MOS管种类

MOSFET管(guan)(guan)是FET的(de)一(yi)(yi)种(zhong)（另一(yi)(yi)种(zhong)是JFET），可(ke)以被制构(gou)成增(zeng)强型(xing)(xing)或耗尽型(xing)(xing)，P沟道或N沟道共4种(zhong)类型(xing)(xing)，但理论应用的(de)只需增(zeng)强型(xing)(xing)的(de)N沟道MOS管(guan)(guan)和增(zeng)强型(xing)(xing)的(de)P沟道MOS管(guan)(guan)，所以通常提到(dao)NMOS，或者PMOS指的(de)就是这(zhei)两种(zhong)。

场(chang)效(xiao)应(ying)管分为结型场(chang)效(xiao)应(ying)管（JFET）和绝缘栅场(chang)效(xiao)应(ying)管（MOS管）两大类。

结型场效应管（JFET）

结(jie)型场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)的分类(lei)：结(jie)型场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)有两种结(jie)构(gou)形(xing)式，它们是N沟道(dao)(dao)结(jie)型场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)和P沟道(dao)(dao)结(jie)型场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)。

结(jie)(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)也具有三个电(dian)极(ji)(ji)(ji)，它(ta)们(men)是(shi)：栅极(ji)(ji)(ji)；漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)；源极(ji)(ji)(ji)。电(dian)路符(fu)号(hao)中栅极(ji)(ji)(ji)的(de)(de)箭头方向可理解(jie)为两个PN结(jie)(jie)的(de)(de)正向导电(dian)方向。2、结(jie)(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)的(de)(de)工作原理(以(yi)N沟(gou)道(dao)结(jie)(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)为例)，N沟(gou)道(dao)结(jie)(jie)构型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)的(de)(de)结(jie)(jie)构及符(fu)号(hao)，由于(yu)PN结(jie)(jie)中的(de)(de)载流子已(yi)经耗(hao)尽，故PN基本上(shang)是(shi)不导电(dian)的(de)(de)，形成了所(suo)谓耗(hao)尽区，当漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)源电(dian)压(ya)ED一定时，如(ru)果(guo)栅极(ji)(ji)(ji)电(dian)压(ya)越负，PN结(jie)(jie)交(jiao)界面所(suo)形成的(de)(de)耗(hao)尽区就越厚，则(ze)漏(lou)(lou)、源极(ji)(ji)(ji)之间导电(dian)的(de)(de)沟(gou)道(dao)越窄(zhai)，漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)流ID就愈小；反之，如(ru)果(guo)栅极(ji)(ji)(ji)电(dian)压(ya)没有那么(me)负，则(ze)沟(gou)道(dao)变宽，ID变大(da)，所(suo)以(yi)用栅极(ji)(ji)(ji)电(dian)压(ya)EG可以(yi)控(kong)制(zhi)(zhi)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)流ID的(de)(de)变化，就是(shi)说，场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)是(shi)电(dian)压(ya)控(kong)制(zhi)(zhi)元件。

绝缘栅场效应管

1、绝(jue)缘(yuan)栅(zha)场效(xiao)应管（MOS管）的(de)分(fen)类：绝(jue)缘(yuan)栅(zha)场效(xiao)应管也有两种结构(gou)形(xing)式，它们是(shi)N沟(gou)道型(xing)和P沟(gou)道型(xing)。无论是(shi)什么沟(gou)道，它们又分(fen)为增强型(xing)和耗尽型(xing)两种。

2、它是由金(jin)属、氧化(hua)物和半(ban)导(dao)体(ti)所组成，所以又称(cheng)为(wei)金(jin)属—氧化(hua)物—半(ban)导(dao)体(ti)场效应管，简称(cheng)MOS场效应管。

3、绝(jue)缘栅型(xing)场效应(ying)管(guan)(guan)的工作原理(以(yi)N沟道(dao)增强(qiang)型(xing)MOS场效应(ying)管(guan)(guan))它是利用UGS来控制(zhi)“感应(ying)电荷(he)(he)”的多少，以(yi)改变(bian)(bian)(bian)(bian)由这些(xie)“感应(ying)电荷(he)(he)”形成(cheng)的导电沟道(dao)的状况，然后(hou)达到控制(zhi)漏极电流(liu)的目的。在制(zhi)造管(guan)(guan)子时，通过工艺使(shi)绝(jue)缘层中出现大量正离子，故在交界(jie)面的另一(yi)侧(ce)能感应(ying)出较多的负电荷(he)(he)，这些(xie)负电荷(he)(he)把高渗杂质的N区接通，形成(cheng)了导电沟道(dao)，即使(shi)在VGS=0时也有较大的漏极电流(liu)ID。当栅极电压改变(bian)(bian)(bian)(bian)时，沟道(dao)内被(bei)感应(ying)的电荷(he)(he)量也改变(bian)(bian)(bian)(bian)，导电沟道(dao)的宽窄也随(sui)之而(er)(er)变(bian)(bian)(bian)(bian)，因(yin)而(er)(er)漏极电流(liu)ID随(sui)着栅极电压的变(bian)(bian)(bian)(bian)化(hua)而(er)(er)变(bian)(bian)(bian)(bian)化(hua)。

场效(xiao)应管的工(gong)作(zuo)方式有(you)(you)两种：当(dang)栅(zha)压为(wei)(wei)零(ling)时有(you)(you)较(jiao)大(da)漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的称为(wei)(wei)耗散(san)型；当(dang)栅(zha)压为(wei)(wei)零(ling)，漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)也为(wei)(wei)零(ling)，必须再加一定的栅(zha)压之后才有(you)(you)漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的称为(wei)(wei)增强型。

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