou)(lou)源电(dian)压(ya)(ya)UDS增大(da)到一定数值时,使(shi)漏(lou)(lou)(lou)极(ji)电(dian)流ID突然(ran)增大(da)且不受栅(zha)极(ji)电(dian)压(ya)(ya)控(kong)制时的(de)最大(da)漏(lou)(lou)(lou)源电(dian)压(ya)(ya)。
b.栅(zha)源(yuan)击(ji)穿电压BUGS。是场效(xiao)应管的栅(zha)、源(yuan)极之间能承受的最大上作电压。
⑤耗(hao)散功(gong)(gong)率(lv)PD 也(ye)称漏极(ji)耗(hao)散功(gong)(gong)率(lv),该(gai)值约等于漏源电(dian)压UDS与漏极(ji)电(dian)流(liu)ID的乘积。
⑥漏泄电(dian)流IGSS 是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电(dian)流。
⑦直流输入(ru)电(dian)(dian)(dian)阻RGS 也称(cheng)栅源绝缘(yuan)电(dian)(dian)(dian)阻,是场效应(ying)管栅—沟道在反偏(pian)电(dian)(dian)(dian)压作用(yong)下(xia)的电(dian)(dian)(dian)阻值,约等于栅源电(dian)(dian)(dian)压UGS与栅极电(dian)(dian)(dian)流的
比值。
⑧漏(lou)源动(dong)态电(dian)(dian)阻(zu)RDS 是(shi)漏(lou)源电(dian)(dian)压UDS的(de)(de)变化量与漏(lou)极电(dian)(dian)流ID的(de)(de)变化量之比,一般为数千欧以上(shang)。
⑨低(di)频跨(kua)导gm 也称放(fang)大特性,是(shi)栅极电压UG对漏(lou)极电流ID的控制能力,类(lei)似于三(san)极管的电流放(fang)大倍(bei)数β值。
⑩极(ji)间电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong) 是场效应管(guan)各极(ji)之间分布(bu)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)形成的杂(za)散电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)。栅源极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(输入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong))CGS和栅漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)cGD的电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)量为1~
3pF,漏源极电容CDS的(de)电容量为0.1~1pF。
(2)常用场效应管的主要参数
部(bu)分结型场效应(ying)晶(jing)体管的主要(yao)(yao)参数见(jian)(jian)表(biao)3-9。部(bu)分N沟道耗尽型MOS场效应(ying)晶(jing)体管的主要(yao)(yao)参数见(jian)(jian)表(biao)3-10。部(bu)分增强型MOS场
效应晶体管的主要参数见表3-11。
场效应(ying)管(guan)较三(san)极(ji)管(guan)娇(jiao)弱,使(shi)用不(bu)当很容(rong)易损(sun)坏(huai),因此使(shi)用时应(ying)特别注意以下事项。
①应根据不同的使(shi)用场合选用适当型号的场效(xiao)应管(guan)(guan)。常用场效(xiao)应管(guan)(guan)的主要用途见表3-8。
②场效应管(guan),尤其是绝缘(yuan)栅场效应管(guan),输(shu)人(ren)阻抗非常高,不用时应将各电极(ji)短(duan)接,以免栅极(ji)感应电荷而损坏(huai)管(guan)子。
③结型场效应(ying)管的(de)栅源(yuan)电压不能接反,但(dan)可(ke)在开路状(zhuang)态下保存。
④为了保持场效应管的高输入阻抗,管子应注(zhu)意防潮,使(shi)用环境(jing)应干燥。
⑤带电(dian)(dian)物体(如电(dian)(dian)烙(luo)(luo)铁(tie)、测试(shi)仪表)与(yu)场(chang)效应(ying)管接触时(shi)(shi),均需接地,以(yi)免损坏管子。特(te)别是焊接绝缘栅(zha)场(chang)效应(ying)管时(shi)(shi),还(hai)要按源极(ji)(ji)—栅(zha)极(ji)(ji)的先后(hou)次序焊接,最好断电(dian)(dian)后(hou)再焊接。电(dian)(dian)烙(luo)(luo)铁(tie)功率(lv)以(yi)15~30W为宜,一次焊接时(shi)(shi)间不应(ying)超过10s。
⑥绝(jue)缘(yuan)栅场(chang)效应(ying)管切不可用万用表测(ce)试,只能(neng)用测(ce)试仪(yi)测(ce)试,而且要在接(jie)入测(ce)试仪(yi)后,才能(neng)去(qu)掉各电极(ji)短(duan)路(lu)接(jie)线。取下时,则应(ying)先短(duan)路(lu)各电极(ji)后再取下,要避免栅极(ji)悬空。
⑦使用(yong)带有衬底引线的场效(xiao)应(ying)管时,其衬底引线应(ying)正确连(lian)接。
场效应管具有(you)极高(gao)的输入阻抗(kang),导通时(shi)从电(dian)源输入的电(dian)流(liu)几乎可以(yi)忽略。因(yin)此允许(xu)采用(yong)很大(da)的充电(dian)电(dian)阻,有(you)利于比(bi)延时(shi)的提高(gao)。
(1)电路一
JSB-1型(xing)(xing)时间继电器电路(lu)如图(tu)3-9所示。它采用3C01型(xing)(xing)场效应(ying)管(P沟道增(zeng)强型(xing)(xing))作比较环节。该定时器最大延时可达(da)5min,
比延时可达5s/μF,延时误(wu)差<±5%。
工作原理:接通电源时,由于电容C3两端电压为零,场效应管VT处于截止状态,继电器KA释放,延时开始。同时电源E通过电阻R2、继电器KA线圈向电容C3充电,电容上的电压逐渐升高,场效应管VT的栅源电压UGS越来越负,栅—漏极电流IGD就越来越大。当IGD大到晶闸管V所需的触发电流时,V触发导通,继电器KA得电吸合,输出延时信号。
图(tu)中,二极管VD的(de)(de)作用是(shi)提供电(dian)(dian)容(rong)C3一条快速放电(dian)(dian)回路(R3、R4、VD、C3); R1、C1及C2的(de)(de)作用是(shi)防止晶闸管V误触发(fa);并联在电(dian)(dian)阻(zu)值较大(da)的(de)(de)继电(dian)(dian)器KA线(xian)圈上的(de)(de)低阻(zu)值电(dian)(dian)阻(zu)R5,用以提供延时电(dian)(dian)路足够的(de)(de)电(dian)(dian)压与电(dian)(dian)流。
(2)电路二
JS-20型时间继电器电路如图(tu)3-10所示。
工作原理:当继电器KA1吸合时(图中,KA1控制部分未画出),接通电源,由于电容Cl两端电压为零,场效应管VT1的栅源电压UGS=UC-US=-US大于其夹断电压UP,因此VT1截止,三极管VT2无基极电流而截止,晶闸管V关闭,继电器KA2处于释放状态,延时开始。同时电源电压E通过电阻R8、R2向电容C1充电。Cl上电压Uc逐渐升高,当达到UGS
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