动力(li)电池(chi)保护板

近几年的(de)(de)(de)(de)动力锂电(dian)池的(de)(de)(de)(de)快速发展，不(bu)管是(shi)消费(fei)工艺还(hai)是(shi)资(zi)料技能改(gai)进上，或价钱(qian)的(de)(de)(de)(de)优(you)(you)势，都有相当大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)打破，因而(er)它(ta)也为(wei)多并多串(chuan)打下坚实的(de)(de)(de)(de)根(gen)底(di)。代替铅酸电(dian)池的(de)(de)(de)(de)时期越来越近。不(bu)管电(dian)动自行车还(hai)是(shi)后备电(dian)源(yuan)，它(ta)的(de)(de)(de)(de)市场占有很大(da)(da)市场扩大(da)(da)发展得优(you)(you)势。那么，为(wei)了(le)电(dian)池的(de)(de)(de)(de)安全与(yu)寿命，锂电(dian)池的(de)(de)(de)(de)有用保(bao)护天然也少不(bu)了(le)，此刻保(bao)护板在电(dian)池器件也是(shi)一个(ge)重(zhong)要之一。

动力电(dian)池保护(hu)(hu)板，它(ta)是用来保护(hu)(hu)电(dian)池保护(hu)(hu)损(sun)坏(huai)与延伸(shen)电(dian)池的运用寿数。并(bing)且它(ta)只在电(dian)池出(chu)现极(ji)点问(wen)题(ti)的情况(kuang)下作(zuo)出(chu)最(zui)稳定最(zui)有(you)用的保护(hu)(hu)防止出(chu)现意外。

保护项目与(yu)注(zhu)意(yi)事项

1.电(dian)流保护

它首要表现在(zai)工作电流与过(guo)电流使开关MOS断(duan)开然后保护电池组或(huo)负(fu)载。

MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)损坏首要(yao)是温度急(ji)剧升高(gao)，它的(de)发(fa)热也是电(dian)流的(de)大(da)(da)小(xiao)及 自身(shen)的(de)内阻来抉(jue)择的(de)，当然小(xiao)电(dian)流，对MOS没什(shen)么影响，可是大(da)(da)电(dian)流呢，这(zhei)个就要(yao)好(hao)好(hao)做些处(chu)置了， 在(zai)通(tong)过额定电(dian)流时(shi)，小(xiao)电(dian)流10A以下，我们能够直接(jie)用电(dian)压来驱(qu)动MOS管(guan)(guan)(guan)。大(da)(da)电(dian)流，必定是要(yao)加驱(qu)动，给MOS满足大(da)(da)的(de)驱(qu)动电(dian)流。以下在(zai)MOS管(guan)(guan)(guan)驱(qu)动有讲到工作电(dian)流，在(zai)规划的(de)时(shi)候，MOS管上(shang)不能存在超过(guo)0.3W的功率。核算(suan)工式：I2*R/N。R为(wei)MOS的内阻，N为(wei)MOS的数量。假定(ding)功率超过(guo)，MOS会(hui)(hui)发生(sheng)25度(du)以上(shang)的温(wen)升，又因(yin)它们都(dou)是(shi)(shi)密封的,就(jiu)算(suan)有散(san)热片，长期工作时，温(wen)度(du)仍是(shi)(shi)会(hui)(hui)上(shang)去，因(yin)为(wei)它没在中(zhong)心(xin)可散(san)热。当(dang)然(ran)MOS管是(shi)(shi)没任何(he)问题，问题是(shi)(shi)他发生(sheng)热量会(hui)(hui)影响(xiang)到电池，究竟保护板是(shi)(shi)与电池放(fang)在一起的。

2.电压保护

过(guo)充，过(guo)放，这要依(yi)据电池的(de)资料不同(tong)而有所改动(dong)，这点看似简略，但要细节上来看，还是有学历(li)学识的(de)。

过充(chong)(chong)保(bao)护(hu)，在我们以(yi)往的(de)(de)单节电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)保(bao)护(hu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)都(dou)会高(gao)出(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)充(chong)(chong)饱(bao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)50~150mV。可是(shi)(shi)动(dong)力电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)不一(yi)样(yang)，假定你要(yao)想延(yan)伸电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)寿数(shu)，你的(de)(de)保(bao)护(hu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)就挑选(xuan)(xuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)充(chong)(chong)饱(bao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，致(zhi)使还(hai)要(yao)比此电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)还(hai)低些(xie)。比如(ru)锰锂电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)，能够(gou)挑选(xuan)(xuan)4.18V~4.2V。因(yin)为它是(shi)(shi)多串(chuan)数(shu)的(de)(de)，整个电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)组的(de)(de)寿数(shu)容(rong)(rong)量(liang)(liang)(liang)首要(yao)是(shi)(shi)以(yi)容(rong)(rong)量(liang)(liang)(liang)最低的(de)(de)那颗电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)以(yi)准，小容(rong)(rong)的(de)(de)总(zong)是(shi)(shi)在大(da)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)高(gao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)作业，所以(yi)衰减加(jia)速(su)。而大(da)容(rong)(rong)量(liang)(liang)(liang)每次都(dou)是(shi)(shi)轻(qing)充(chong)(chong)轻(qing)放(fang)(fang)，当然衰减要(yao)慢得多了(le)。为了(le)让小容(rong)(rong)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)也是(shi)(shi)轻(qing)充(chong)(chong)轻(qing)放(fang)(fang)，所以(yi)过充(chong)(chong)保(bao)护(hu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)点(dian)不要(yao)挑选(xuan)(xuan)太高(gao)。这(zhei)个保(bao)护(hu)延(yan)时能够(gou)做到1S,防止脉冲的(de)(de)影响然后保(bao)护(hu)。

过(guo)放保护(hu)，也是与电(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)资料有关，如锰锂电(dian)(dian)池(chi)(chi)一般(ban)挑(tiao)选(xuan)在(zai)2.8V~3.0V。尽量要(yao)比(bi)它单颗电(dian)(dian)池(chi)(chi)过(guo)放的(de)电(dian)(dian)压稍高(gao)点。因为，在(zai)国内消费(fei)的(de)电(dian)(dian)池(chi)(chi)，电(dian)(dian)池(chi)(chi)电(dian)(dian)压低(di)于3.3V后，各颗电(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)放电(dian)(dian)特性无(wu)缺纷(fen)歧，因而是提前保护(hu)电(dian)(dian)池(chi)(chi)，这样(yang)对电(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)寿数是一个很好的(de)保护(hu)。

总的一(yi)点就(jiu)是尽量让每一(yi)颗电池都(dou)工作(zuo)在轻充轻放下作业(ye)，必定是对(dui)电池的寿数是一个辅(fu)助。

过放保(bao)护延滞时间，它要根据负载的(de)不同而有所(suo)改(gai)变，比(bi)如电(dian)(dian)(dian)动工具(ju)类的(de)，他的(de)启(qi)动电(dian)(dian)(dian)流一般(ban)都(dou)在10C以上，因此(ci)会在短时间内把(ba)电(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)拉(la)到(dao)过放电(dian)(dian)(dian)压(ya)点从而保(bao)护。此(ci)时无法让(rang)电(dian)(dian)(dian)池(chi)工作。这是值得注意的(de)地方(fang)。

过(guo)流(liu)保护(hu)(最(zui)大电流(liu))，此(ci)项是保护(hu)板必不行少的(de)，十分(fen)关键(jian)一个保护(hu)参数。保护(hu)电流(liu)的(de)大小与(yu)MOS的(de)功率相关，因而在规划时，要尽量(liang)给出MOS才华(hua)的(de)余量(liang)。在布(bu)板的(de)时候，电流(liu)检测点必定要选好(hao)方位，不能只接通就行，这需求履(lv)历值。一般主张接在检测电阻的(de)中(zhong)心端。还要留心电流(liu)检测端的(de)干扰问题，因为它的(de)信号(hao)很容(rong)易(yi)受到干扰。

3.短(duan)路保护

严格来讲(jiang)(jiang)，它是一个电(dian)压(ya)比较型的(de)(de)保护，也就是讲(jiang)(jiang)是用电(dian)压(ya)的(de)(de)比较直(zhi)接(jie)关断或驱动的(de)(de)，不要通过(guo)剩余的(de)(de)处(chu)置。

短路(lu)延时的设置也很重要，因(yin)为在(zai)我们(men)的产品(pin)中，输入滤波电(dian)容(rong)都(dou)是很大的，在(zai)触摸时第一时刻给电(dian)容(rong)充电(dian)，此刻就(jiu)相当(dang)于电(dian)池短路(lu)来给电(dian)容(rong)充电(dian)。

4.温度保护

一般(ban)在智(zhi)能电(dian)(dian)池上都会(hui)用到，也是(shi)不(bu)(bu)(bu)可少(shao)的(de)。但常常它的(de)满意总会(hui)带来(lai)另一方面的(de)缺少(shao)。我们首(shou)要是(shi)检测电(dian)(dian)池的(de)温(wen)度来(lai)断开(kai)总开(kai)关来(lai)保护电(dian)(dian)池自身或负载。假定是(shi)在一个稳定的(de)环境条件下，当然不(bu)(bu)(bu)会(hui)有什么问题。因(yin)为电(dian)(dian)池的(de)工作环境是(shi)我们不(bu)(bu)(bu)可控制的(de)，太多复杂(za)的(de)改变。

5.MOS保(bao)护

首要是(shi)(shi)MOS的(de)(de)(de)(de)电(dian)压(ya)，电(dian)流与温(wen)度。当(dang)然(ran)就是(shi)(shi)牵扯到MOS管的(de)(de)(de)(de)选型了。MOS的(de)(de)(de)(de)耐压(ya)当(dang)然(ran)要超(chao)越电(dian)池(chi)组的(de)(de)(de)(de)电(dian)压(ya)，这是(shi)(shi)必(bi)需的(de)(de)(de)(de)。电(dian)流讲的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)在(zai)通过(guo)额定(ding)电(dian)流时MOS管体上的(de)(de)(de)(de)温(wen)升(sheng)了一(yi)般不超(chao)越25度的(de)(de)(de)(de)温(wen)升(sheng)，只供参阅。

MOS的(de)驱(qu)(qu)动，或许会(hui)有(you)的(de)人会(hui)讲，我有(you)用低内阻大电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)的(de)MOS管(guan)，但(dan)为何还有(you)蛮高的(de)温(wen)度(du)?这是MOS管(guan)的(de)驱(qu)(qu)动部分没(mei)有(you)做好(hao)，驱(qu)(qu)动MOS要(yao)(yao)有(you)满(man)(man)足(zu)大的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，详尽多(duo)大的(de)驱(qu)(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，要(yao)(yao)依据(ju)功率MOS管(guan)的(de)输入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)容来定(ding)。因而，一般的(de)过(guo)流(liu)(liu)(liu)(liu)与短路(lu)(lu)驱(qu)(qu)动都不能用芯(xin)片直接驱(qu)(qu)动，必(bi)定(ding)要(yao)(yao)外加。在大电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(逾越50A)作业时(shi)，必(bi)定(ding)要(yao)(yao)做到多(duo)级多(duo)路(lu)(lu)驱(qu)(qu)动，才(cai)能确(que)保MOS的(de)同一时(shi)刻同一电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)正常翻开与封闭。因为MOS管(guan)有(you)一个输入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)容， MOS管(guan)功率,电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)越大，输入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)容也(ye)就越大，假定(ding)没(mei)有(you)满(man)(man)足(zu)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，不会(hui)在短时(shi)刻做出(chu)无缺(que)的(de)操控。特别(bie)是电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)逾越50A时(shi)，电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)规(gui)划上更要(yao)(yao)细(xi)化，必(bi)定(ding)要(yao)(yao)做到多(duo)级多(duo)路(lu)(lu)驱(qu)(qu)动操控。这样才(cai)能确(que)保MOS的(de)正常过(guo)流(liu)(liu)(liu)(liu)与短路(lu)(lu)保护。

MOS电流(liu)平(ping)衡，首要(yao)(yao)(yao)讲的(de)(de)是多(duo)颗MOS并起来(lai)用时(shi)，要(yao)(yao)(yao)让每一颗MOS管(guan)(guan)通(tong)过(guo)的(de)(de)电流(liu)，翻开与封闭时(shi)刻都是不合(he)的(de)(de)。这就(jiu)要(yao)(yao)(yao)在画板方面入手了(le)，它们的(de)(de)输入输出必(bi)定要(yao)(yao)(yao)对称，必(bi)定要(yao)(yao)(yao)确保(bao)每一个(ge)管(guan)(guan)子通(tong)过(guo)的(de)(de)电流(liu)是不合(he)这才是意图。

6.均衡

均衡是此文章的(de)(de)(de)论(lun)说的(de)(de)(de)要点。现(xian)在(zai)最通用(yong)的(de)(de)(de)均衡方法分为两(liang)种(zhong)，一种(zhong)就是耗能式的(de)(de)(de)，另一种(zhong)就是转能式的(de)(de)(de)。

A耗能式(shi)均衡,首要是把多串(chuan)电(dian)(dian)池(chi)中某节电(dian)(dian)池(chi)的(de)电(dian)(dian)量或(huo)电(dian)(dian)压(ya)高的(de)用电(dian)(dian)阻(zu)把剩余的(de)电(dian)(dian)能损耗掉。它也分如下(xia)三种。

一(yi)）充(chong)电均衡

它(ta)首要是在(zai)充(chong)电(dian)时任何(he)一(yi)颗电(dian)池(chi)的(de)电(dian)压(ya)高出全部电(dian)池(chi)平均电(dian)压(ya)时，它(ta)就发动均衡(heng)，不管电(dian)池(chi)的(de)电(dian)压(ya)在(zai)什(shen)么(me)规模(mo)，它(ta)首要是使用在(zai)智(zhi)能软(ruan)件(jian)计划上。当然(ran)怎(zen)么(me)说能够由软(ruan)件(jian)任意调整。此计划的(de)长(zhang)处它(ta)能有(you)更多的(de)时刻去做电(dian)池(chi)的(de)电(dian)压(ya)均衡(heng)。

二）电压定(ding)点(dian)均衡

就是把均衡(heng)发动定在一个电压点上，如锰锂电池，很多(duo)就定在4.2V初(chu)步均衡(heng)。这种方法仅仅在电池充电的结尾间断(duan)，所以均衡(heng)时刻较(jiao)短，用处可想而知。

三）静态主动均衡

它(ta)也能(neng)够(gou)(gou)在充电(dian)的(de)过(guo)程(cheng)中间断，也能(neng)够(gou)(gou)在放(fang)电(dian)时(shi)刻(ke)断，更(geng)有特性的(de)是，电(dian)池(chi)在静态放(fang)置时(shi)，假定电(dian)压不合(he)时(shi)，它(ta)也在均(jun)衡(heng)着(zhe)，直到电(dian)池(chi)的(de)电(dian)压抵达不合(he)。但(dan)有人认为(wei)，电(dian)池(chi)都没作(zuo)业了，为(wei)什么(me)保护板仍是在发热呢?

以上三种方法都所以参阅电(dian)压来完结均衡的。可是(shi)，电(dian)池电(dian)压高纷歧定代表容量就高，或许(xu)截(jie)然相反。以下(xia)论(lun)说。

其优点(dian)就是本钱低，规划简略，在电(dian)池(chi)电(dian)压不(bu)不(bu)合时能(neng)起到必定的(de)(de)效果，首(shou)要表(biao)现在电(dian)池(chi)长(zhang)期(qi)放置自(zi)耗惹起的(de)(de)电(dian)压不(bu)不(bu)合。理论上(shang)是有(you)细(xi)小的(de)(de)可(ke)行性。

缺陷，电路复(fu)杂，元(yuan)件(jian)多，温度高(gao)，防静电差(cha)，缺陷率(lv)高(gao)。元件(jian)越多(duo)，缺陷(xian)率天然(ran)就高(gao)了。

温度(du)

耗(hao)能(neng)式的(de)(de)(de)，是(shi)(shi)想把所谓剩余的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)量用电(dian)(dian)(dian)(dian)阻以发(fa)热的(de)(de)(de)方法(fa)来(lai)耗(hao)掉剩余的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)，它(ta)(ta)确成了名不虚(xu)传发(fa)热源。而(er)高温(wen)对(dui)电(dian)(dian)(dian)(dian)芯(xin)自身(shen)来(lai)讲(jiang)是(shi)(shi)十分(fen)丧命的(de)(de)(de)一(yi)(yi)个(ge)(ge)相当要素，它(ta)(ta)可能(neng)会让电(dian)(dian)(dian)(dian)池熄灭，也(ye)可能(neng)会惹起电(dian)(dian)(dian)(dian)池爆破。正本我们是(shi)(shi)在想尽(jin)全部办法(fa)去削减整个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)池包的(de)(de)(de)温(wen)度(du)发(fa)生，而(er)耗(hao)能(neng)均衡呢(ni)?一(yi)(yi)起它(ta)(ta)的(de)(de)(de)温(wen)度(du)高得惊人(ren)，我们能(neng)够去测验一(yi)(yi)下，当然是(shi)(shi)在全封闭的(de)(de)(de)环(huan)境下。总(zong)的(de)(de)(de)来(lai)说，它(ta)(ta)是(shi)(shi)一(yi)(yi)个(ge)(ge)发(fa)热体(ti)，热是(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)丧命天敌。

静电

我个(ge)(ge)人规划保(bao)护(hu)板时(shi)，向来不(bu)必小功率的(de)(de)(de)MOS管，哪怕一颗(ke)都不(bu)必。因为(wei)自己在(zai)(zai)这(zhei)一块吃过(guo)(guo)太多的(de)(de)(de)亏了(le)。就(jiu)是MOS管的(de)(de)(de)静电(dian)(dian)问(wen)题。先不(bu)说(shuo)小MOS在(zai)(zai)作业的(de)(de)(de)环境，就(jiu)说(shuo)在(zai)(zai)消费加(jia)工PCBA贴(tie)片时(shi)，假定车间的(de)(de)(de)湿度低于60%，小MOS消费出来的(de)(de)(de)不(bu)良率都会(hui)逾越10%以上，然后(hou)再湿度调到80%。小MOS的(de)(de)(de)不(bu)良率为(wei)零。能(neng)够(gou)试(shi)试(shi)。这(zhei)要标明一个(ge)(ge)什(shen)么问(wen)题呢(ni)?假定我们(men)的(de)(de)(de)产品在(zai)(zai)北方的(de)(de)(de)冬季，小MOS能(neng)否能(neng)通过(guo)(guo)，这(zhei)需求(qiu)时(shi)刻来考证(zheng)的(de)(de)(de)。再有，MOS管的(de)(de)(de)损(sun)坏(huai)只(zhi)需短(duan)(duan)路，假定短(duan)(duan)路那不(bu)行(xing)思议，就(jiu)意味着(zhe)这(zhei)组(zu)电(dian)(dian)池立(li)刻要损(sun)坏(huai)。更何况(kuang)我们(men)的(de)(de)(de)均衡上的(de)(de)(de)小MOS用(yong)得还不(bu)少呢(ni)。这(zhei)时(shi)有人会(hui)恍然，难怪退回来的(de)(de)(de)货，都是因为(wei)均衡坏(huai)掉(diao)而(er)惹起单(dan)体(ti)电(dian)(dian)池损(sun)坏(huai)，并且都是MOS坏(huai)掉(diao)了(le)。这(zhei)时(shi)电(dian)(dian)芯厂与保(bao)护(hu)板厂初(chu)步扯皮了(le)。是谁的(de)(de)(de)错呢(ni)?

均(jun)衡总结(jie) 自己有这么一个定(ding)(ding)论：假定(ding)(ding)坚持要用(yong)(yong)到均(jun)衡功(gong)用(yong)(yong)的(de)(de)(de)人(ren)(ren)，能(neng)够判定(ding)(ding)此(ci)人(ren)(ren)没有大批(pi)量(liang)消费动(dong)力(li)(li)电池(chi)保(bao)(bao)护(hu)(hu)板(ban)(ban)或PACK的(de)(de)(de)经(jing)验。假定(ding)(ding)有大批(pi)量(liang)消费过(guo)，他必定(ding)(ding)会(hui)在(zai)均(jun)衡上吃不(bu)少的(de)(de)(de)亏。个人(ren)(ren)认为，均(jun)衡使用(yong)(yong)保(bao)(bao)护(hu)(hu)板(ban)(ban)来完结(jie)，有点诙谐。因为保(bao)(bao)护(hu)(hu)板(ban)(ban)就是保(bao)(bao)护(hu)(hu)的(de)(de)(de)，它只(zhi)做电池(chi)在(zai)最(zui)极点的(de)(de)(de)时候起(qi)(qi)到有用(yong)(yong)的(de)(de)(de)保(bao)(bao)护(hu)(hu)效(xiao)果，它没有能(neng)力(li)(li)去把电池(chi)的(de)(de)(de)功(gong)能(neng)前进，保(bao)(bao)护(hu)(hu)板(ban)(ban)仅仅一个被迫部分，莫(mo)非家(jia)(jia)里的(de)(de)(de)保(bao)(bao)护(hu)(hu)丝或保(bao)(bao)护(hu)(hu)开关能(neng)提高家(jia)(jia)里的(de)(de)(de)电量(liang)?当然(ran)不(bu)可能(neng)。它只(zhi)起(qi)(qi)到保(bao)(bao)护(hu)(hu)效(xiao)果。

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