解析(xi)cool mos是什么-cool mos定义的优势-KIA MOS管(guan)
信息来源：本(ben)站 日期(qi)：2018-03-12
对于Cool-MOS的简述
对(dui)(dui)于常规VDMOS 器(qi)件结(jie)(jie)(jie)构， Rdson 与BV 这(zhei)(zhei)一(yi)(yi)对(dui)(dui)矛(mao)盾关系，要想提(ti)高BV，都(dou)是(shi)从减小(xiao)EPI 参杂浓度(du)着手，但是(shi)外延层又是(shi)正向(xiang)电(dian)(dian)(dian)流流通的(de)通道，EPI 参杂浓度(du)减小(xiao)了(le)(le)(le)，电(dian)(dian)(dian)阻必然(ran)变大(da)(da)(da)，Rdson 就(jiu)(jiu)大(da)(da)(da)了(le)(le)(le)。Rdson直接决定着MOS 单体的(de)损耗(hao)大(da)(da)(da)小(xiao)。所以对(dui)(dui)于普通VDMOS，两者矛(mao)盾不可调(diao)和(he)，这(zhei)(zhei)就(jiu)(jiu)是(shi)常规VDMOS的(de)局(ju)限性(xing)。但是(shi)对(dui)(dui)于COOLMOS，这(zhei)(zhei)个矛(mao)盾就(jiu)(jiu)不那么明显(xian)了(le)(le)(le)。通过设置(zhi)一(yi)(yi)个深(shen)入EPI 的(de)的(de)P 区(qu)(qu)，大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)提(ti)高了(le)(le)(le)BV，同时对(dui)(dui)Rdson 上不产生(sheng)影响。对(dui)(dui)于常规VDMOS，反向(xiang)耐(nai)压(ya)，主(zhu)要靠的(de)是(shi)N 型EPI 与body区(qu)(qu)界面(mian)的(de)PN 结(jie)(jie)(jie)，对(dui)(dui)于一(yi)(yi)个PN 结(jie)(jie)(jie)，耐(nai)压(ya)时主(zhu)要靠的(de)是(shi)耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)承受(shou)，耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)内的(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)(chang)(chang)大(da)(da)(da)小(xiao)、耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)扩(kuo)展的(de)宽度(du)的(de)面(mian)积。常规VDSMO，P body 浓度(du)要大(da)(da)(da)于N EPI，大(da)(da)(da)家也应(ying)该清楚，PN 结(jie)(jie)(jie)耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)主(zhu)要向(xiang)低参杂一(yi)(yi)侧扩(kuo)散，所以此结(jie)(jie)(jie)构下，P body 区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)一(yi)(yi)侧，耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)扩(kuo)展很小(xiao)，基(ji)本对(dui)(dui)承压(ya)没有多大(da)(da)(da)贡献，承压(ya)主(zhu)要是(shi)P body－－N EPI 在(zai)N 型的(de)一(yi)(yi)侧区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，这(zhei)(zhei)个区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)(chang)(chang)强(qiang)度(du)是(shi)逐渐变化(hua)的(de)，越是(shi)靠近(jin)PN 结(jie)(jie)(jie)面(mian)，电(dian)(dian)(dian)场(chang)(chang)(chang)强(qiang)度(du)E 越大(da)(da)(da)。对(dui)(dui)于COOLMOS 结(jie)(jie)(jie)构，由(you)于设置(zhi)了(le)(le)(le)相对(dui)(dui)P body 浓度(du)低一(yi)(yi)些的(de)P region 区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，所以P 区(qu)(qu)一(yi)(yi)侧的(de)耗(hao)尽(jin)(jin)(jin)区(qu)(qu)会大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)扩(kuo)展，并且这(zhei)(zhei)个区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)深(shen)入EPI 中，造成(cheng)了(le)(le)(le)PN 结(jie)(jie)(jie)两侧都(dou)能承受(shou)大(da)(da)(da)的(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)，换(huan)句话说，就(jiu)(jiu)是(shi)把(ba)峰值电(dian)(dian)(dian)场(chang)(chang)(chang)Ec 由(you)靠近(jin)器(qi)件表面(mian)，向(xiang)器(qi)件内部深(shen)入的(de)区(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)移动了(le)(le)(le)。
由于(yu)(yu)SJ-MOS 的(de)(de)Rdson 远(yuan)远(yuan)低(di)于(yu)(yu)VDMOS，在系(xi)(xi)统(tong)电源类产(chan)(chan)品(pin)中SJ-MOS 的(de)(de)导通损(sun)耗(hao)必然较之VDMOS要(yao)减(jian)少的(de)(de)多(duo)。其大大提(ti)高(gao)了系(xi)(xi)统(tong)产(chan)(chan)品(pin)上(shang)面的(de)(de)单(dan)体MOSFET 的(de)(de)导通损(sun)耗(hao)，提(ti)高(gao)了系(xi)(xi)统(tong)产(chan)(chan)品(pin)的(de)(de)效率，SJ-MOS的(de)(de)这(zhei)个优(you)点在大功率、大电流(liu)类的(de)(de)电源产(chan)(chan)品(pin)产(chan)(chan)品(pin)上(shang)，优(you)势表现的(de)(de)尤为突出。
首先，同等电流以(yi)及电压规格条件下，J-MOS 的晶源(yuan)面积(ji)要小于VDMOS 工(gong)艺的晶源(yuan)面积(ji)，这样作为(wei)MOS 的厂家，对(dui)于同一规格的产品，可以(yi)封装出(chu)来体(ti)积(ji)相对(dui)较小的产品，有利于电源(yuan)系统功(gong)率密度的提(ti)高。
其(qi)次，由于(yu)SJ-MOS 的(de)导(dao)通损(sun)耗的(de)降低从而降低了电源类(lei)产品(pin)(pin)的(de)损(sun)耗，因(yin)为这些损(sun)耗都是以热量的(de)形(xing)式散(san)发(fa)出(chu)去，我们在(zai)实际中往(wang)往(wang)会增加散(san)热器来降低MOS 单体(ti)的(de)温(wen)(wen)升，使(shi)其(qi)保证在(zai)合适的(de)温(wen)(wen)度(du)范围(wei)内。由于(yu)SJ-MOS 可以有效的(de)减少发(fa)热量，减小了散(san)热器的(de)体(ti)积(ji)，对于(yu)一些功率(lv)稍低的(de)电源，甚至使(shi)用SJ-MOS 后可以将散(san)热器彻底(di)拿掉(diao)。有效的(de)提高(gao)了系统(tong)电源类(lei)产品(pin)(pin)的(de)功率(lv)密度(du)。
传(chuan)统(tong)VDMOS 的(de)(de)栅(zha)(zha)电荷相(xiang)对较(jiao)大，我(wo)们在(zai)实际应用中经(jing)常会遇(yu)到由于IC 的(de)(de)驱(qu)(qu)动能(neng)力不足造成的(de)(de)温升问题，部分(fen)产(chan)品在(zai)电路(lu)设(she)计中为(wei)了增加IC 的(de)(de)驱(qu)(qu)动能(neng)力，确保MOSFET 的(de)(de)快(kuai)速导(dao)通，我(wo)们不得不增加推挽或(huo)其它类(lei)型的(de)(de)驱(qu)(qu)动电路(lu)，从(cong)而增加了电路(lu)的(de)(de)复杂性。SJ-MOS 的(de)(de)栅(zha)(zha)电容相(xiang)对比较(jiao)小，这样就可(ke)以降(jiang)低其对驱(qu)(qu)动能(neng)力的(de)(de)要求(qiu)，提高了系统(tong)产(chan)品的(de)(de)可(ke)靠性。
由(you)于(yu)SJ-MOS 结(jie)构的改变，其输出的节电(dian)(dian)容也有较大的降低，从而降低了其导通(tong)及关断过程中(zhong)的损耗。同时由(you)于(yu)SJ-MOS 栅电(dian)(dian)容也有了响应的减小，电(dian)(dian)容充电(dian)(dian)时间变短，大大的提高了SJ-MOS 的开关速(su)度。对(dui)于(yu)频率(lv)固定的电(dian)(dian)源(yuan)来说，可以有效(xiao)的降低其开通(tong)及关断损耗。提高整个(ge)电(dian)(dian)源(yuan)系统的效(xiao)率(lv)。这一点尤其在频率(lv)相对(dui)较高的电(dian)(dian)源(yuan)上，效(xiao)果更(geng)加(jia)明显。
1）．场效(xiao)应管(guan)(guan)的源极(ji)(ji)S、栅极(ji)(ji)G、漏(lou)极(ji)(ji)D分(fen)别(bie)对应于(yu)三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的发射极(ji)(ji)e、基极(ji)(ji)b、集电极(ji)(ji)c，它们的作用相似，图(tu)1-6-A所示(shi)是N沟道MOS管(guan)(guan)和NPN型(xing)晶体三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)引脚(jiao)，图(tu)1-6-B所示(shi)是P沟道MOS管(guan)(guan)和PNP型(xing)晶体三(san)极(ji)(ji)管(guan)(guan)引脚(jiao)对应图(tu)。
2)．场(chang)效应管(guan)是(shi)电(dian)(dian)压控制(zhi)(zhi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)器件，由VGS控制(zhi)(zhi)ID，普通(tong)的晶(jing)(jing)体三(san)(san)极(ji)管(guan)是(shi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)控制(zhi)(zhi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)器件，由IB控制(zhi)(zhi)IC。MOS管(guan)道放大系数是(shi)（跨导gm）当栅极(ji)电(dian)(dian)压改变(bian)一伏时能(neng)引起(qi)漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)变(bian)化多(duo)(duo)少安培。晶(jing)(jing)体三(san)(san)极(ji)管(guan)是(shi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)放大系数（贝塔β）当基极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)改变(bian)一毫安时能(neng)引起(qi)集电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)变(bian)化多(duo)(duo)少。
3)．场效应管(guan)栅极(ji)(ji)和其它电(dian)(dian)极(ji)(ji)是绝缘(yuan)的(de)(de)(de)，不产生(sheng)电(dian)(dian)流；而三极(ji)(ji)管(guan)工作时基(ji)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流IB决定(ding)集电(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流IC。因此场效应管(guan)的(de)(de)(de)输入(ru)电(dian)(dian)阻比(bi)三极(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)输入(ru)电(dian)(dian)阻高的(de)(de)(de)多。
4)．场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)只有多数(shu)(shu)载(zai)(zai)流子参与导电；三极管(guan)(guan)有多数(shu)(shu)载(zai)(zai)流子和(he)少数(shu)(shu)载(zai)(zai)流子两种载(zai)(zai)流子参与导电，因(yin)少数(shu)(shu)载(zai)(zai)流子浓度受温度、辐射等因(yin)素影响较大(da)，所以场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)比三极管(guan)(guan)的温度稳(wen)定性好。
5)．场效应(ying)管(guan)在源极(ji)(ji)未与衬底连(lian)在一起时(shi)，源极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)可以互换使用，且(qie)特(te)性变化(hua)不大(da)，而三极(ji)(ji)管(guan)的集电(dian)极(ji)(ji)与发射极(ji)(ji)互换使用时(shi)，其特(te)性差异很大(da)，b 值将减小很多。
6)．场效(xiao)应(ying)(ying)管的(de)噪(zao)声系数(shu)很小，在低噪(zao)声放大电(dian)路(lu)的(de)输入(ru)级及要(yao)求信(xin)噪(zao)比较高的(de)电(dian)路(lu)中要(yao)选用场效(xiao)应(ying)(ying)管。
7)．场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)和普通晶体(ti)三(san)极(ji)管(guan)(guan)均可组成(cheng)各(ge)种放大(da)(da)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)和开关电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，但(dan)是(shi)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)制造工艺(yi)简单，并且又(you)具(ju)有普通晶体(ti)三(san)极(ji)管(guan)(guan)不能比拟的优(you)秀特性，在各(ge)种电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)及应用中正逐步的取(qu)代普通晶体(ti)三(san)极(ji)管(guan)(guan)，目(mu)前的大(da)(da)规模和超大(da)(da)规模集成(cheng)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)中，已(yi)经广泛的采用场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)。
6、在开关电源电路中；大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点；
由于(yu)栅(zha)源之间是(shi)(shi)二氧化硅（SiO2）绝缘(yuan)(yuan)层，栅(zha)源之间的(de)直流(liu)(liu)电阻(zu)基(ji)本上就是(shi)(shi)SiO2绝缘(yuan)(yuan)电阻(zu)，一般达(da)100MΩ左右，交流(liu)(liu)输(shu)入(ru)阻(zu)抗基(ji)本上就是(shi)(shi)输(shu)入(ru)电容(rong)的(de)容(rong)抗。由于(yu)输(shu)入(ru)阻(zu)抗高，对激(ji)励信(xin)号不会产(chan)(chan)生压降，有(you)(you)电压就可以驱(qu)(qu)动(dong)(dong)，所以驱(qu)(qu)动(dong)(dong)功率极(ji)(ji)小（灵敏度高）。一般的(de)晶(jing)体三极(ji)(ji)管(guan)必需(xu)有(you)(you)基(ji)极(ji)(ji)电压Vb，再产(chan)(chan)生基(ji)极(ji)(ji)电流(liu)(liu)Ib，才能(neng)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)集电极(ji)(ji)电流(liu)(liu)的(de)产(chan)(chan)生。晶(jing)体三极(ji)(ji)管(guan)的(de)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)是(shi)(shi)需(xu)要功率的(de)（Vb×Ib）。
MOSFET的(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)速度和输(shu)入(ru)的(de)(de)容性特性的(de)(de)有(you)很大(da)关(guan)(guan)系，由于输(shu)入(ru)容性特性的(de)(de)存在(zai)，使开(kai)关(guan)(guan)的(de)(de)速度变慢，但是(shi)在(zai)作(zuo)为开(kai)关(guan)(guan)运用(yong)时，可(ke)降低驱(qu)动(dong)电路内(nei)阻(zu)，加快开(kai)关(guan)(guan)速度（输(shu)入(ru)采用(yong)了后(hou)述的(de)(de)“灌流电路”驱(qu)动(dong)，加快了容性的(de)(de)充放(fang)电的(de)(de)时间(jian)）。MOSFET只(zhi)靠多子导电，不存在(zai)少子储存效应(ying)，因而关(guan)(guan)断(duan)过程非常迅(xun)速，开(kai)关(guan)(guan)时间(jian)在(zai)10—100ns之间(jian)，工(gong)作(zuo)频率可(ke)达100kHz以(yi)上，普通的(de)(de)晶体三(san)极管(guan)由于少数载流子的(de)(de)存储效应(ying)，使开(kai)关(guan)(guan)总有(you)滞后(hou)现(xian)象，影(ying)响开(kai)关(guan)(guan)速度的(de)(de)提高（目前采用(yong)MOS管(guan)的(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)电源其工(gong)作(zuo)频率可(ke)以(yi)轻易的(de)(de)做到100K/S～150K/S,这对于普通的(de)(de)大(da)功率晶体三(san)极管(guan)来说是(shi)难以(yi)想象的(de)(de)）。
由于(yu)普(pu)通(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)功率(lv)晶(jing)(jing)体三(san)(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)具有(you)当温(wen)(wen)(wen)度上(shang)升就(jiu)会(hui)导致(zhi)(zhi)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流上(shang)升（正的(de)(de)(de)(de)(de)温(wen)(wen)(wen)度～电(dian)(dian)(dian)(dian)流特(te)(te)性）的(de)(de)(de)(de)(de)现(xian)(xian)象(xiang)，而(er)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)升又(you)会(hui)导致(zhi)(zhi)温(wen)(wen)(wen)度进一(yi)(yi)步(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)升，温(wen)(wen)(wen)度进一(yi)(yi)步(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)升，更进一(yi)(yi)步(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)导致(zhi)(zhi)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)升这(zhei)一(yi)(yi)恶性循(xun)环(huan)。而(er)晶(jing)(jing)体三(san)(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)耐压(ya)(ya)VCEO随管(guan)(guan)温(wen)(wen)(wen)度升高(gao)是(shi)逐步(bu)下(xia)(xia)降(jiang)，这(zhei)就(jiu)形成了管(guan)(guan)温(wen)(wen)(wen)继(ji)续上(shang)升、耐压(ya)(ya)继(ji)续下(xia)(xia)降(jiang)最终导致(zhi)(zhi)晶(jing)(jing)体三(san)(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)击(ji)(ji)穿，这(zhei)是(shi)一(yi)(yi)种导致(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)(dian)视(shi)机开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源管(guan)(guan)和行输出管(guan)(guan)损(sun)坏率(lv)占95%的(de)(de)(de)(de)(de)破环(huan)性的(de)(de)(de)(de)(de)热(re)电(dian)(dian)(dian)(dian)击(ji)(ji)穿现(xian)(xian)象(xiang)，也称为(wei)(wei)二次击(ji)(ji)穿现(xian)(xian)象(xiang)。MOS管(guan)(guan)具有(you)和普(pu)通(tong)晶(jing)(jing)体三(san)(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)相反的(de)(de)(de)(de)(de)温(wen)(wen)(wen)度～电(dian)(dian)(dian)(dian)流特(te)(te)性，即(ji)当管(guan)(guan)温(wen)(wen)(wen)度（或环(huan)境温(wen)(wen)(wen)度）上(shang)升时，沟(gou)(gou)道(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)流IDS反而(er)下(xia)(xia)降(jiang)。例如；一(yi)(yi)只(zhi)IDS=10A的(de)(de)(de)(de)(de)MOS FET开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)，当VGS控制(zhi)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)不(bu)变时，在250C温(wen)(wen)(wen)度下(xia)(xia)IDS=3A，当芯片(pian)温(wen)(wen)(wen)度升高(gao)为(wei)(wei)1000C时，IDS降(jiang)低(di)到2A，这(zhei)种因温(wen)(wen)(wen)度上(shang)升而(er)导致(zhi)(zhi)沟(gou)(gou)道(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)流IDS下(xia)(xia)降(jiang)的(de)(de)(de)(de)(de)负温(wen)(wen)(wen)度电(dian)(dian)(dian)(dian)流特(te)(te)性，使之(zhi)不(bu)会(hui)产生(sheng)恶性循(xun)环(huan)而(er)热(re)击(ji)(ji)穿。也就(jiu)是(shi)MOS管(guan)(guan)没有(you)二次击(ji)(ji)穿现(xian)(xian)象(xiang)，可见采用(yong)MOS管(guan)(guan)作为(wei)(wei)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)，其开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)损(sun)坏率(lv)大幅(fu)度的(de)(de)(de)(de)(de)降(jiang)低(di)，近(jin)两年电(dian)(dian)(dian)(dian)视(shi)机开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源采用(yong)MOS管(guan)(guan)代替过去(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)普(pu)通(tong)晶(jing)(jing)体三(san)(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)后，开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)损(sun)坏率(lv)大大降(jiang)低(di)也是(shi)一(yi)(yi)个极(ji)(ji)(ji)好的(de)(de)(de)(de)(de)证明(ming)。
普通(tong)晶(jing)体三极(ji)管(guan)(guan)(guan)在饱(bao)和(he)导通(tong)是，几乎是直(zhi)通(tong)，有一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)极(ji)低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)压降(jiang)，称为饱(bao)和(he)压降(jiang)，既然有一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)压降(jiang)，那么也就(jiu)是；普通(tong)晶(jing)体三极(ji)管(guan)(guan)(guan)在饱(bao)和(he)导通(tong)后(hou)等效是一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)阻(zu)(zu)(zu)值极(ji)小的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，但是这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)等效的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)是一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)非线(xian)性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)（电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压和(he)流过(guo)(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流不(bu)能符(fu)合欧(ou)姆(mu)定(ding)律(lv)），而MOS管(guan)(guan)(guan)作为开关(guan)管(guan)(guan)(guan)应(ying)(ying)用(yong)，在饱(bao)和(he)导通(tong)后(hou)也存在一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)阻(zu)(zu)(zu)值极(ji)小的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，但是这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)等效一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)线(xian)性(xing)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，其电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)(zu)(zu)值和(he)两端的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压降(jiang)和(he)流过(guo)(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流符(fu)合欧(ou)姆(mu)定(ding)律(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)关(guan)系，电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流大(da)压降(jiang)就(jiu)大(da)，电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流小压降(jiang)就(jiu)小，导通(tong)后(hou)既然等效是一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)线(xian)性(xing)元件，线(xian)性(xing)元件就(jiu)可以并(bing)(bing)联应(ying)(ying)用(yong)，当这(zhei)(zhei)样两个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)并(bing)(bing)联在一(yi)(yi)(yi)起，就(jiu)有一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)自动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流平(ping)衡的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)，所(suo)以MOS管(guan)(guan)(guan)在一(yi)(yi)(yi)个(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)子功率不(bu)够的(de)(de)(de)(de)(de)(de)时候，可以多管(guan)(guan)(guan)并(bing)(bing)联应(ying)(ying)用(yong)，且不(bu)必另外增加平(ping)衡措施（非线(xian)性(xing)器件是不(bu)能直(zhi)接并(bing)(bing)联应(ying)(ying)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)）。
MOS管(guan)(guan)(guan)和普通的晶(jing)体(ti)三极(ji)管(guan)(guan)(guan)相比，有以(yi)上四项优(you)点，就(jiu)足(zu)以(yi)使MOS管(guan)(guan)(guan)在(zai)开关(guan)运用(yong)状态下完全取(qu)代(dai)普通的晶(jing)体(ti)三极(ji)管(guan)(guan)(guan)。目前的技术(shu)MOS管(guan)(guan)(guan)道(dao)VDS能(neng)(neng)做到1000V，只能(neng)(neng)作(zuo)为开关(guan)电源的开关(guan)管(guan)(guan)(guan)应用(yong)，随着(zhe)制造工艺的不断(duan)进步，VDS的不断(duan)提高，取(qu)代(dai)显像(xiang)管(guan)(guan)(guan)电视机的行输出管(guan)(guan)(guan)也是近期能(neng)(neng)实(shi)现的。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」，做优秀工程师！
长按二维码识别关注
阅读原文可一键关注+技术总汇
