场效应(ying)管测量-场效应(ying)管的测量与方(fang)法图解(jie)-KIA 官网
信息来源：本(ben)站 日期：2018-02-26
场(chang)效(xiao)应管(guan)英文缩(suo)写为(wei)(wei)FET。可分为(wei)(wei)结型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(JFET)和绝缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(MOSFET)，我们(men)平常(chang)简称为(wei)(wei)MOS管(guan)。而MOS管(guan)又可分为(wei)(wei)增强型(xing)和耗尽型(xing)而我们(men)平常(chang)主板中常(chang)见使用的也就是增强型(xing)的MOS管(guan)。
下图为MOS管的标识(shi)
我们主(zhu)板中常用的(de)(de)MOS管(guan)G、D、S三个引脚(jiao)是固定的(de)(de)。不管(guan)是N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)还是P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)都一样。把(ba)芯片放正。从左到右分别(bie)为G极(ji)D极(ji)S极(ji)！如下图：
用二(er)极管档对MOS管的测量。首先要短接(jie)三只(zhi)引脚对管子(zi)进行放电
1、然后用红表(biao)笔(bi)接S极.黑表(biao)笔(bi)接D极.如果测得(de)有(you)500多的数值，说明(ming)此管为N沟道
2、黑笔不动，用红笔去接触G极测(ce)得数值为1
3、红笔(bi)移(yi)回到S极.此(ci)时管子(zi)应该为导(dao)通
4、然后(hou)红(hong)笔测(ce)(ce)(ce)D极(ji).而(er)黑笔测(ce)(ce)(ce)S极(ji).应该测(ce)(ce)(ce)得数值为(wei)1.(这(zhei)一步时要注意.因为(wei)之前测(ce)(ce)(ce)量时给了(le)G极(ji)2.5V万用表的(de)电(dian)压..所(suo)以DS之间还(hai)是导通的(de)，不(bu)过大(da)概10几秒(miao)后(hou)才恢复正常，建议(yi)进行这(zhei)一步时再次短接三脚给管子放电(dian)先)
5、然(ran)后红(hong)笔(bi)不(bu)动.黑笔(bi)去测G极..数值(zhi)应该为1
到此(ci)我们可以判定此(ci)N沟道场管为正常
有的(de)(de)(de)人说后(hou)面两步(bu)可(ke)以(yi)(yi)省略不(bu)测(ce)...不(bu)过有些习惯性把五个步(bu)骤(zhou)全用上(shang)。当(dang)然(ran)，对然(ran)P沟道(dao)的(de)(de)(de)测(ce)量步(bu)骤(zhou)也一样。只不(bu)过第一步(bu)为黑表(biao)笔测(ce)S极.红(hong)表(biao)笔测(ce)D极，可(ke)以(yi)(yi)测(ce)得(de)500多的(de)(de)(de)数值。
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