新宝GG-科技注册场景,让平台更好玩。mos源极接地电路中的负载驱动的工作原理详解

mos源极接地电路(lu)中的负载(zai)驱动的工作(zuo)原理详解

信息来源(yuan)：本(ben)站　日期(qi)：2017-09-14　

分(fen)享(xiang)到：

源极接地电路中的负载驱动

上一节讨(tao)论的2级结(jie)(jie)构OP放大(da)(da)器的输(shu)出(chu)级是源极接地电(dian)路。现在讨(tao)论这种2级结(jie)(jie)构OP放大(da)(da)器的输(shu)出(chu)级驱动负载电(dian)阻的情况(kuang)。

如图9.21(a)所示，当Vout降低，自RL流入输出端的电流（吸收电流）增加时，n沟MOS晶体管M2的栅极电压上升。就是说，VGS2增加，M2的电流驱动才干增强，能够流过大的吸收电流。

另一(yi)(yi)方面，Vout上(shang)升时(shi)，自输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)端流(liu)(liu)(liu)向(xiang)负载电(dian)阻的(de)(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)(liu)（源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)(liu)(liu)）取不(bu)(bu)出(chu)(chu)(chu)那么大的(de)(de)(de)值。原因(yin)是p沟MOS晶体管Mi的(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)-栅极(ji)(ji)间电(dian)压VSG1是一(yi)(yi)定(ding)的(de)(de)(de)，M1能够(gou)流(liu)(liu)(liu)出(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)(liu)没有变化。这(zhei)种(zhong)情况(kuang)示于图(tu)9.21(b)中。因(yin)此，这(zhei)个输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)电(dian)路(lu)流(liu)(liu)(liu)出(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)(liu)不(bu)(bu)能够(gou)超越M1的(de)(de)(de)稳定(ding)的(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)(liu)(liu)。在需(xu)(xu)求输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)大的(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)场合，要求输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)电(dian)路(lu)必需(xu)(xu)经常流(liu)(liu)(liu)过与源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)(liu)(liu)相等的(de)(de)(de)静(jing)态电(dian)流(liu)(liu)(liu)（无(wu)(wu)功电(dian)流(liu)(liu)(liu)）。这(zhei)关系到效率的(de)(de)(de)下降。为了以小的(de)(de)(de)静(jing)态电(dian)流(liu)(liu)(liu)获得无(wu)(wu)论是源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电(dian)流(liu)(liu)(liu)还是吸收电(dian)流(liu)(liu)(liu)都需(xu)(xu)求的(de)(de)(de)大的(de)(de)(de)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)电(dian)流(liu)(liu)(liu)，应该思索AB级输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)电(dian)路(lu)。

图9.22示出AB级输出电路的工作原理。给p沟MOS晶体管M1和n沟MOS晶体管M2各自的栅极加直流偏置电压VBAT。如图9.22(b)所示，假设输出电路的输入电压Vin降落，那么M1的栅极电压也降落。这时M2的电流驱动才干下降，而M1的电流驱动才干相应地进步。其结果，输出源极电流增加了。

另一方面，如图9.22 (c)所示，假设输出电路的输入电压Vin上升，M1的栅极电压也上升。这时M2的电流驱动才干进步，而M1的电流驱动才干相应公开降。其结果，输出吸收电流增加了。

图9.23示出AB级输出电路中输出电流Iout与M1的电流Ipush，M2的电流Ipul，的关系。当Iout=0时，Ipush和Ipull与静态电流Iq相等。