1、KIA10N60描述

N沟道增强型硅栅(zha)功(gong)率MOSFET的设计用(yong)于(yu)高(gao)压(ya)、高(gao)速功(gong)率开(kai)关应(ying)用(yong)，如高(gao)效率开(kai)关电源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功(gong)率因数(shu)校正电子镇(zhen)流器(qi)基(ji)于(yu)半桥拓(tuo)扑。

2、特征(zheng)

RD= 0.6@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型的44nc）

快速切换的(de)能(neng)力

雪(xue)崩能(neng)量

改进的dt／dt能(neng)力

漏源反(fan)向(xiang)电压(ya)（vds)： 600

栅源反向电压（vgs)：30

漏电流（连续）:TC=250C

总功耗:TC=25oC、PD=50 W

结温:TJ+150oC

贮藏(zang)温度~ STG - 55 + 150oC

封装(zhuang)形式：TO-220F

3、KIA10N06产品规格

	10N60（9.5A 100V）
产品(pin)编(bian)号	KIA10N60H
产品(pin)工艺(yi)	10N60 N沟道增(zeng)强型硅栅功(gong)(gong)率MOSFET的设计(ji)用(yong)于高压、高速功(gong)(gong)率开关应用(yong)，如高效率开关电源，有源功(gong)(gong)率因数校正电子镇(zhen)流器基于半桥拓扑
特(te)征(zheng)	RD= 0.6?@ V GS = 10v 低栅极电(dian)荷（典型的44nc）快速切换的能力雪崩能(neng)量改进的(de)dt／dt能力
适用范围	该(gai)产品适用于高速开关电(dian)(dian)源(yuan)，PWM电(dian)(dian)机控(kong)制，高效率的DC至DC转换(huan)器和桥电(dian)(dian)路
封装形式(shi)	TO-220F
PDF文件	【直接预(yu)览】
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厂家	KIA 原厂家(jia)
网址	shkegan.com
PEF总页(ye)数	总5页(ye)