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如何(he)为MOS管选择最适(shi)合的(de)驱动电(dian)路(lu)-MOS管作用与特性详解-KIA MOS管

信(xin)息来源:本站 日(ri)期:2020-03-26 

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如何为MOS管选择最适合的驱动电路-MOS管作用与特性详解

MOS管的作用

1.MOS管(guan)可应用于(yu)放大(da)。由于(yu)场效应管(guan)放大(da)器的输入阻抗很高,因此耦(ou)合电容可以容量较小(xiao),不必使用电解电容器。


2.MOS管很高的(de)输(shu)入(ru)阻抗非(fei)常适合作阻抗变(bian)换。常用于多(duo)级(ji)放大器的(de)输(shu)入(ru)级(ji)作阻抗变(bian)换。


3.MOS管可(ke)以用作可(ke)变电(dian)阻。


4.MOS管可以方(fang)便(bian)地(di)用作恒(heng)流源。


5.MOS管可以用作电子(zi)开关。


如何为MOS管选择最适合的驱动电路?

在开关电(dian)源(yuan)等电(dian)力系统设(she)(she)计(ji)中,设(she)(she)计(ji)人员关心最(zui)多的是MOS管的几个参(can)数,如导通电(dian)阻、最(zui)大(da)电(dian)压、最(zui)大(da)电(dian)流。这些因素固然(ran)重要,考虑不(bu)妥(tuo)会使电(dian)路无法正常工作,但(dan)实际上这只完成了第一步,MOS管本(ben)身的寄(ji)生参(can)数才是影响(xiang)电(dian)路西(xi)能的关键。


选择了一个(ge)适合的(de)MOS管、电(dian)源(yuan)IC,说(shuo)明你是一个(ge)合格的(de)采购工(gong)程师。如何用好(hao)这只(zhi)管子,就需要对驱动电(dian)路进行优化,包括驱动脚输出(chu)的(de)峰值(zhi)电(dian)流、上升速率(lv)等,因为这些(xie)将直(zhi)接影响MOS管的(de)开关性能。


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用电源IC直接(jie)驱动(dong)MOS管(guan)


一个好的MOS管驱动电路有以下几点要求:


(1)开关(guan)管(guan)开通瞬时,驱(qu)动电路应能提供足够大(da)的充电电流,使(shi)MOS管(guan)栅源(yuan)极间电压迅(xun)速上升(sheng)到所(suo)需值,保(bao)证开关(guan)管(guan)能快(kuai)速开通且(qie)不(bu)存(cun)在(zai)上升(sheng)沿的高(gao)频振荡。


(2)开关导通期间,驱(qu)动电路能(neng)保证MOS管栅源极间电压保持稳定,且可靠(kao)导通。


(3)关断(duan)瞬间驱动(dong)电路(lu),能(neng)提供一个尽可能(neng)低阻抗(kang)的通路(lu),供MOS管栅源极间电容(rong)电压(ya)的快速(su)泄放(fang),保证开关管能(neng)快速(su)关断(duan)。


(4)驱动电路结构(gou)简单(dan)可靠(kao)、损耗小。


(5)根(gen)据情况进(jin)行隔(ge)离。


在(zai)模块电(dian)源(yuan)中(zhong),做常用(yong)(yong)的(de)是电(dian)源(yuan)IC直接驱(qu)(qu)动(dong)(dong)MOS管(guan)(guan)。使(shi)用(yong)(yong)中(zhong),应该注意最大驱(qu)(qu)动(dong)(dong)峰值电(dian)流、MOS管(guan)(guan)的(de)寄(ji)生(sheng)(sheng)电(dian)容两个参数。这里,电(dian)源(yuan)IC的(de)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)能力(li)、MOS寄(ji)生(sheng)(sheng)电(dian)容大小、驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)阻(zu)阻(zu)值都将(jiang)影响MOS管(guan)(guan)开关速度。如果选择(ze)MOS管(guan)(guan)寄(ji)生(sheng)(sheng)电(dian)容比较大,电(dian)源(yuan)IC内部的(de)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)能力(li)又不足(zu)时,需(xu)要在(zai)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)路(lu)上增强驱(qu)(qu)动(dong)(dong)能力(li),常使(shi)用(yong)(yong)图腾柱电(dian)路(lu)增加(jia)电(dian)源(yuan)IC驱(qu)(qu)动(dong)(dong)能力(li)。


该电路(lu)虽然简单,可以此改进并发展出很多其它形式(shi)的(de)驱动(dong)电路(lu)。目前,各(ge)种各(ge)样的(de)MOS管驱动(dong)电路(lu)并没有一种驱动(dong)电路(lu)是最好的(de),需(xu)要用(yong)户(hu)根据(ju)具体应用(yong),结合(he)MOS管厂商提供的(de)用(yong)户(hu)手(shou)册,不断对(dui)电路(lu)及参数进行优化,打(da)磨出最合(he)适(shi)自己应用(yong)的(de)驱动(dong)方案来(lai)。


MOS管的特点

(1)场(chang)效应管是电压(ya)控(kong)制(zhi)(zhi)器件,它通过VGS(栅源电压(ya))来控(kong)制(zhi)(zhi)ID(漏(lou)极电流);


(2)场效应管的(de)控制输(shu)入端电流极(ji)小,因此它的(de)输(shu)入电阻(107~1012Ω)很(hen)大。


(3)它是利(li)用多数载流子(zi)导(dao)电,因(yin)此它的温度稳定性较好;


(4)它组成的放(fang)大(da)(da)(da)电(dian)路的电(dian)压(ya)放(fang)大(da)(da)(da)系(xi)数要小于三极管组成放(fang)大(da)(da)(da)电(dian)路的电(dian)压(ya)放(fang)大(da)(da)(da)系(xi)数;


(5)场效应(ying)管的抗辐射(she)能(neng)力(li)强;


(6)由于它不存在杂乱(luan)运动(dong)的电(dian)子扩散引起(qi)的散粒噪声,所以(yi)噪声低(di)。


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