涨知识 半导(dao)体(ti)封(feng)装技术你了解多(duo)少-细说半导(dao)体(ti)封(feng)装技术-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站(zhan) 日期：2020-03-26
本文主要(yao)讲半导体(ti)封(feng)装技术，电(dian)子(zi)(zi)封(feng)装是(shi)集成(cheng)电(dian)路(lu)芯片生产完成(cheng)后(hou)不可缺(que)少的(de)一(yi)(yi)道工(gong)序，是(shi)器(qi)件到系统(tong)的(de)桥梁(liang)。封(feng)装这一(yi)(yi)生产环节对微电(dian)子(zi)(zi)产品的(de)质量和竞(jing)争力(li)都有(you)极(ji)大的(de)影响。按目前国际上流行的(de)看法(fa)认为，在微电(dian)子(zi)(zi)器(qi)件的(de)总体(ti)成(cheng)本中，设计占了(le)三(san)(san)(san)分(fen)之(zhi)一(yi)(yi)，芯片生产占了(le)三(san)(san)(san)分(fen)之(zhi)一(yi)(yi)，而封(feng)装和测试也占了(le)三(san)(san)(san)分(fen)之(zhi)一(yi)(yi)，真可谓三(san)(san)(san)分(fen)天下有(you)其一(yi)(yi)。
半(ban)导体(ti)封装技术，先看(kan)看(kan)封装最初的定(ding)义是保护电路芯(xin)片免受周围环境的影(ying)响(xiang)（包括物理、化学的影(ying)响(xiang)）。
芯(xin)片封(feng)装是利(li)用（膜技(ji)术）及(ji)（微(wei)细(xi)加工技(ji)术），将芯(xin)片及(ji)其他(ta)要素在(zai)框架或基板上布置、粘贴固(gu)定及(ji)连接，引出接线(xian)端(duan)子(zi)并通过可塑性绝缘介质灌封(feng)固(gu)定，构成(cheng)整体结构的工艺。
电子(zi)封装(zhuang)工(gong)程：将(jiang)基板、芯片(pian)封装(zhuang)体和分立器件(jian)等要素，按电子(zi)整机要求进(jin)行连接和装(zhuang)配，实(shi)现(xian)一定(ding)电气、物(wu)理性(xing)能，转变为具有整机或系统形式的整机装(zhuang)置或设备。
集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)封(feng)装能保护(hu)芯片不(bu)受(shou)或(huo)者(zhe)少受(shou)外界环境的(de)影响(xiang)，并为之(zhi)提供一个良好(hao)的(de)工作条件，以使集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)具有稳(wen)定、正常的(de)功能。
芯片封装能实现电源分(fen)(fen)配；信号分(fen)(fen)配；散热通道(dao)；机械支撑；环境保护。
从Foundry厂得到(dao)圆(yuan)片进行减薄、中测打点后，即(ji)可进入后道封装。封装对集成电路起着机械支撑和(he)机械保护、传输信号和(he)分配电源、散热、环境保护等作用。
随着集成电路的迅速发展，IC封装技(ji)术也随着提高，IC行(xing)业应用需求越(yue)(yue)来(lai)越(yue)(yue)大，集成度也越(yue)(yue)来(lai)越(yue)(yue)高，技(ji)术指(zhi)标(biao)一(yi)代(dai)比一(yi)代(dai)先(xian)进(jin)，芯片面(mian)积与封装面(mian)积比例越(yue)(yue)来(lai)越(yue)(yue)接近1，电器性能以及可靠性也逐渐提高，体积更加小(xiao)型(xing)化(hua)和薄型(xing)化(hua)。
半导体行业对(dui)芯片封(feng)(feng)装(zhuang)技术水平(ping)的(de)划(hua)分存在不(bu)同的(de)标准(zhun)，目前国内比较通(tong)行的(de)标准(zhun)是采取封(feng)(feng)装(zhuang)芯片与基板的(de)连接方式来划(hua)分，总(zong)体来讲，集成电(dian)路封(feng)(feng)装(zhuang)封(feng)(feng)装(zhuang)技术的(de)发(fa)展可分为四个阶段：
第一阶段：20世纪80年代以前（插孔原件时代）
封装的主要技术是(shi)针脚插(cha)装（PTH），其特点是(shi)插(cha)孔安装到PCB上，主要形式(shi)有SIP、DIP、PGA，它们的不足之处是(shi)密度、频率难(nan)以(yi)提高(gao)(gao)，难(nan)以(yi)满(man)足高(gao)(gao)效(xiao)自动化生(sheng)产(chan)的要求(qiu)。
TO（晶体管外形封装）
TO是(shi)晶体(ti)管外形(xing)封(feng)装(zhuang)，一类是(shi)晶体(ti)管封(feng)装(zhuang)类，这(zhei)种能够使引(yin)线被(bei)表(biao)面贴(tie)装(zhuang)，另一类是(shi)圆形(xing)金属(shu)外壳封(feng)装(zhuang)无表(biao)面贴(tie)装(zhuang)部(bu)件(jian)类。这(zhei)种封(feng)装(zhuang)应(ying)用很广泛，很多三极(ji)管、MOS管、晶闸管等均采用这(zhei)种封(feng)装(zhuang)。
DIP（双列封装）
DIP封(feng)装也叫双(shuang)列(lie)直(zhi)(zhi)插(cha)式封(feng)装或者(zhe)双(shuang)入线封(feng)装，绝大多数(shu)中小规(gui)模集成电路均采用这(zhei)种封(feng)装形式，其引脚数(shu)一般(ban)不超过100，采用这(zhei)种封(feng)装方式的(de)芯片有(you)两排引脚，可以直(zhi)(zhi)接(jie)焊(han)在有(you)DIP结(jie)构(gou)的(de)芯片插(cha)座上或焊(han)在有(you)相同焊(han)孔数(shu)的(de)焊(han)位中。其特(te)点是可以很方便地实(shi)现PCB板的(de)穿孔焊(han)接(jie)，和主板有(you)很好的(de)兼容性(xing)。包括CerDIP（陶瓷双(shuang)列(lie)直(zhi)(zhi)插(cha)式封(feng)装）、PDIP（塑封(feng)）。
SIP（单列直插封装）
单(dan)列直插式封(feng)装(zhuang)引(yin)脚从封(feng)装(zhuang)一(yi)个侧(ce)面(mian)引(yin)出(chu)，排列成一(yi)条(tiao)直线(xian)。通常(chang)(chang)它们是通孔(kong)式的，引(yin)脚从封(feng)装(zhuang)一(yi)个侧(ce)面(mian)引(yin)出(chu)，排列成一(yi)条(tiao)直线(xian)。当装(zhuang)配到印刷基(ji)板上时封(feng)装(zhuang)呈侧(ce)立(li)状。引(yin)脚中心(xin)距通常(chang)(chang)为2.54mm，引(yin)脚数(shu)从2 至23，多数(shu)为定制产品。封(feng)装(zhuang)的形(xing)状各异。
PGA（引脚栅阵列）
陈列引脚封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)。插装(zhuang)(zhuang)型封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)之一(yi)，其底(di)面的(de)垂直引脚呈陈列状排列。封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)基材基本上(shang)都采(cai)用多层陶瓷(ci)基板。用于高速大规模逻辑LSI电(dian)路。管脚在(zai)芯片底(di)部，一(yi)般为正方形，引脚中心(xin)距通常(chang)为2.54mm，引脚数从(cong)64到447左(zuo)右(you)。一(yi)般有(you)CPGA（陶瓷(ci)针栅阵列封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)）以及PPGA（塑料针栅阵列封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)）两种。
第二阶段：20世纪80年代中期（表面贴装时代）
表面(mian)(mian)贴(tie)装(zhuang)封装(zhuang)的主(zhu)要特(te)点是引(yin)线代替针脚，引(yin)线为翼形(xing)或(huo)丁(ding)形(xing)，两(liang)边(bian)或(huo)四边(bian)引(yin)出，节距为1.27到(dao)0.4mm，适(shi)合于3-300条引(yin)线，表面(mian)(mian)贴(tie)装(zhuang)技术改(gai)变(bian)了传统的PTH插装(zhuang)形(xing)式(shi)，通过细(xi)微的引(yin)线将集成电路贴(tie)装(zhuang)到(dao)PCB板上。主(zhu)要形(xing)式(shi)为SOP（小外型封装(zhuang)）、PLCC（塑(su)料有(you)引(yin)线片(pian)式(shi)载体(ti)）、PQFP（塑(su)料四边(bian)引(yin)线扁平封装(zhuang)）、J型引(yin)线QFJ和SOJ、LCCC（无引(yin)线陶瓷芯片(pian)载体(ti)）等。
它们(men)的(de)主要优(you)点(dian)是(shi)引线细、短，间距小(xiao)(xiao)，封装密度(du)提(ti)高；电气性能提(ti)高；体积小(xiao)(xiao)，重量轻(qing)；易于自动化生(sheng)产。它们(men)所存(cun)在的(de)不足之处(chu)是(shi)在封装密度(du)、I/O数(shu)以及电路频率方面还是(shi)难以满足ASIC、微处(chu)理器(qi)发展的(de)需要。
SOP（小型封装）
SOP封(feng)装(zhuang)是一种元件封(feng)装(zhuang)形式，常见的(de)封(feng)装(zhuang)材料(liao)有(you):塑(su)料(liao)、陶(tao)瓷、玻璃、金属等，现在基(ji)本采用塑(su)料(liao)封(feng)装(zhuang).，应用范(fan)围很广，主要(yao)用在各种集成(cheng)电路中。后面就逐渐有(you)TSOP(薄(bo)小(xiao)外(wai)(wai)形封(feng)装(zhuang))、VSOP(甚小(xiao)外(wai)(wai)形封(feng)装(zhuang))、SSOP(缩(suo)小(xiao)型SOP)、TSSOP(薄(bo)的(de)缩(suo)小(xiao)型SOP）、
MSOP（微型外(wai)廓封(feng)装(zhuang)）、 QSOP（四分(fen)之(zhi)一尺寸外(wai)形封(feng)装(zhuang)）、QVSOP（四分(fen)之(zhi)一体积特小外(wai)形封(feng)装(zhuang)）等封(feng)装(zhuang)。
LCC（带引脚或无引脚芯片载体）
带引脚(jiao)的(de)陶(tao)瓷(ci)芯片载体，表面(mian)贴装(zhuang)型(xing)封(feng)装(zhuang)之(zhi)一，引脚(jiao)从(cong)封(feng)装(zhuang)的(de)四个侧(ce)面(mian)引出，是高速(su)和高频IC用封(feng)装(zhuang)，也(ye)称为陶(tao)瓷(ci)QFN或QFN－C。有CLCC（翼(yi)形引脚(jiao)）、LDCC、PLCC。
QFP （四方扁平封装）
这种封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)是方(fang)(fang)型扁(bian)平(ping)式(shi)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)，一般(ban)(ban)为正方(fang)(fang)形，四(si)(si)边均(jun)有管脚(jiao)(jiao)(jiao)，采用(yong)该(gai)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)实现的CPU芯片引脚(jiao)(jiao)(jiao)之间(jian)距离很小(xiao)，管脚(jiao)(jiao)(jiao)很细，一般(ban)(ban)大规(gui)模(mo)或超大规(gui)模(mo)集(ji)成电路采用(yong)这种封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)形式(shi)，其引脚(jiao)(jiao)(jiao)数一般(ban)(ban)都在100以(yi)上。因其其封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)外形尺寸(cun)较小(xiao)，寄生参数减小(xiao)，适合高频应用(yong)。这类封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)有：CQFP（陶(tao)瓷四(si)(si)方(fang)(fang)扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)）、 PQFP（塑(su)料四(si)(si)方(fang)(fang)扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)）、SSQFP（自焊接(jie)式(shi)四(si)(si)方(fang)(fang)扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)）、TQFP（纤(xian)薄四(si)(si)方(fang)(fang)扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)）、SQFP（缩小(xiao)四(si)(si)方(fang)(fang)扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)）。
第三阶段：20世纪90年代出现了第二次飞跃，进入了面积阵列封装时代
该阶段主要的(de)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)形式有焊球阵列封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（BGA）、芯片尺寸封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（CSP）、无(wu)引线四边扁平(ping)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（PQFN）、多芯片组件（MCM）。BGA技术使(shi)得(de)在封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)中占有较大(da)(da)(da)(da)体积和(he)重量的(de)管脚(jiao)被焊球所替代，芯片与系统之间的(de)连接距离大(da)(da)(da)(da)大(da)(da)(da)(da)缩短(duan)，BGA技术的(de)成(cheng)功(gong)开发(fa)(fa)，使(shi)得(de)一(yi)直滞后于芯片发(fa)(fa)展的(de)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)终于跟上(shang)芯片发(fa)(fa)展的(de)步伐。CSP技术解(jie)决了(le)长期存在的(de)芯片小而封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)大(da)(da)(da)(da)的(de)根(gen)本矛盾，引发(fa)(fa)了(le)一(yi)场集成(cheng)电路(lu)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)技术的(de)革命。
MCM（多芯片组件）
其实这是一(yi)种芯片(pian)组(zu)(zu)件，是一(yi)种最新技术，它是将(jiang)多块(kuai)半(ban)导(dao)体裸芯片(pian)组(zu)(zu)装在一(yi)块(kuai)布线基板上的一(yi)种封装技术，因此(ci)(ci)它省去了(le)IC的封装材料和工艺，从而(er)节省了(le)材料，同(tong)时(shi)减少(shao)了(le)必要的制造工艺，因此(ci)(ci)严格(ge)的是一(yi)种高(gao)密度(du)组(zu)(zu)装产(chan)品。
CSP （芯片规模封装）
CSP封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)是一种芯片(pian)(pian)级封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)，我们都知(zhi)道(dao)芯片(pian)(pian)基本上(shang)都是以(yi)小型(xing)化著称，因(yin)此CSP封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)最新(xin)一代的内存芯片(pian)(pian)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)技术，可以(yi)让芯片(pian)(pian)面积(ji)与(yu)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)面积(ji)之比超(chao)过1:1.14，已经相(xiang)当接(jie)近1:1的理想情况，被行业界(jie)评为单芯片(pian)(pian)的最高形式，与(yu)BGA封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)相(xiang)比，同等空间(jian)下CSP封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)可以(yi)将存储容量提高三倍。这(zhei)种封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)特点是体积(ji)小、输入(ru)/输出端数可以(yi)很多以(yi)及电(dian)气(qi)性能很好，有CSP BGA(球栅阵列)、LFCSP（引脚架构）、LGA（栅格阵列）、WLCSP（晶(jing)圆级）等。
BGA （球栅阵列）
球(qiu)(qiu)(qiu)形触点阵列(lie)，表面贴装型封(feng)(feng)(feng)装之(zhi)一。在(zai)印刷基(ji)板的背面按陈列(lie)方式(shi)制作出球(qiu)(qiu)(qiu)形凸点用(yong)(yong)以代替(ti)引脚，在(zai)印刷基(ji)板的正(zheng)面装配LSI 芯片，然后用(yong)(yong)模(mo)压树(shu)脂或灌封(feng)(feng)(feng)方法进(jin)行(xing)密封(feng)(feng)(feng)。也称为凸点陈列(lie)载(zai)体(PAC)。BGA主(zhu)要有：PBGA（塑料封(feng)(feng)(feng)装的BGA）、CBGA（陶瓷封(feng)(feng)(feng)装的BGA）、CCBGA（陶瓷柱状封(feng)(feng)(feng)装的BGA）、TBGA（载(zai)带状封(feng)(feng)(feng)装的BGA）等。目(mu)前应用(yong)(yong)的BGA封(feng)(feng)(feng)装器件, 按基(ji)板的种类，主(zhu)要CBGA（陶瓷球(qiu)(qiu)(qiu)栅(zha)阵列(lie)封(feng)(feng)(feng)装）、 PBGA（塑料球(qiu)(qiu)(qiu)栅(zha)阵列(lie)封(feng)(feng)(feng)装）、TBGA（载(zai)带球(qiu)(qiu)(qiu)栅(zha)阵列(lie)封(feng)(feng)(feng)装）、FC-BGA（倒装球(qiu)(qiu)(qiu)栅(zha)阵列(lie)封(feng)(feng)(feng)装）、EPBG（增强的塑胶(jiao)球(qiu)(qiu)(qiu)栅(zha)阵列(lie)封(feng)(feng)(feng)装）等。
第四阶段：进入21世纪，迎来了微电子封装技术堆叠式封装时代，它在封装观念上发生了革命性的变化，从原来的封装元件概念演变成封装系统。
3D晶片堆叠技术
堆叠式存(cun)储模块
目前，以全球半(ban)导体封(feng)装的主流正(zheng)处在第三阶(jie)段的成(cheng)熟期，PQFN和BGA等主要封(feng)装技术(shu)进行大规模生(sheng)产，部分产品已(yi)开始在向第四阶(jie)段发展(zhan)。
1.封(feng)装(zhuang)工(gong)艺(yi)流(liu)程 一般可以分为两个部分，用(yong)塑料(liao)封(feng)装(zhuang)之前(qian)的工(gong)艺(yi)步(bu)骤(zhou)(zhou)成(cheng)(cheng)为前(qian)段操作(zuo)，在成(cheng)(cheng)型之后(hou)的工(gong)艺(yi)步(bu)骤(zhou)(zhou)成(cheng)(cheng)为后(hou)段操作(zuo)。
2.芯片(pian)封装(zhuang)技(ji)术(shu)的(de)基本工(gong)艺流程 硅(gui)片(pian)减薄(bo) 硅(gui)片(pian)切割 芯片(pian)贴装(zhuang)，芯片(pian)互联 成型技(ji)术(shu) 去(qu)飞(fei)边毛(mao)刺 切筋成型 上焊锡打码等工(gong)序。
3.硅片的(de)背面(mian)减薄技术(shu)主要有磨削(xue)，研磨，化学(xue)(xue)(xue)机械抛光(guang)，干式抛光(guang)，电化学(xue)(xue)(xue)腐蚀(shi)，湿法腐蚀(shi)，等(deng)离子增强化学(xue)(xue)(xue)腐蚀(shi)，常压等(deng)离子腐蚀(shi)等(deng)。
4.先划片后减薄：在背(bei)面磨(mo)削之前将(jiang)硅(gui)片正面切(qie)割出(chu)一定(ding)深度的切(qie)口，然后再进行背(bei)面磨(mo)削。
5.减薄划(hua)片(pian)：在减薄之前，先(xian)用机械(xie)或化(hua)学的方式切割处切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度之后采用ADPE腐(fu)蚀技术去除掉剩余(yu)加工量实现裸芯片(pian)的自动分离。
6.芯片(pian)贴(tie)装的(de)方(fang)式四种：共晶(jing)粘(zhan)贴(tie)法(fa)，焊接粘(zhan)贴(tie)法(fa)，导(dao)电胶粘(zhan)贴(tie)法(fa)，和玻璃胶粘(zhan)贴(tie)法(fa)。
共(gong)晶粘贴法：利用金(jin)-硅合金(jin)（一般是69%Au,31%的Si），363度时的共(gong)晶熔(rong)合反应使IC芯片粘贴固定。
7.为了获(huo)得最佳的(de)共晶贴装所采取的(de)方法，IC芯(xin)片背(bei)面通常先(xian)镀上(shang)一层金的(de)薄(bo)膜或在基(ji)板(ban)的(de)芯(xin)片承载座(zuo)上(shang)先(xian)植入(ru)预芯(xin)片。
8.芯片互连常见的方法(fa)有，打线键合，载在自动键合（TAB）和(he)倒装芯片键合。
9.打(da)线键合技术有(you)，超(chao)声波键合，热(re)压键合，热(re)超(chao)声波键合。
10.TAB的(de)关键技(ji)术：1芯(xin)片(pian)(pian)凸点制(zhi)作技(ji)术2TAB载(zai)带制(zhi)作技(ji)术3载(zai)带引线与芯(xin)片(pian)(pian)凸点的(de)内引线焊(han)接(jie)和载(zai)带外引线焊(han)接(jie)技(ji)术。
11.凸(tu)点芯片的制(zhi)(zhi)作工艺，形成凸(tu)点的技术:蒸发/溅射涂点制(zhi)(zhi)作法，电镀(du)凸(tu)点制(zhi)(zhi)作法置(zhi)球及模板印刷(shua)制(zhi)(zhi)作，焊料凸(tu)点发，化学镀(du)涂点制(zhi)(zhi)作法，打球凸(tu)点制(zhi)(zhi)作法，激(ji)光法。
12.塑料封装(zhuang)的(de)成(cheng)型技术(shu)(shu)(shu)，1转(zhuan)移成(cheng)型技术(shu)(shu)(shu)，2喷射成(cheng)型技术(shu)(shu)(shu)，3预成(cheng)型技术(shu)(shu)(shu)但最主要的(de)技术(shu)(shu)(shu)是(shi)转(zhuan)移成(cheng)型技术(shu)(shu)(shu)，转(zhuan)移技术(shu)(shu)(shu)使用的(de)材料一般为热固性聚合(he)物。
13.减薄后的芯片有如下(xia)优点：
1、薄的(de)芯片更有利于(yu)散热；
2、减小(xiao)芯片(pian)封装体(ti)积；
3、提高机械(xie)性能、硅(gui)片减薄、其(qi)柔韧性越好，受外力冲(chong)击引起的应力也越小(xiao)；
4、晶片的厚度越(yue)(yue)薄，元(yuan)件(jian)之间的连(lian)线也越(yue)(yue)短，元(yuan)件(jian)导通(tong)电阻将越(yue)(yue)低，信号延迟时间越(yue)(yue)短，从而实现(xian)更高的性能；
5、减(jian)轻(qing)划片(pian)加工(gong)(gong)量减(jian)薄以后再(zai)切割，可以减(jian)小划片(pian)加工(gong)(gong)量，降低芯片(pian)崩片(pian)的发生率。
14. 波峰焊：波峰焊的工艺流程包括(kuo)上(shang)(shang)助焊剂、预热以及(ji)将PCB板在一(yi)个(ge)焊料波峰上(shang)(shang)通过，依靠表面张力和毛细管现象的共同(tong)作用(yong)将焊剂带到PCB板和元器件引脚上(shang)(shang)，形成焊接点。 波峰(feng)焊(han)是(shi)将熔融的液态焊(han)料，借助于泵的作(zuo)用，在焊(han)料槽液面形成特定(ding)形状的焊(han)料波，装了元(yuan)器件(jian)的PCB置(zhi)于传送链(lian)上(shang)，经(jing)某一特定(ding)的角(jiao)度(du)以及一定(ding)的进(jin)入深(shen)度(du)穿过焊(han)料波峰(feng)而实现焊(han)点的焊(han)接过程。
再流焊(han)(han)(han)(han)：是通过预(yu)先(xian)在PCB焊(han)(han)(han)(han)接(jie)(jie)部位施放适(shi)量和适(shi)当形式的焊(han)(han)(han)(han)料，然后贴放表面组(zu)装(zhuang)元器件，然后通过重新(xin)熔化(hua)预(yu)先(xian)分配到印(yin)制(zhi)板(ban)焊(han)(han)(han)(han)盘(pan)上的焊(han)(han)(han)(han)膏，实(shi)现表面组(zu)装(zhuang)元器件焊(han)(han)(han)(han)端(duan)或(huo)引脚与印(yin)制(zhi)板(ban)焊(han)(han)(han)(han)盘(pan)之间机械与电气连接(jie)(jie)的一种成组(zu)或(huo)逐点焊(han)(han)(han)(han)接(jie)(jie)工艺。
15.打线键合（WB）：将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互连。打线键合(he)技术有超声波(bo)键合(he)、热(re)压键合(he)、热(re)超声波(bo)键合(he)。载(zai)带(dai)自动键合（TAB）：将(jiang)芯片焊区(qu)与电子(zi)封装(zhuang)外壳的(de)I/O或基板上(shang)的(de)金属布线焊区(qu)用具有(you)引线图形金属箔丝连(lian)接的(de)技术工艺。倒(dao)装(zhuang)芯(xin)片键(jian)合（FCB）：芯(xin)片面朝(chao)下，芯(xin)片焊区(qu)与基板焊区(qu)直接互连的(de)一种方(fang)法。
16. 芯(xin)片互连(lian)：将芯(xin)片焊区(qu)与(yu)电子封装外壳(qiao)的(de)I/O或基(ji)板(ban)上的(de)金属布线焊区(qu)相(xiang)连(lian)接，只有实(shi)现(xian)芯(xin)片与(yu)封装结构的(de)电路连(lian)接才能(neng)发挥已(yi)有的(de)功(gong)能(neng)。
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